一种核壳MFI型沸石及其制备方法

    公开(公告)号:CN110372002B

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN201910668509.6

    申请日:2019-07-23

    Abstract: 本申请公开了一种核壳MFI型沸石及其制备方法。本申请的核壳MFI型沸石,从壳体到内核具有由大到小的介孔分布,并且按照介孔尺寸大小呈由表及里的空间多级分布。本申请的核壳MFI型沸石,从壳体到内核具有按照介孔尺寸大小分布的空间多级分层结构,具有类似自然界规则排列的梯度孔网络结构,能够同时提高物质的扩散性和保留择形选择性,特别适用于有机催化反应,并且能够提高催化性能。

    一种基于通用化深度展开网络的图像重建方法

    公开(公告)号:CN114841901A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210763394.0

    申请日:2022-07-01

    Inventor: 张健 牟冲

    Abstract: 一种基于通用化深度展开网络的图像重建方法,通过设计了一个通用化深度展开网络来进行训练和重建,该方法包括以下步骤:步骤S1.构造训练数据集;S2.构造通用化深度展开网络;S3.训练通用化深度展开网络;S4.应用训练好的通用化深度展开网络进行图像重建过程;本发明的基于通用化深度展开网络的图像重建方法可以从多种图像重建任务的退化图像中重建出高质量的图像,在保持深度展开网络良好的可解释性的同时拓展了其通用性,解决了深度展开网络的内在结构导致的阶段间特征级信息损失,具有更高的重建精度。

    一种基于高通量深度展开网络的核磁共振图像重建方法

    公开(公告)号:CN111932650A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202010794182.X

    申请日:2020-08-10

    Abstract: 一种基于高通量深度展开网络的核磁共振图像重建方法,通过设计了一个高通量深度展开网络来进行训练和重建,该方法包括以下步骤:步骤1构造训练数据集、步骤2构造高通量深度展开网络、步骤3高通量深度展开网络训练过程、步骤4应用训练好的高通量深度展开网络进行压缩感知磁共振图像重建过程;本发明的基于高通量深度展开网络的压缩感知核磁共振成像方法可以从观测到的K空间亚采样数据中重建出高质量的核磁共振图像,具有更快的重建速度和更高的重建精度和更好的可解释性。

    一种荧光素偶联体及其合成方法与应用

    公开(公告)号:CN111606892A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010324004.0

    申请日:2020-04-22

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明属于细菌鉴定材料技术领域,具体涉及一种荧光素偶联体及其合成方法与应用。所述荧光素偶联体的结构如通式I所示,式中R代表含有负电酚羟基或者磺酸基的荧光素;m为1-10的整数。所得荧光素偶联体不仅对铜绿假单胞菌具有选择特异性,且稳定性高,容易在水溶液中进行反应,可作为荧光素探针用于铜绿假单胞菌的鉴定。所述合成方法采取模块化合成路线,可应用于类似结构化合物的化学合成,为新型细菌诊断试剂开辟了广阔的发展空间。

    一种绿脓杆菌代谢物及其衍生物、合成方法与应用

    公开(公告)号:CN110627727A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201810651018.6

    申请日:2018-06-22

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种绿脓杆菌代谢物及其衍生物,其结构通式如I所示。本发明提供的绿脓杆菌代谢物及其衍生物具有特定的立体构型,是一种新型的由革兰氏阴性菌绿脓杆菌分泌的金属载体,能够在金属缺失的环境下帮助绿脓杆菌获取金属离子。基于绿脓杆菌代谢物及其衍生物能够帮助绿脓杆菌获取金属离子的特性,绿脓杆菌代谢物及其衍生物与已知抗生素相连可以产生一种新的高铁霉素类抗生素。本发明还涉及一种绿脓杆菌代谢物及其衍生物的合成方法,该方法提供了具有特定立体构型的绿脓杆菌代谢物及其衍生物的全合成路线,这种模块化的合成路线可应用于类似结构化合物及相关衍生物的化学合成,为新型抗生素类药物开辟了广阔发展空间。

    一种面向micro-LED应用的无损微纳结构的制备方法

    公开(公告)号:CN110416372A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910608697.3

    申请日:2019-07-08

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种面向micro-LED应用的无损微纳结构的制备方法。本发明通过电子束光刻实现微米或纳米级图形的转移和制备,灵活性强,适用于多种微、纳米器件结构的制备;规避了等离子体刻蚀损伤的引入对材料辐射复合效率的降低作用,有利于进一步提高于光电器件的性能;晶格选择性热化学刻相比传统的半导体刻蚀工艺,获得的位点可控的微米或纳米结构侧壁具有高度陡直性和光滑性,不受刻蚀工艺限制,能够获得不同极性面的位点可控的纳米结构;利用热化学刻蚀工艺制备micro-LED,无刻蚀损伤引入,改善器件性能,同时兼有现有工艺,能够实现批量生产。

    一种多功能半导体掺杂的装置

    公开(公告)号:CN107731649A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201710991602.1

    申请日:2017-10-23

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公布了一种多功能半导体掺杂装置,兼容等离子体激励非高温扩散掺杂和等离子体浸没离子注入掺杂两种功能。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口,窗口下为由上下板构成的平行板等离子体腔,其间设可移动的中板;三板的暴露表面沉积掺杂杂质层;真空腔室内表面和支架表面覆盖双层内衬材料,内层为绝缘层,外层为防沾污层,且防沾污层连接提供正偏压的直流低电压源;中板连接提供负偏压的直流高电压源,下板为地电位。进行扩散掺杂时,移出中板,待掺杂半导体置于下板上,而进行离子注入掺杂时,移入中板,待掺杂半导体置于中板上。该装置不仅最大限度降低了非掺杂杂质的沾污,还能灵活实现两种掺杂功能的互换。

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