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公开(公告)号：CN101044258A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580035895.1
申请日：2005-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/14 , C23C14/06 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/2855 , C23C14/046 , C23C14/3471 , H01J37/34 , H01J2237/3327 , H01L21/76844 , H01L21/76865 , H01L21/76871 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
Abstract: 本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。
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公开(公告)号：CN112447481B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202010861892.X
申请日：2020-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够监视在实施等离子体处理的期间沉积于等离子体生成空间的膜的膜厚的技术。本发明的一方式的等离子体处理装置包括：处理容器；配置于上述处理容器的内部的与高频电源连接的第1电极；与上述第1电极相对地配置在上述处理容器的内部的接地的第2电极；以及与上述第1电极和上述第2电极的至少一个电极连接的膜厚计算部，其计算沉积于上述至少一个电极的膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN112309817B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202010716759.5
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视使用金属窗的电感耦合型的等离子体处理装置中等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：主体容器；一个或多个高频天线，所述一个或多个高频天线用于使所述主体容器的内部的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体；多个金属窗，所述多个金属窗配置于所述等离子体生成区域与所述高频天线之间，所述多个金属窗与所述主体容器绝缘，并且所述多个金属窗彼此绝缘；以及等离子体检测部，其与所述多个金属窗的各个金属窗连接，用于检测生成的等离子体的状态。
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公开(公告)号：CN111696844B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202010150236.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
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公开(公告)号：CN112449473B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202010861394.5
申请日：2020-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置、等离子体处理装置和控制方法。本发明的一方式的等离子体探测装置包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件，安装在形成于处理容器的壁的开口部；和透光部，其设置于所述天线部的内部或者是所述天线部的至少一部分，能够使所述真空空间中生成的等离子体的发出光透射到所述大气空间。根据本发明，能够高精度地监视等离子体生成空间中的自由基密度。
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公开(公告)号：CN115696713A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210808444.2
申请日：2022-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体源和等离子体处理装置。等离子体源具有：第1腔室，构成为形成扁平的第1等离子体生成空间，并具有构成第1腔室的多个壁中的面积最大且相对的第1壁和第2壁；气体供给部，构成为能够向第1腔室内供给气体；电磁波供给部，在设置于第1壁的开口具有面向第1等离子体生成空间设置的电介质窗，并构成为能够经由电介质窗向第1腔室内供给电磁波；等离子体供给部，向第1腔室的外部供给等离子体中所含的自由基，该等离子体是利用电磁波从供给到第1腔室内的气体生成的等离子体；和等离子体点火源，在第1腔室内从与电介质窗相对的第2壁的内壁突出，并与电介质窗隔开间隔地设置。根据本发明，能够使等离子体的点火变得容易。
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公开(公告)号：CN114107950A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110949684.X
申请日：2021-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够以短间隔且均匀性高地对基片实施低损伤的ALD处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线组件，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，作为相控阵天线发挥功能；对天线组件输出电磁波的电磁波输出部；在处理空间中载置基片的工作台；气体供给部，其对处理空间供给用于进行ALD成膜的气体；以及控制部，控制部控制从气体供给部的气体的供给以实施ALD成膜，并且进行控制以使得天线组件作为相控阵天线发挥功能而在处理空间中局域化的等离子体高速地移动。
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公开(公告)号：CN113871281A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110689591.8
申请日：2021-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在气体供给管从构成喷淋头的上部电极的中央向上方延伸的等离子体处理装置中，提高通过电磁波在腔室内生成的等离子体的密度的分布的均匀性。公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承部、喷淋头、气体供给管、导入部以及电磁波的供给路。喷淋头由金属形成，设置于基板支承部的上方，提供朝向腔室内的空间开口的多个气体孔。气体供给管由金属形成，在腔室的上方沿铅垂方向延伸，并与喷淋头的上部中央连接。导入部由电介质制成，并沿喷淋头的外周设置，以将电磁波从该导入部导入腔室内。供给路包括与气体供给管的环状的凸缘部连接的导体。
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公开(公告)号：CN109982500B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201811532348.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，具有能够使等离子体密度增加的构造。该微波等离子体处理装置具有：微波供给部，其供给微波；微波辐射构件，其设置在处理容器的顶壁之上，辐射从所述微波供给部供给的微波；以及包括电介质的微波透过构件，其以封闭所述顶壁的开口的方式设置，并且使经由所述微波辐射构件而通过了缝隙天线的微波透过，其中，在将从所述顶壁的开口透过所述微波透过构件而在该顶壁的表面传输的微波的表面波的波长设为λsp时，在所述顶壁的比所述开口靠外侧的位置形成深度处于λsp/4±λsp/8的范围内的凹部。
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公开(公告)号：CN109473332B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811043173.6
申请日：2018-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种利用通过微波生成的气体等离子体在处理容器的内部对被处理体进行处理的等离子体处理装置，其包括：从微波导入部导入微波的所述处理容器的微波导入面；和多个气体排出孔，其以包围所述微波导入部的方式以规定间隔配置在从所述微波导入面和与该微波导入面邻接的上述处理容器的面的边界线起表皮深度的范围内。本发明的目的在于防止由微波的表面波导致的异常放电。
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