公开(公告)号：CN119300432A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411378111.6

申请日：2024-09-30

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 马杰 ,  张龙 ,  彭麒维 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋

IPC: H10D30/83 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/17

Abstract: 一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法，器件包括在N型衬底上生长P型外延与N型漂移区，在N型漂移区内有P型埋层，第一，第二P型阱掺杂区，第一N型阱掺杂区，第一与第二N型高掺杂区，第一与第二P型高掺杂区，在第二P型高掺杂区内有氧化层与辅助反型金属，在N型漂移区上方设有氧化层介质，刻蚀氧化层介质引出源、漏、栅金属电极。制备方法包括获取衬底，衬底上生长外延层，外延层上生长漂移区，高能离子注入形成P型埋层，在漂移区中进行离子注入形成不同类型掺杂阱与高掺杂，在第二P型阱掺杂区刻蚀生长氧化层淀积反型辅助金属电极并构成拓展导电结构，生长层间介质，刻蚀，淀积金属形成源、漏、栅电极。

公开(公告)号：CN119008707A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411100970.9

申请日：2024-08-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 马杰 ,  张龙 ,  彭麒维 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06

Abstract: 一种常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法，器件包括在N型衬底上生长N型漂移区，在N型漂移区内有第一、第二P型阱掺杂区与第一N型阱掺杂区，其中分别有第一、第二P型高掺杂注入区与第二N型高掺杂注入区，在第一与第二P型阱掺杂区间有第一N型高掺杂注入区并形成背靠背的PN结，在N型漂移区上方形成氧化介质引出金属源、漏、栅电极，第一N型高掺杂区下方形成有特征结构，其中包含第一、第二P型埋层，并与第一、第二P型阱掺杂区形成常关型特征左、中、右沟道；方法是在N型衬底上生长外延层，在外延层中进行离子注入形成不同类型低掺杂阱，在不同类型阱中分别离子注入形成高掺杂区域，高温热退火后，生长层间介质并刻蚀、淀积引出电极。