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公开(公告)号：CN110643965A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911074109.9
申请日：2019-11-06
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种高结晶性钒薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)将两块相同规格的钒靶对称相对放置在对靶非平衡型磁控溅射设备沉积腔中的一对溅射靶座上，调节靶面间距为5～20cm；2)将预清洗处理的基体放在磁控溅射设备沉积腔的基片台上，位于两个钒靶中间位置，抽真空至本底真空；3)向磁控溅射设备沉积腔内通入氩气和氢气，待沉积气压稳定后打开钒靶电源开始溅射沉积钒薄膜，即在基体表面沉积得到高结晶性金属钒薄膜。本发明采用对靶非平衡型磁控溅射方法在适当的沉积条件下制备出高结晶性钒膜，步骤简单，重复性好，并且钒膜与基板结合性好，钒薄膜晶粒生长取向显著。
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公开(公告)号：CN109378525A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811159924.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0562 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种微米级石榴石型无机固体电解质膜的制备方法，首先将一定粒径的石榴石型无机固体电解质与有机溶剂、分散剂混合球磨，接着加入塑化剂和粘结剂进行二次球磨，所得浆料经除泡、流延成膜、干燥、热压、排胶以及烧结处理，形成厚度为(20-200)μm的石榴石型固体电解质膜。与现有方法相比，本发明具有成本低、设备简单、工艺稳定、易于工业化等优点，所得膜产品离子电导率高、厚度可控。
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公开(公告)号：CN109207829A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811185685.6
申请日：2018-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高熵合金与多组元碳化物共晶型复合材料及其原位制备方法。采用真空电弧熔炼的方法，将Re、Mo、Nb、W纯金属粉体与TaC粉体进行高温熔炼，原位生成高熵合金相与多组元碳化物相形成共晶型复合材料。该复合材料由枝晶初生晶和细小规则的层片状共晶组织组成，相界面干净且结合强度高；表现出良好的室温强韧性综合性能，屈服强度高于1.1GPa，平均极限抗压强度高于1.8GPa，室温塑性应变高于5％，硬度高于5.8GPa，可用于核电技术、国防军工等领域。
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公开(公告)号：CN105295379B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510897199.7
申请日：2015-12-07
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种可陶瓷化硅橡胶复合材料及其制备方法，该材料的组分按质量份数计包括硅橡胶25～35份，氢氧化铝15～20份，聚磷酸铵20～25份，粘土类层状结构矿物25～30份，硫化剂0.3～0.6份；该材料制备方法是将上述材料在开炼机或密炼机中进行混炼，混炼均匀，在压力成型机中一次硫化成型，在鼓风干燥箱中进行二次硫化即可。本发明的可陶瓷化硅橡胶复合材料主要特点在于：在200～1000℃宽温域范围内形成的产物具有自撑性，可用于阻燃防火领域。本发明的可陶瓷化硅橡胶复合材料制备简单，容易加工成型，能使用现有的橡胶制品的加工制备设备，便于实现工业化生产，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN108963331A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710352099.5
申请日：2017-05-18
Applicant: 珠海市赛纬电子材料股份有限公司 , 武汉理工大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M10/0565 , H01M10/0525 , H01M2300/0082
Abstract: 本发明公开了一种PEO基固体聚合物电解质复合材料及其制备方法。PEO基固体聚合物电解质复合材料按质量百分比由以下组分组成：聚氧化乙烯5％～80％；高分子聚合物2％～80％；锂盐1％～30％。制备方法包括以下步骤：A：将锂盐加入到有机溶剂中，搅拌至完全溶解；B：将高分子聚合物加入到步骤A所制备的溶液中，搅拌均匀；C：在步骤B所制备的均匀混合溶液中加入聚氧化乙烯，搅拌，形成均匀的悬浊液；D：将步骤C制备得到的悬浊液倾倒在模具中，干燥后得到固体的电解质材料。本发明的PEO基固体聚合物电解质复合材料中的高分子聚合物有效抑制聚氧化乙烯基体中的氧乙烯链段的结晶，有效地提高了固体聚合物电解质的电导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106566156B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610943930.X
