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公开(公告)号：CN101218680A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680025227.5
申请日：2006-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H01L31/09 , G01T1/20
Abstract: 本发明的转换设备包括其中布置有多个像素的像素区域。所述像素包括开关元件和转换元件。所述像素区域包括：开关元件区域，其中在行和列的方向上布置有多个开关元件；和转换元件区域，其中在行和列的方向上布置有多个转换元件。多个信号配线包括第二金属层，并且连接到列方向上的多个开关元件。偏压配线包括第四金属层，并且连接到多个转换元件。外部信号配线包括在像素区域外部的第一金属层，并连接到信号配线。外部信号配线和偏压配线相互交叉。
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公开(公告)号：CN112798626B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011255945.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01N23/04 , G01N23/041
Abstract: 本发明提供一种放射线摄像装置和放射线摄像系统。该装置包括：多个像素，各像素包括转换元件和开关；被构造为经由驱动线控制开关的驱动电路；被构造为经由偏置线向转换元件供应偏置电位的偏置电源单元；从所述多个像素向其输出信号的列信号线；以及检测单元。所述多个像素包括在行方向上彼此相邻且连接到公共列信号线的第一像素和第二像素。第一像素的开关和第二像素的开关连接到彼此不同的驱动线。检测单元基于流向偏置线的电流来确定有/无放射线照射。
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公开(公告)号：CN111214250A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911133080.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
Abstract: 本发明公开放射线成像装置和放射线成像系统。放射线成像装置包括：第一像素以及第二像素，第二像素对于放射线的灵敏度低于第一像素的灵敏度；以及决定单元，被配置为执行使像素中的电荷重置的重置操作和决定在对装置进行照射期间的放射线剂量的决定操作。在决定操作中，决定单元至少一次从第一像素和第二像素读出信号，并分别基于从第一像素和第二像素读出的信号决定第一校正值和第二校正值，并且在接收到放射线照射开始请求之后从第一像素和第二像素读出信号，并使用从第一像素和第二像素读出的信号的值以及第一校正值和第二校正值来决定在对装置进行照射期间的放射线剂量。
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公开(公告)号：CN107589127A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710548778.X
申请日：2017-07-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明涉及放射线成像系统。放射线成像系统包括像素阵列、扫描像素阵列的行的扫描电路和从像素阵列读取信号的读出电路。各像素包含生成与放射线对应的电信号的转换器和与转换器连接的晶体管。读出电路经由所述晶体管从转换器读取信号。系统执行图像捕获模式和调整所述晶体管的阈值电压的调整模式。在调整模式中，扫描电路向所述晶体管的栅极供给与图像捕获模式中的关断电压不同的关断电压。扫描电路在图像捕获模式中以至少一个行为单位扫描行，并且在调整模式中以至少两个行为单位扫描行。
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公开(公告)号：CN104167421B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410204548.8
申请日：2014-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/24
CPC classification number: H01L27/14663
Abstract: 本发明涉及检测装置和检测系统。检测装置包括：允许可见光穿过的基板；包含从与基板相邻的侧起依次布置的像素电极、杂质半导体层和半导体层并被配置为将放射线或光转换成电荷的转换元件；和被配置为经基板向转换元件发射可见光的光源。像素电极包含允许可见光穿过的金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103716551B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310465678.2
申请日：2013-10-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/32 , H04N5/378 , H04N5/374 , H04N5/357 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14663
Abstract: 公开了检测装置和检测系统。一种在基板上形成的检测装置，包括：以矩阵布置的多个像素，和与像素电连接的信号线。每个像素包括：把放射线或者光转换成电荷的感测元件，输出基于电荷的量的电信号的放大薄膜晶体管，保持由放大薄膜晶体管输出的电信号的电容器，和把保持在电容器中的电信号传送给信号线的传输薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN105361897A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510494663.8
申请日：2015-08-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: G01T1/247 , A61B6/4233 , A61B6/54 , G01N23/04 , G01T1/023 , G01T1/026 , G01T1/17 , H04N5/32
Abstract: 本发明涉及一种放射线摄像设备和放射线检测系统。所述放射线摄像设备包括：传感器部，其包括：像素阵列，用于获取与放射线相对应的图像信号；以及多个检测元件，其配置在所述像素阵列内，并且用于检测所述放射线；以及读出电路，用于从所述传感器部读出所述图像信号，其中，所述读出电路包括信号处理电路，所述信号处理电路用于进行以下操作：在判断放射线照射的有无的情况下，对来自所述多个检测元件的信号进行合成和处理，以及在判断放射线剂量的情况下，针对各检测元件对信号进行处理、或者对来自所述多个检测元件中的数量比所述多个检测元件的数量少的检测元件的信号进行合成和处理。
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公开(公告)号：CN102810547B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210168410.8
申请日：2012-05-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14676
Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中，所述检测器件包括排列在基板上的多个像素，并且还包括层间绝缘层，所述像素各自包括开关元件和转换元件，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，针对每个像素被隔离，并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成，所述层间绝缘层由有机材料制成，设置在所述开关元件与所述电极之间，并且覆盖所述开关元件，所述方法包括：形成绝缘构件，所述绝缘构件均由无机材料制成，并且被设置为与层间绝缘层接触地覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层；和形成杂质半导体膜，所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极，并且变为所述杂质半导体层。
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公开(公告)号：CN102569318B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110424534.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , A61B6/00
CPC classification number: H01L27/14663 , G09G3/3659
Abstract: 本申请涉及矩阵衬底、检测设备、检测系统和驱动检测设备的方法。提供一种矩阵衬底，所述矩阵衬底实现高操作速度和高可靠性，并能够在连接端子数量有限的同时获得高质量图像。所述矩阵衬底包括按矩阵布置的像素、在列方向上布置的N个驱动线、P个连接端子和解复用器，其中，P小于N，所述解复用器设置在连接端子与驱动线之间并包括第一多晶半导体TFT和第一连接端子。所述解复用器还包括在连接端子之一与驱动线中的两个或更多个之间的第二多晶半导体TFT和第二控制线，第二控制线用于使驱动线保持具有使像素处于非选择状态的非选择电压。
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公开(公告)号：CN103855176A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310641703.8
申请日：2013-12-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L27/14692
Abstract: 本公开涉及一种检测装置和放射线检测系统，该检测装置包括：被配置为将入射光或放射线转换成电荷的转换层；被配置为收集作为转换层的转换的结果而产生的电荷的电极；以及被布置在电极与转换层之间的杂质半导体层。所述转换层被布置在电极之上以便覆盖电极。转换层的覆盖相邻的一对电极之间的区域的部分包括膜厚比转换层的覆盖电极的边缘的部分小的部分。
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