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公开(公告)号：CN101559547A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910049002.9
申请日：2009-04-09
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种纳米技术领域中的适用于超声纳米焊接中焊头与样品的平行度调节方法。本发明通过在样品下方放置弹性胶垫，利用弹性胶垫的弹性形变特性，实现自动补偿焊头和样品之间的微小倾角，使得焊头与样品完全接触，确保超声能量有效均匀地施加在整个焊接区域，从而提高纳米电子器件的焊接质量。同时，该方法还具有利用弹性胶垫保护样品的作用，使得样品免于因为受力不均而产生变形乃至破损等。本发明在超声纳米焊接领域具有重要应用，特别是可以使得纳米材料在大面积范围内均匀焊接，实现纳米材料超声焊接的规模化。
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公开(公告)号：CN100480169C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510030128.3
申请日：2005-09-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种碳纳米管微图形化方法，属于微纳电子技术、光电子技术和微细加工技术领域。本发明包括以下步骤：(1)碳纳米管膜的制备。(2)在碳纳米管膜上面形成反应离子刻蚀中的掩膜层，根据具体应用要求掩膜层的成分、厚度的选择及其加工工艺分为三种情况：①正胶掩膜层；②负胶掩膜层；③金属掩膜层。(3)反应离子刻蚀碳纳米管，形成碳纳米管图形。(4)去除掩膜层。本发明更好地适应各种不同成分和成膜方法形成的碳纳米管膜的图形化，同时充分利用微电子工艺的高精度图形化优势的碳纳米管图形化技术方案。
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公开(公告)号：CN101101874A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710043745.6
申请日：2007-07-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种属于微细加工技术领域的刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法。具体包括如下步骤：(1)沉积氮化铝薄膜；(2)制备微掩模图形；(3)对氮化铝薄膜进行图形化：置入等离子体刻蚀真空腔中，产生氟基混合气体等离子体，利用物理轰击、化学反应或者两者综合作用对非图形区域的氮化铝薄膜进行刻蚀；(4)去除掩模层。本发明可以对微器件中的氮化铝薄膜进行高质量的图形加工，其优势在于图形质量高、对器件中的金属电极无腐蚀性、反应产物对环境友好。
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公开(公告)号：CN1808111A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510112218.7
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 一种微电子技术领域的电离气体传感器微阵列结构。本发明包括：衬底、微电极阵列、微电极条单元、传感器单元，所述的微电极阵列设置在衬底上，包括多个微电极条单元，每对相邻阴阳电极条构成侧壁电极对，可产生可控电场，从而构成一个传感器单元，多个传感器单元组成微电极阵列，依据各个传感器单元内的相邻阴阳电极条的平面几何形状与间距是否相同，传感器单元分为等同单元和相异单元。本发明适于微电子加工技术加工，可将电极形状、间距的多种组合集成在一个微阵列中，因此能对目标气体放电现象的不同电学特征进行系统检测，可以增加检测精度和准确度，易于形成高敏感性、选择性、稳定性、工作安全性和低能耗的微型传感器阵列系统。
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公开(公告)号：CN1792326A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510112217.2
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种传感器技术领域的微型人类呼吸传感器。本发明包括：衬底、微电极或者其阵列层，微电极或者其阵列层设置在衬底上，微电极或者其阵列层中，微电极或者其阵列的阴阳两极由空气间隔相互隔离。本发明灵敏度高，信噪比高，不需要接触人体，安全性、稳定性高，根据应用场合工作电压可以控制在几伏到几十伏，敏感单元核心能耗处于10－5瓦特数量级，结构简单，适于量产，易于阵列化且制造成本低。可以用于医疗、心理分析等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1606137A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410054208.8
