-
公开(公告)号：CN104034603A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410242784.9
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明提供了一种测量绝缘衬底上薄膜硅材料杨氏模量测试结构及方法。该测试结构由两组结构构成，其中第一组结构由一个多晶硅悬臂梁(101)、一个薄膜硅悬臂梁(103)和一个由薄膜硅制作的垫板(102)组成；第二组结构由一个多晶硅悬臂梁和一个薄膜硅制作的垫板组成。实际测量薄膜硅杨氏模量的单元是薄膜硅悬臂梁，而这两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅悬臂梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅悬臂梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅悬臂梁弯曲到测试挠度所需要的力，由力、测试挠度和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的杨氏模量。
-
公开(公告)号：CN104034575A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410243664.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种测量绝缘衬底上薄膜硅材料泊松比的测试结构及方法。该测试结构由两组结构构成，其中第一组结构由一个多晶硅悬臂梁(101)、一个薄膜硅十字梁(103)和一个由薄膜硅制作的垫板(102)组成；第二组结构由一个多晶硅悬臂梁和一个薄膜硅制作的垫板组成；实际测量薄膜硅泊松比的单元是薄膜硅十字梁，而两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅十字梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅十字梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅十字梁扭转到测试角度所需要的力，由力、测试角度、杨氏模量和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的泊松比。
-
公开(公告)号：CN103064261B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210538668.2
申请日：2012-12-13
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G06F17/5009 , G03F7/20 , G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶刻蚀过程中表面演化模拟的哈希快速推进方法，包括：衬底网格化和确定刻蚀速度矩阵，网格点时间值初始化，构建哈希表和最小堆，向前推进并更新，重复上述步骤直到最小根节点的时间值不小于预设的光刻胶刻蚀（光刻胶显影）时间。本发明根据快速推进模拟方法只计算窄带网格点的特性，引入哈希表并设计了一种专门的数据结构来保存窄带网格点的数据信息；并根据刻蚀表面推进的单向性，复用刻蚀速度数组来保存已经经过的网格点的时间值，同时利用复用值的符号来区分不同网格点的状态；同时建立一个回收哈希表节点的队列，用于快速推进模拟方法申请空间时直接从队列中提取，避免系统频繁申请释放空间的过程，节省了模拟所需时间。
-
公开(公告)号：CN102701146A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210177975.2
申请日：2012-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明公开了一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置，包括绝缘衬底和三个测试单元，每个测试单元包括磷硅玻璃层和四探针多晶硅电阻测试桥，磷硅玻璃层固定于绝缘衬底顶面；磷硅玻璃层被刻蚀成相互平行的凹槽，在凹槽间形成台阶；多晶硅电阻条爬越磷硅玻璃层上的台阶；第一测试单元中，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴方向平行；第二测试单元和第三测试单元中，四探针多晶硅电阻测试桥的数量均为两个，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴之间分别形成β1夹角和β2夹角。该在线同步测试装置利用多晶硅爬越由磷硅玻璃制造的多个台阶，通过对三组五个多晶硅电阻的测试，进而实现磷硅玻璃和多晶硅厚度的测试。
-
公开(公告)号：CN102589965A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210005078.3
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅泊松比在线测试结构，包括绝缘衬底、非对称的多晶硅十字梁、第一多晶硅下极板和第二多晶硅下极板，并通过静电力驱动的方式使非对称的多晶硅十字梁发生偏转，从而根据几何关系和材料力学原理获得多晶硅材料的泊松比参数。本发明通过激励电压所产生的静电力使测试结构发生转动，通过结构设计使最大扭转角成为已知量，并根据测试结构达到最大扭转角时的激励电压测量值，以及已知的结构几何参数和物理参数计算得到多晶硅材料的泊松比，因而测试设备要求低，且测试方法简单，测试过程及测试参数值稳定。多晶硅加工制备过程与后续微机电器件（MEMS）的制造同步进行时，没有特殊加工要求，完全符合在线测试的要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101776849A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010120161.6
