公开(公告)号：CN1725436A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200410069295.4

申请日：2004-07-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈涌海 ,  张春玲 ,  崔草香 ,  徐波 ,  金鹏 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/34 ,  B82B3/00

Abstract: 一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。

公开(公告)号：CN1591772A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03155388.5

申请日：2003-08-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  刘祥林 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解偶合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解偶合的作用。