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公开(公告)号：CN108630652B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201810224113.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/495 , H01L25/18 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板。半导体装置包含电极板、金属构件以及将金属构件与电极板连接的焊料。在电极板的表面上，设置了第一沟槽和第二沟槽组。第一沟槽具有第一直线部分到第四直线部分。该第二沟槽组布置在由第一沟槽包围的范围内，并且具有在与第一沟槽连接的外周侧上的端部。该第二沟槽组包含第一集合到第四集合。所述集合中的每一个包含与第一直线部分到第四直线部分连接的多个第二沟槽。当在电极板和金属构件的层压方向上看金属构件时，金属构件的与焊料连接的区域的外周边缘横穿第一集合到第四集合。
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公开(公告)号：CN118805251A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380024630.X
申请日：2023-02-10
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在基板(50)配置有半导体元件，漏极电极与表面金属体(52)电连接。主端子(91)在与表面金属体(52)之间形成有一个基于固相接合的接合部(120)。镀膜(130)以将接合部(120)覆盖的方式设在表面金属体(52)及主端子(91)上。主端子(91)作为与表面金属体(52)重叠的重叠区域(911)而具有提供接合部的接合区域(912)和在主端子(91)的至少宽度方向上与接合区域(912)邻接设置的非接合区域(913)。主端子(91)是重叠区域(911)的宽度比接合部(120)的宽度大的宽度较宽端子。
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公开(公告)号：CN110858568B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910766324.9
申请日：2019-08-20
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 川岛崇功
Abstract: 半导体装置具备：第1及第2导体板，夹着第1及第2半导体元件相互相对；第1导体隔件，配置于第1半导体元件与第2导体板之间；第2导体隔件，配置于第2半导体元件与第2导体板之间；以及密封体，设置于第1导体板与第2导体板之间。第2导体板的下表面具有被接合第1导体隔件的第1接合区域、被接合第2导体隔件的第2接合区域、密封体密接的密接区域以及密封体剥离的剥离区域。密接区域包围第1接合区域、第2接合区域以及剥离区域。而且，剥离区域位于第1接合区域与第2接合区域之间。
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公开(公告)号：CN117157759A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280028950.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/07
Abstract: 半导体装置(20)与冷却器(120)在Z方向上排列而配置。半导体装置(20)具备：半导体元件(40)，在两面具有主电极(40D、40S)；一对基板(50、60)，以夹着半导体元件(40)的方式配置；以及导电间隔件(70)，介于基板(60)与半导体元件(40)之间。基板(50、60)具有绝缘基材(51、61)、与对应的主电极连接的表面金属体(52、62)、背面金属体(53、63)。在半导体装置(20)中，设比半导体元件(40)靠基板(50)侧的厚度为T1，设比半导体元件(40)靠基板(60)侧的厚度为T2，则满足T1≥T2的关系。
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公开(公告)号：CN110120371B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201910082742.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种半导体装置，包括：第一半导体元件，第一信号端子组，以及与所述第一信号端子组间隔设置的第二信号端子组。所述第一半导体元件包括：控制信号电极，向其输入用于所述第一半导体元件的控制信号；以及温度信号电极，其输出与所述第一半导体元件的温度对应的信号。所述温度信号电极与所述第一信号端子组中包括的温度信号端子连接；以及所述控制信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一控制信号端子连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111354709B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201911319889.9
申请日：2019-12-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：基板，其由绝缘体构成；第1导体膜，其设置于基板的一侧表面；半导体元件，其具有第1电极和第2电极，第1电极连接于第1导体膜；以及外部连接端子，其具有内端部分和外端部分，内端部分位于基板与半导体元件之间并连接于第2电极。外部连接端子还具有中间部分，该中间部分位于内端部分与外端部分之间并接合于基板的所述一侧表面。外部连接端子的中间部分与基板之间的距离比外部连接端子的内端部分与基板之间的距离大。
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公开(公告)号：CN108695177B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201810263524.8
申请日：2018-03-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，良好地进行引线框与半导体芯片的定位。是通过使用夹具将半导体芯片连接于引线框来制造半导体装置的方法。所述半导体芯片在一个面上具有主电极。所述引线框具有接合用凸部和在所述接合用凸部的周围配置的由凸形状或凹形状构成的定位部。所述制造方法包括：以在所述接合用凸部与所述夹具之间空出间隔的状态使所述夹具卡合于所述定位部的工序；使所述夹具卡合于所述半导体芯片的工序；及在使所述定位部和所述半导体芯片卡合于所述夹具的状态下，将所述接合用凸部经由焊料连接于所述半导体芯片的所述主电极的工序。
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公开(公告)号：CN111952270A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010408963.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。
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公开(公告)号：CN118077131A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280067293.8
申请日：2022-09-05
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 川岛崇功
IPC: H02M7/48
Abstract: 多个半导体模块(30)包含上臂模块(30H)、以及与上臂模块在层叠方向上排列地配置的下臂模块(30L)，冷却器(40)的热交换部(41)在层叠方向上以分别从上臂模块以及下臂模块的两面侧进行冷却的方式配置为多级，与半导体模块一同构成层叠体(45)，电容器模块(50)在层叠方向上配置在层叠体的一端侧，将电容器模块与半导体模块电连接的电源汇流条(61)以跨越热交换部的至少一个的方式沿层叠方向延伸。
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公开(公告)号：CN111952270B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202010408963.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。
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