申请日：2010-03-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 厚胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布模拟方法解决目前传统的基于标量衍射理论的光强分布模拟方法无法模拟SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布的问题。a、基于光学标量衍射理论的菲涅耳-基尔霍夫衍射积分方程，利用紫外光斜入射的旁轴近似技术来处理这个积分方程，推出了适合SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强计算模型；b、背面斜入射紫外光的光强计算模型中，综合考虑了背面斜入射紫外光在空气/掩模版、掩模版/SU-8胶界面的反射与折射，以及背面斜入射紫外光在SU-8胶内的衰减等因素，高精度地模拟SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布；满足以上两个条件的方法即该视为该SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布模拟方法。
-
公开(公告)号：CN100339947C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200510038643.6
申请日：2005-04-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法是一种用于薄膜淀积过程模拟的薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法，其方法是a、采用元胞自动机方法计算表面元胞的淀积速率，将淀积速率的计算简化为对一系列直线上的元胞单元材料性质的测试：b、薄膜淀积过程模拟过程中，采用元胞自动机方法进行薄膜边界计算与淀积速率计算，实现薄膜边界计算与淀积速率计算方法的完全耦合：满足以上两个条件的方法即视为该薄膜淀积过程模拟的薄膜边界、淀积速率计算的元胞自动机耦合方法。统一采用元胞自动方法完成薄膜边界计算和淀积速率的计算，可以快速、精确地模拟薄膜淀积过程。
-
公开(公告)号：CN1634759A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200410066051.0
申请日：2004-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 薄膜二维淀积过程模拟的边界元胞自动机方法提供了一种用于薄膜二维淀积过程模拟的边界元胞自动机方法，该方法采用二维的摩尔邻域，在一个薄膜的淀积过程中，根据薄膜淀积过程中不断变化的衬底表面形貌确定各个时间步长时对应的淀积速率，并采用次级时间步长值确定圆形惠更斯波的产生过程；将一个元胞在某一时间步长内被完全淀积后的剩余时间加到下一时间步长用于淀积其相邻元胞，并确定这个元胞的所有邻域内元胞的状态与该元胞的剩余时间值的关系。解决已有薄膜二维淀积过程模拟边界方法难以同时达到初始条件简单、精度高、速度快的要求的问题。可以快速、高精度地模拟薄膜淀积过程，并可以方便地描述由于工艺缺陷产生的复杂边界条件。
-
公开(公告)号：CN1605940A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410065791.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法，采用三维的摩尔邻域，计算某一个元胞的刻蚀过程时，考虑6个相邻元胞和12个对角邻元胞对其刻蚀过程的影响，忽略8个点相邻元胞对其刻蚀过程的影响，制定规则确定模拟运算过程中不断更新的表面元胞，使得模拟过程中只需要计算表面元胞的刻蚀过程；一个元胞在某一时间步长内被完全刻蚀后，这一时间步长还可能有剩余时间，不忽略这些剩余时间，将这一剩余时间加到下一时间步长用于刻蚀其相邻元胞，且在计算表面元胞的剩余时间值时考虑该表面元胞的所有邻域内元胞的状态；本发明解决已有光刻胶刻三维刻蚀过程模拟方法难以同时达到稳定性、模拟速度和精度要求的问题。
-
公开(公告)号：CN1529172A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310106002.0
申请日：2003-10-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种用于微电子机械的微重力加速度级电容式加速度传感器，由支撑边缘，由电容动极板及电容定极板构成的电容器和质量块组成，在支撑边缘和电容器上均设在锚区，设在支撑边缘上的锚区通过悬臂梁与设在电容器上的锚区相连，电容器动极板由浓硼重掺杂可动下电极和多晶硅可动上电极组成，在浓硼重掺杂可动下电极和多晶硅可动上电极之间设有可动极板锚区，电容定极板固定与支撑边缘上并位于浓硼重掺杂可动下电极和多晶硅可动上电极之间，质量块为多晶硅质量块并设在浓硼重掺杂可动电极上。本发明减小质量块的质量，但不改变敏感电容的大小，采用简单的加工工艺，多晶硅固定电极刚度就能满足传感器闭环控制的需要。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
134
records
(took 0.023 seconds)
