公开(公告)号：CN112951923B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202110337941.4

申请日：2021-03-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  崔汪明 ,  马杰 ,  祝靖 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 一种提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件，该方法引入一个电压偏置管，使碳化硅LDMOS在正向导通时漂移区表面电子浓度增大，单个电子被漂移区上方氧化层表面陷阱俘获的概率降低，电子迁移率提高；器件包括P型衬底，P型衬底上有P型隔离层将器件分为LDMOS和电压偏置管。LDMOS包括第一N型漂移区、第一源区、第一漏区、栅氧化层和多晶硅栅，其特征在于，栅氧化层上有4块相互分离的多晶硅场板。电压偏置管包括第二N型漂移区、第二源区、第二漏区，第二N型漂移区内有4个N+注入层。所述多晶硅栅与第二源区连接，第一漏区与第二漏区连接，4个多晶硅场板分别与4个N+注入层连接。

公开(公告)号：CN112951923A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110337941.4

申请日：2021-03-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  崔汪明 ,  马杰 ,  祝靖 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 一种提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件，该方法引入一个电压偏置管，使碳化硅LDMOS在正向导通时漂移区表面电子浓度增大，单个电子被漂移区上方氧化层表面陷阱俘获的概率降低，电子迁移率提高；器件包括P型衬底，P型衬底上有P型隔离层将器件分为LDMOS和电压偏置管。LDMOS包括第一N型漂移区、第一源区、第一漏区、栅氧化层和多晶硅栅，其特征在于，栅氧化层上有4块相互分离的多晶硅场板。电压偏置管包括第二N型漂移区、第二源区、第二漏区，第二N型漂移区内有4个N+注入层。所述多晶硅栅与第二源区连接，第一漏区与第二漏区连接，4个多晶硅场板分别与4个N+注入层连接。