申请日：2004-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/32 , H01L21/467 , H01L21/475 , C23F1/02
Abstract: 一种基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法，用于电子器件制造领域。本发明包括如下步骤：a.将单分散的无机纳米材料均匀排布在基底表面，形成纳米点、纳米线、纳米网状图形排列；b.以上述纳米阵列和图形作为掩膜，采用反应离子刻蚀和离子束刻蚀工艺，进行纳米图形和阵列的刻蚀，在基底表面形成纳米阵列图案；c.去除表面的纳米材料，获得纳米图形和阵列。本发明所采用的刻蚀工艺与传统工艺兼容，同时在刻蚀过程中以制备好的纳米材料作为掩膜，扩大了所能刻蚀的基底材料种类，而且使刻蚀工艺简化、图形方便可调，易于控制，本发明方法具有简单易行，效率高，表面的图形可控等特点，所制得的图形缺陷少，该方法适用范围广，便于推广和应用。
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公开(公告)号：CN1604258A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410067602.5
申请日：2004-10-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种形状记忆合金复合膜热触发器，用于微机械和电子控制器件领域。包括：形状记忆合金薄膜、硅偏置梁、硅固支框、触点、控制端口、间隔块、控制端口底座，其连接关系为：形状记忆合金薄膜沉积在硅偏置粱之上，硅偏置梁两端由硅固支框连接并支撑，触点位于硅偏置粱中心与控制端口相对应的位置上，硅偏置粱与控制端口间的距离由间隔块确定，控制端口和间隔块位于控制端口底座上。本发明运用形状记忆合金薄膜不仅可以与微机械工艺兼容，而且有效地改善了触发器的热响应特性。与其它此类触发器相比，本发明具有结构简单、输出位移和驱动力较大、温度敏感、体积小、易集成、适应于大阵列控制和大批量生产的显著优点。
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公开(公告)号：CN1170164C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02145280.6
申请日：2002-11-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种测量纳米级晶须材料杨氏模量的方法属于纳米技术领域。把生长好的样品放入一密闭的反应腔内，并通入惰性气体，在靠近载气源处往腔内放置一定量的单晶锗片；以氩气做载气通入反应腔内，并加热单晶锗片；对样品进行透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜测量；在图像上选取有明显弯曲的晶须，记录其几何曲线形状以及该晶须上悬挂锗球的个数和大小，获得每根晶须的受力情况和曲线图形；利用一段自由一端受力的悬臂梁模型进行计算；对每一根晶须做同样的处理和计算，最后给出统计平均值。本发明巧妙的利用蒸发锗球在杆状晶须样品上来获得材料受力弯曲的特征，不需要购置专门的设备，具有成本低工艺简单的特点。
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公开(公告)号：CN1487127A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03141669.1
申请日：2003-07-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种大量制备β－SiC纳米晶须的方法，属于纳米技术领域。本发明以二氧化硅粉和硅粉为主要原料，配料后，经高频感应加热发生硅热还原反应生成SiO，然后以碳纤维作为碳源，直接生成大量β－SiC纳米晶须。与现有技术相比，本发明具有方法简单，成本低廉，可以大规模制备出高质量β－SiC纳米晶须的特点。适合进行工业化生产，为国内外进一步开发利用β－SiC纳米晶须提供了一种良好的方法。
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公开(公告)号：CN103225862A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310113518.1
申请日：2013-04-02
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02B30/80
Abstract: 本发明公开了一种电离水蒸气产生负离子的装置，包括超声雾化加湿器、负高压电源以及设置在超声雾化加湿器的喷管内的两组相对应的多级尖端放电电极，所述两组多级尖端放电电极下端均设置有“U”型排水结构，所述负高压电源的负极线和地线分别与两组相对应的多级尖端放电电极电连接。本发明装置不会产生诸如氮的氧化物的这一类有害气体，同时也比仅依靠超声雾化作用来产生的负离子要高出至少一个数量级，并且可以杀死水雾中的细菌从而降低肺炎等疾病的潜在发病率。此外，接地极的电极对大粒径水雾表现出相对较大的收集现象，使水雾粒径更为细小均匀，可以改善水雾的加湿特性减轻由加湿器引起的空气混浊现象。
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