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公开(公告)号：CN105634279B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610179693.4
申请日：2016-03-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种提高单电感多输出电源变换器负载瞬态响应的方法，在现有单电感多输出电源变换器的基础上，在各输出支路中的次级功率开关管的源、漏极之间增设负载电流采样网络，直接检测各输出支路开关管上的电流变化来体现负载电流的变化，并作为前馈电流及时地将任一路负载电流的变化反映到次环各支路的控制电路中，快速调节占空比，实现快速响应，减小输出电压的纹波，避免系统的不稳定性。
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公开(公告)号：CN107359876A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710497938.2
申请日：2017-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种适用于双端SAR-ADC的DAC电容阵列及对应的开关切换方法，该电容阵列包括比较器和电容阵列，比较器的输入端P端和N端分别连接正输入Vip和负输入Vin，从正、负输入分别至P、N端依次设有第一最高位电容C1-1、第二最高位电容C1-2和非二进制电容阵列；所有电容的上极板均接到输入电平，第一最高位电容和第二最高位电容的下极板接GND，其余电容的下极板均接参考电平Vref。该电容阵列将最高位电容拆分为两部分，一部分作为新的最高位电容，一部分与原本的二进制电容阵列结合，形成非二进制电容阵列；对应的开关切换方法通过重复动作已经切换的电容，防止比较器的共模持续下降。
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公开(公告)号：CN106024910A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610363983.4
申请日：2016-05-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329
CPC classification number: Y02P70/605 , H01L29/8618 , H01L29/6609 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 一种鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法，包括N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内设有柱状第二P型体区，在N型外延层的顶部设有第一P型体区且区位于两柱状第二P型体区之间，其表面设有N型重掺杂源区和P型重掺杂半导体接触区，在N型重掺杂源区、P型重掺杂半导体接触区和第二P型体区上连接有源极金属，在第一P型体区的两侧分别设有多晶硅栅，柱状第二P型体区止于多晶硅栅的下表面，且柱状第二P型体区低于第一P型体区，在多晶硅栅与第一P型体区、N型外延层及第二P型体区之间设有栅氧化层，在多晶硅栅与源极金属之间设有绝缘层，并且，栅氧化层使第一P型体区与第二P型体区相互分离。
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公开(公告)号：CN103687249B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410001988.3
申请日：2014-01-03
Applicant: 东南大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种LED调光控制电路，主结构是一个反激变换器，包括NMOS管Q1，直流变压器T1、续流二极管D1、电解电容C1、C2，用两种不同频率的PWM2驱动信号同时控制主功率管Q1的通断，同时控制LED串电流的占空比和电流水平，分别实现PWM调光和模拟调光，其中，通过改变高频PWM2驱动信号占空比来改变LED串电流的幅度，实现PWM调光，通过改变低频PWM2驱动信号的占空比来改变LED串电流的占空比，实现模拟调光，由两种调光模式共同实现LED串的精确调光。
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公开(公告)号：CN103051198B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310016516.0
申请日：2013-01-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种交错并联反激驱动电源，设有两路并联的单级反激驱动电源以及输出电容Cout、采样电阻R、反馈环路和LED负载，将两路单级反激驱动电源并联起来，只需要在主变压器上面增加一组辅助绕组，不需要过多的外围电路和特殊的控制方法，就能够简单的实现交错并联控制，能够很大程度上和实现改善单级反激变换器的缺点，如开关管的电流应力大、开关电流纹波大、EMI干扰严重、输出功率低。本发明电路能够提高反激电源的应用范围，为以后反激电源的发展奠定坚实的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103687249A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201410001988.3
申请日：2014-01-03
Applicant: 东南大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种LED调光控制电路，主结构是一个反激变换器，包括NMOS管Q1，直流变压器T1、续流二极管D1、电解电容C1、C2，用两种不同频率的PWM2驱动信号同时控制主功率管Q1的通断，同时控制LED串电流的占空比和电流水平，分别实现PWM调光和模拟调光，其中，通过改变高频PWM2驱动信号占空比来改变LED串电流的幅度，实现PWM调光，通过改变低频PWM2驱动信号的占空比来改变LED串电流的占空比，实现模拟调光，由两种调光模式共同实现LED串的精确调光。
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公开(公告)号：CN103269321A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310141658.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 东南大学
IPC: H04L25/02
Abstract: 本发明公开了一种单载波频域均衡系统中基于独特字的信道估计方法，包括帧结构设计、噪声方差估计和信道频率响应估计三部分；在帧结构设计时，将一个以上数据块组成一个长帧，在每个长帧中插入一段由若干UW构成的UW序列；在信道估计时，首先利用LS算法求出每个子信道的频率响应，通过IDFT/FFT回到时域，根据超出循环前缀长度的信道脉冲响应值，估计出噪声方差，然后对信道脉冲响应进行降噪处理，最后经过DFT/FFT变换到频域，估计出信道频率响应。本发明提供的单载波频域均衡系统中基于独特字的信道估计方法，针对慢衰落信道的特点，对传统的SC-FDE帧结构进行改进，并在此基础上对基于DFT的信道估计算法进行改进，同时估计出信道的频率响应和噪声方差，提高算法的性能。
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公开(公告)号：CN103197722A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310109668.5
申请日：2013-03-29
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路，基于传统带隙基准电压电路，设有PNP三极管Q1和Q2，PMOS管M1、M2和M3，运算放大器OP，电阻R1、R2、R3、R4；其特征在于：将上述传统的带隙基准电压电路加以改进，将去掉电阻R1、R3，在运算放大器OP的同相输入端及运算放大器OP的反相输入端与PMOS管M3的漏极之间分别增设电阻R5及R6，R5=R6。本发明电路在电源电压和三极管Q1、Q2偏置电流均相同的条件下，输出基准电压为1V时所消耗的总静态功耗比传统结构降低了约70%。
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公开(公告)号：CN103117307A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310025337.3
申请日：2013-01-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N-阱，在N-阱的内部设有N阱和P阱，在N阱内设有N型体接触区和P型源区，P阱内设有P型漏区，在N-阱、N阱和P阱的表面设有场氧化层，在场氧化层的表面设有多晶硅栅，在N型体接触区、P型源区、多晶硅栅、场氧化层和P型漏区的表面设有钝化层，在P型漏区和部分场氧化层的下方设有P-阱，所述P-阱底端穿过P阱且与埋氧化层相接。这个结构能够有效地抑制kirk效应的影响，降低P型漏区电场，从而提高器件的开态击穿电压和泄放电流的能力。
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公开(公告)号：CN103078530A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210589729.8
申请日：2012-12-29
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 一种快速瞬态响应的数字功率因数变换器，设有EMI滤波器、整流电路、Boost型变换器功率级主拓扑结构、两个分压单元、三个A/D采样转换单元、预测控制单元、PID控制单元、占空比修正单元和数字脉冲调制器，交流电压AC连接EMI滤波器的输入端，EMI滤波器的输出端与整流电路的输入端连接，第二分压单元的输入端连接整流电路的输出端也是主拓扑结构的输入端，第一分压单元的输入端与主拓扑的输出端连接，三个A/D采样转换单元的输出端分别连接预测控制单元，输出信号和参考电压信号Vref比较后输出电压误差信号和输出电压误差偏差信号至PID控制单元，占空比修正单元的输出信号与PID控制单元的输出信号相乘后连接数字脉冲调制器，数字脉冲调制器的输出端连接主拓扑结构中MOS管Q的栅极。
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