申请日：2016-11-02
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯纳米带/PMMA微发泡纳米复合材料的制备方法，具体是：通过氧化法纵向展开多壁碳纳米管得到氧化石墨烯纳米带，再将氧化石墨烯纳米带分散在N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)中高温回流进行还原得到石墨烯纳米带分散液，该分散液与PMMA共混后，经超声分散、反溶剂沉淀、冷冻干燥及热压成型处理得到石墨烯纳米带/PMMA纳米复合材料，然后将该纳米复合材料放置在模具中并置于高压反应釜中进行超临界二氧化碳饱和，饱和完毕经快速泄压得到石墨烯纳米带/PMMA微发泡纳米复合材料。本发明制备的微发泡材料泡孔孔径小，泡孔密度高，力学强度大，在航空航天、电子封装、汽车防护等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106191479B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610519550.3
申请日：2016-07-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钨合金的非自耗电弧熔炼制备方法，其包括钨粉的初步净化、冷压成型及预制块体制备、抽真空、通氩气和电弧熔炼步骤。本发明与现有技术相比，工艺简单、效率高、成本低，且有提纯效果，可制得纯度高，无明显气孔，致密度高(98.1％～99.2％)的超高比重钨合金(钨比重含量达99.7％～99.9％，比重最高可达19.11)；可应用于电子工业、核工业、航空航天及动高压物理等领域。
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公开(公告)号：CN105149769B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510456474.1
申请日：2015-07-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B23K20/14 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/24 , B23K103/18
Abstract: 本发明是叠层复合中间层的设计引入使镁合金与铝合金的连接方法，即：首先在镁合金与铝合金表面沉积CuNi合金薄膜作为防止铝镁基体表面氧化及金属间化合物生成的阻隔中间层，然后在CuNi合金薄膜层之间添加Ag降低CuNi中间层的连接温度，构成CuNi‑Ag‑CuNi叠层复合中间层，再将该复合中间层的镁合金与铝合金待连接件的装配，并在380～420℃条件下保温0s～750s即可。本发明利用所述复合中间层避免了连接界面脆性的Mg‑Al系金属间化合物以及其它金属间化合物的产生；采用电场活化连接技术，在真空下实现了镁合金与铝合金低温、快速、高强焊接，降低了连接温度、缩短连接工艺周期、提高了连接接头的可靠性。
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公开(公告)号：CN107841672A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711009543.X
申请日：2017-10-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种含Re的高密度ReWTaMoNbX高熵合金材料及制备方法，所述合金材料的组成为ReWTaMoNbX，合金中Re/W/Ta/Mo元素中任意两元素的摩尔比为0.95～1.05，Nb与其它任一元素的摩尔比x＝0～1。其制备方法如下：混料：称量Re、W-Mo、Ta、Nb金属粉末，球磨混合均匀；制备预制块：采用冷高压成型技术将步骤一制得的混合粉体制成预制块；电弧熔炼制备高熵合金：采用高真空非自耗电弧熔炼炉在高纯氩气保护下将预制块熔炼成母合金锭。所得高熵合金材料具有高密度和高硬度，密度不低于15g/cm3，硬度不低于5700MPa，可用于核工业、航空航天及高压物理等领域。
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公开(公告)号：CN105218087B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510749781.9
申请日：2015-11-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种织构化的高居里点Pr2Ti2O7陶瓷的制备方法，其采用的技术方案是两次等离子活化热处理技术，具体包括以下步骤：1)第一次等离子活化热处理：将Pr2Ti2O7原料填充于石墨模具中，移入等离子活化烧结炉中，活化10～30s，再以50～100℃/min的升温速率升温至1100～1250℃，保温1～3min并施加20～50MPa的压力，经致密化烧结后得到Pr2Ti2O7陶瓷块体；2)第二次等离子活化热处理：将Pr2Ti2O7陶瓷块体放入更大尺寸的石墨模具中心，移入等离子活化烧结炉中，活化10～30s，再以50～100℃/min的升温速率升温至1200～1350℃，保温3～5min并施加40～80MPa的压力，经织构化成型后得到织构的Pr2Ti2O7陶瓷。本发明有效克服了现有热锻、热压等织构化技术存在的热处理周期长、烧结温度高、生产效率低等不足，制备的Pr2Ti2O7陶瓷可满足高温压电领域的应用需求。
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