-
公开(公告)号：CN119153489A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310715151.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件及其制备方法，所述器件包括耐压区，耐压区包括第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区、多个电阻结构、多个导电结构、漏极掺杂区及第一漏电极。第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区设于衬底中，各电阻结构设于衬底上；每个导电结构的两端各连接一电阻结构，从而将各电阻结构串联连接；一导电结构的底部与第二导电类型掺杂区电性连接，其余电阻结构的底部与所述第一导电类型掺杂区电性连接。漏极掺杂区，设于衬底中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区与漏极掺杂区之间；第一漏电极设于漏极掺杂区上，第一漏电极的底部与漏极掺杂区电性连接。本发明极大地提高了器件的雪崩能力，消除了衬偏效应。
-
公开(公告)号：CN119008707A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411100970.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/66 , H01L29/06
Abstract: 一种常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法，器件包括在N型衬底上生长N型漂移区，在N型漂移区内有第一、第二P型阱掺杂区与第一N型阱掺杂区，其中分别有第一、第二P型高掺杂注入区与第二N型高掺杂注入区，在第一与第二P型阱掺杂区间有第一N型高掺杂注入区并形成背靠背的PN结，在N型漂移区上方形成氧化介质引出金属源、漏、栅电极，第一N型高掺杂区下方形成有特征结构，其中包含第一、第二P型埋层，并与第一、第二P型阱掺杂区形成常关型特征左、中、右沟道；方法是在N型衬底上生长外延层，在外延层中进行离子注入形成不同类型低掺杂阱，在不同类型阱中分别离子注入形成高掺杂区域，高温热退火后，生长层间介质并刻蚀、淀积引出电极。
-
公开(公告)号：CN118645534A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410842839.3
申请日：2024-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L23/373 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 为提高器件的单粒子效应触发电压，本发明提供一种抗辐照的碳化硅LDMOS器件及制备方法，器件包括衬底、外延层，沟道掺杂区、沟道注入区、沟道欧姆接触区、源极掺杂区及漏极掺杂区，金属沟槽，栅氧介质层，多晶硅、层间介质及源、漏金属电极。漏极掺杂区在器件表面横向上呈长短不一的矩形台阶状分布，增大了漏极掺杂区与外延层的接触面积，分散漏极电流。金属沟槽置于漏极掺杂区横向较短的区域以下，将电流吸引至包裹金属沟槽的漏极掺杂区处，避免电流在器件表面集中。方法是获取衬底，生长外延层，刻蚀沟槽，离子注入形成不同类型掺杂区，生长栅氧介质层，淀积多晶硅，淀积层间介质并刻蚀，淀积金属并刻蚀形成金属沟槽及金属电极。
-
公开(公告)号：CN117995906A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410147596.1
申请日：2024-02-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件的导电沟道结构、全集成碳化硅器件及其全集成制备工艺。全集成碳化硅器件同一碳化硅基芯片上设置由隔离机构隔离的低压区、第一二高压区并集成第一二导电类型MOS器件，第一、二导电类型器件分别采用第一、二导电类型导电沟道即在第一或二导电类型下层沟道区，其上是n型p型相间的第一或二导电类型片区。制备工艺包括在N型衬底依次层叠第二导电类型外延层和缓冲层，在第二导电类型缓冲层内设第一导电类型阱区、重掺杂区、沟道区和第二导电类型阱区、隔离结构、重掺杂区、沟道区，再设栅极氧化层、场效应氧化层、多晶硅栅极和在场效应氧化层上设金属电极的步骤。本发明具有耐压高、沟道电阻低的优点。
-
公开(公告)号：CN117995534A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211333545.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件，所述隔离变压器包括：下线圈；主介质层，覆盖所述下线圈；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上线圈，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117870730A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410015675.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有自适应误差校准的磁编码器，可用于测量旋转角度的磁编码器。设计该磁编码器的过程包括：在径向充磁圆柱形磁铁周围均匀环绕排布六个霍尔传感器；使用互补等边三角测量算法将六路霍尔传感器信号合并为三路信号；基于双dq变换软件锁相环分别提取输入信号的相位，基波、二次谐波的正序分量和负序分量；重构输入信号的直流分量，基波分量和二次谐波分量，并将其补偿至信号输入端；对锁相环输出相位进行后验校正。最终可以得到无直流分量，谐波分量，幅值偏差和相位偏差干扰的旋转角度。
-
公开(公告)号：CN117080700A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311189732.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开了一种应用于毫米波及太赫兹通信的双频段MEMS滤波器，属于射频通信领域，提出一种基于电压控制MEMS单刀双掷开关的双频段滤波器，整体均采用MEMS工艺进行加工和装配，在保证了加工便捷性，阻抗匹配的同时使得传输损耗和整体尺寸大大减小。该结构滤波器具备强大的可扩展性，通过开关的选择功能以及性能优异的脊状波导转接口，可接入更多的滤波器模块以实现多频段滤波器的功能。
-
公开(公告)号：CN112951923B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110337941.4
申请日：2021-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件，该方法引入一个电压偏置管，使碳化硅LDMOS在正向导通时漂移区表面电子浓度增大，单个电子被漂移区上方氧化层表面陷阱俘获的概率降低，电子迁移率提高；器件包括P型衬底，P型衬底上有P型隔离层将器件分为LDMOS和电压偏置管。LDMOS包括第一N型漂移区、第一源区、第一漏区、栅氧化层和多晶硅栅，其特征在于，栅氧化层上有4块相互分离的多晶硅场板。电压偏置管包括第二N型漂移区、第二源区、第二漏区，第二N型漂移区内有4个N+注入层。所述多晶硅栅与第二源区连接，第一漏区与第二漏区连接，4个多晶硅场板分别与4个N+注入层连接。
-
公开(公告)号：CN107910326B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711031515.8
申请日：2017-10-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路。自举结构包括兼做高低压隔离结构衬底的第一掺杂类型衬底、兼做漂移区的第二掺杂类型漂移区及兼做衬底接触阱的第一掺杂类型衬底接触阱，在第一掺杂类型衬底接触阱内设有作为衬底接触电极的第一掺杂类型接触区，在第二掺杂类型漂移区上分别设有自举结构正电极和自举结构负电极，自举结构正电极为设在第二掺杂类型漂移区内的一个第二掺杂类型接触区，自举结构负电极为设在第二掺杂类型漂移区内的另一个第二掺杂类型接触区，自举结构正电极与第一掺杂类型接触区相邻。自举电路包括自举结构和自举电容，在自举结构正电极上连接有二极管，自举电容与自举结构负电极连接。
-
公开(公告)号：CN110729345A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910933319.2
申请日：2019-09-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件，具备：P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型体区内并肩设有呈方波形状的重掺杂的N型发射极区和重掺杂的P型发射区，在其两侧分别设有呈方波形状的第一纵向沟槽和第二纵向沟槽。第一纵向沟槽设有由耐压介质包裹的第一多晶硅层。对于第二纵向沟槽，在与重掺杂的P型集电极区平行的部分中填充有耐压介质包裹的第二多晶硅层，在位于由重掺杂的N型发射极区指向重掺杂的P型集电极区方向上的部分中填充有耐压介质包裹的第三多晶硅层和氧化物块体，且氧化物块体位于第三多晶硅层的上方，第二多晶硅层与第三多晶硅层连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.054 seconds)
