公开(公告)号：CN101882571B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010171268.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN101351579B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200780001063.7

申请日：2007-03-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中幡英章 ,  川濑智博

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00

Abstract: 一种III族氮化物单晶生长方法，该方法是一种通过升华以生长AlxGa1-xN单晶(4)的方法，包括步骤，将源材料(1)放置在坩埚(12)中；并且升华源材料(1)以在坩埚(12)中生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(4)，其中源材料(1)包括AlyGa1-yN(0＜y≤1)源(2)和杂质元素(3)，并且杂质元素(3)为选自由IVb族元素和IIa族元素所组成的组中的至少之一。该生长方法使得能够稳定地生长具有低位错密度和良好的结晶度的III族氮化物体单晶。

公开(公告)号：CN102016135A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114398.9

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。

公开(公告)号：CN101970708A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980000384.4

申请日：2009-02-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C23C14/06 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。

公开(公告)号：CN101932758A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200880125981.5

申请日：2008-12-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  川濑智博 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了一种生长大型高品质的AlxGa1-xN单晶的方法。具体公开了生长AlxGa1-xN单晶的方法，其包括：准备AlyGa1-yN(0＜y≤1)晶种(4)的步骤，所述晶种的晶体直径D mm和厚度T mm符合下列关系式：T＜0.003D+0.15；以及通过升华生长法在所述AlyGa1-yN晶种(4)的主表面(4m)上生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(5)的步骤。

公开(公告)号：CN101922045A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202934.5

申请日：2010-06-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中幡英章 ,  藤原伸介 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中畑成二 ,  上村智喜

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。

公开(公告)号：CN101312164B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810130622.0

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN101432471A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015378.7

申请日：2007-04-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  樱田隆 ,  藤原伸介 ,  罔久拓司 ,  上松康二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02623 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制作氮化镓结晶的方法，该氮化镓结晶于使用包含位错集合区域、反转区域的氮化镓基板作为晶种基板而使氮化镓结晶生长时，位错密度低并且具有良好的结晶性，此外不易因切片后的研磨而产生开裂。在掩埋位错集合区域、反转区域(17a)而使氮化镓结晶(79)生长时，于高于摄氏1100度且为摄氏1300度以下的范围的生长温度下使氮化镓结晶(79)生长，由此可降低自位错集合区域、反转区域(17a)承接的位错，从而抑制位错集合区域、反转区域(17a)上产生新位错。还有，氮化镓结晶(79)的结晶性变得良好，此外对氮化镓结晶(79)进行切片后的研磨时，也不易产生开裂。

公开(公告)号：CN101312165A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810130625.4

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN100411111C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510082192.6

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0-2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。