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公开(公告)号：CN115421263A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211374585.4
申请日：2022-11-04
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/46
Abstract: 本发明公开了一种大规模光纤阵列封装固定装置及封装方法，包括光纤阵列夹具组件、夹具角度固定组件、夹具固定底座组件、夹具高度调节组件，光纤阵列夹具组件内设有用于放置放置光纤阵列及光纤阵列带纤的光纤阵列安装件，夹具角度固定组件包括支撑杆，夹具固定底座组件包括螺纹套和固定板，本发明将光纤阵列夹具组件用作在光学耦合对准过程中夹持固定光纤阵列和光纤阵列的带纤两部分，而且也将光纤阵列夹具组件用作光纤阵列与光电子芯片封装固定装置的一部分，省去了人为将光纤阵列夹具组件与光纤阵列分离的步骤，将光学封装后需要对光纤阵列和光纤阵列的带纤两部分的加固变为对光纤阵列夹具组件的加固，极大的降低了人为操作带来的风险。
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公开(公告)号：CN115406869A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211250320.3
申请日：2022-10-13
Applicant: 之江实验室
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏U型金属超表面生物传感器及其使用方法，包括基底及设置于所述基底上的金属微纳结构，所述金属微纳结构为U型，所述金属微纳结构的U型夹角为90度，所述金属微纳结构沿X，Y方向周期阵列排列。本发明通过设置的金属微纳阵列结构在垂直入射下激发的磁共振光学响应特性随环境折射率变化灵敏度高的特点，通过光谱仪测量谐振峰的位置变化来表征待测溶液的浓度。本发明设计的折射率传感器结构简单，易加工，传感灵敏度高，可用于实现无标记的抗原抗体结合率传感。
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公开(公告)号：CN115185040A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202211100327.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供一种硅光子芯片被动对准光学封装结构和光开关设备，包括基板，硅光子芯片，光纤阵列定位组件以及大模场光纤阵列，所述基板上设有对准标记，硅光子芯片以及光纤阵列定位组件依照对准标记固定于基板之上；硅光子芯片的光学耦合端口为大模场光栅耦合器阵列，其中各大模场光栅耦合器具有相同的最佳耦合角以及最佳耦合模场直径D；大模场光纤阵列中各光纤的模场直径与大模场光栅耦合器的最佳耦合模场直径D相匹配；大模场光纤阵列利用光纤阵列定位组件与硅光子芯片上的大模场光栅耦合器阵列实现最佳耦合，本发明解决了利用主动对准流程进行硅光子芯片光学封装带来的问题，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN113176497A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110431434.7
申请日：2021-04-21
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/327 , G01R31/26
Abstract: 本发明提出了一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法，包括以下步骤：在光交换阵列中选择被测单元和测试单元；输入可以确保通过被测单元和测试单元的光信号；在测试单元上加载反向电压，使得测试单元的PN结或PIN结处于载流子耗尽状态；调节被测单元上的电压，通过观察测试单元上的电流信号，获得被测单元的状态；使用此方法，完成对整个光交换阵列中开关单元的校准；与目前技术相比，本发明使用阵列中已有的电光开关单元，通过加载反向电压使其实现光功率探测的功能，并用于前端开关单元的功率监测；不会增加额外的电学或是光学端口，极大降低了大规模硅基电光集成光开关阵列中开关单元校准以及后续电光封装的难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115799098B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202211430070.1
申请日：2022-11-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种芯片的校准方法、装置、存储介质及电子设备。该芯片的校准方法包括：在光交换芯片的各光开关中，确定信号从指定输入端口到达指定输出端口的最优开关路径，以及各目标光开关，根据各目标光开关对应的电压取值范围，确定针对每个目标光开关的初始电压值，控制光交换芯片在每个目标光开关处加载初始电压值，并确定每个目标光开关加载初始电压值后，光交换芯片通过指定输出端口输出的功率，以最大化功率为优化目标，调节加载在每个目标光开关处的电压值，并确定满足优化目标时，加载在每个目标光开关处的电压值，作为校准电压值，根据校准电压值，对光交换芯片进行校准。
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公开(公告)号：CN116500722B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310748884.8
申请日：2023-06-25
Abstract: 本发明公开了一种低损耗快速切换PIN电光相移结构，该结构为对浅刻蚀波导进行二次刻蚀而形成的阶梯状波导，其中所述阶梯状波导两侧的平板区域分别进行P型掺杂和N型掺杂。在浅刻蚀波导体系下，通过再次刻蚀降低脊形波导两侧平板波导的高度，减小光模场与掺杂区域的交叠面积，在确保低损耗的情况下，可有效提升PIN器件的切换速度。解决传统PIN器件低损耗与快速切换性能无法兼得的问题。同时通过合适的尺寸设计，这种结构所支持的基模有效折射率与浅刻蚀波导几乎没有差别，可以通过普通的宽度渐变波导低损耗相连。这种低损耗快速切换PIN器件可以广泛运用于光交换、光计算、光相控阵等大规模光电子集成器件。
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公开(公告)号：CN116609897A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310893682.2
申请日：2023-07-20
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种大规模光交换芯片的混合封装结构及验证方法，该封装结构由芯片、转接板芯片和PCB构成；其芯片上有交替连接的植球焊盘和导线；转接板芯片上有交替连接的BGA、倒装焊接焊盘和引线键合焊盘及导线；转接板上的引线键合焊盘用来验证引线键合连通率；芯片和转接板之间通过倒装焊接工艺Flip Chip形成菊花链,并通过PCB上导线扇出以进行导通测试；其转接板和PCB通过BGA形成菊花链，并通过PCB上导线扇出以进行导通测试；该结构有2048个端口，通过线路和结构的设计，最大可以满足256×256规模光交换芯片封装的技术开发和验证，降低光交换芯片电学封装的成本，提高了芯片封装验证效率和设计开发周期。
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公开(公告)号：CN115728866B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211398682.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开一种硅光子芯片多层光学重布线制备方法，包括获得基片，在基片上固定硅光子芯片，在基片和硅光子芯片上匀胶衬底层，在衬底层上沉积下包层；硅光子芯片上的光学端口为芯片端耦合器阵列，在下包层上沉积芯层材料；在芯层材料上刻写布线层，在布线层上沉积上包层，在上包层上沉积芯层材料；布线层包括扇出层间转换器阵列、扇出波导阵列和扇出端面耦合器阵列；重复制作布线层直到将芯片光学端口的光信号通过多层布线层输出到对应的扇出端面耦合器阵列。该方法能够将硅光子芯片的光学端口扇出，多层排布实现对数量较多，密度较高的硅光子芯片上光学端口的扇出。
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公开(公告)号：CN116338986A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211424583.1
申请日：2022-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于片上集成偏振无关光开关的反馈控制系统及方法，该方法通过在光子集成芯片上集成偏振控制器和光开关阵列，同时辅助有外围控制电路，光子集成芯片和外围控制电路相结合组成一个偏振态反馈调节环路。本发明能够实现对于任意偏振态输入光的跟随调节；并且该反馈调节环路的开启与关闭由当前反馈值自动触发，即当偏振态调节完成后反馈调节环路自动关闭，当偏振态偏离后调节环路自动开启，节省了中控芯片的时钟资源的同时，实现了对输入信号光偏振态更加智能化地实时控制。
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