抛光垫
    62.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101448607B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200780017994.6

    申请日:2007-05-15

    CPC classification number: B24B37/205

    Abstract: 本发明的目的在于提供在宽波长范围(特别是短波长侧)内光学检测精度优良的抛光垫。另外,本发明的目的在于提供包括使用该抛光垫对半导体晶片的表面进行抛光的工序的半导体器件制造方法。一种抛光垫,具有包含抛光区域和光透过区域的抛光层,其特征在于,所述光透过区域由芳环浓度为2重量%以下的聚氨酯树脂形成,并且所述光透过区域的光透过率在波长300~400nm的整个范围内为30%以上。

    抛光垫
    63.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101443157B

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200780017751.2

    申请日:2007-05-15

    CPC classification number: B24B37/205

    Abstract: 本发明的目的在于提供在宽波长范围(特别是短波长侧)内光学检测精度优良、并且可以防止抛光区域和光透过区域之间浆料漏出的抛光垫。一种抛光垫,在由抛光区域和光透过区域构成的抛光层的单面上至少层压透明支撑膜,其特征在于,至少包含光透过区域和透明支撑膜的光学检测区域的光透过率在波长300~400nm的整个范围内为40%以上。

    抛光垫
    64.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101443157A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200780017751.2

    申请日:2007-05-15

    CPC classification number: B24B37/205

    Abstract: 本发明的目的在于提供在宽波长范围(特别是短波长侧)内光学检测精度优良、并且可以防止抛光区域和光透过区域之间浆料漏出的抛光垫。一种抛光垫,在由抛光区域和光透过区域构成的抛光层的单面上至少层压透明支撑膜,其特征在于,至少包含光透过区域和透明支撑膜的光学检测区域的光透过率在波长300~400nm的整个范围内为40%以上。

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