公开(公告)号：CN102898943A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210265400.6

申请日：2012-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳夏 ,  黄仁吾 ,  咸喆 ,  宋基镕 ,  朴秀袗 ,  朴成俊 ,  黄宇泽 ,  金明坤 ,  吴昇泽 ,  山姆·扎厄

IPC: C09D183/06 ,  C09D183/12 ,  C09D5/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  C09D5/1675 ,  G06F3/03547 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明公开了一种涂覆组合物、抗指印薄膜及电子产品。涂覆组合物包括硅烷低聚物，硅烷低聚物具有：R1基团，由作为式1的[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示，其中，Ra选自于由氢和具有1至3个碳原子的烷基组成的组，Rb选自于由具有5至20个碳原子的烷基、具有5至20个碳原子的烯基、具有5至20个碳原子的炔基、具有5至20个碳原子的芳基、具有6至20个碳原子的芳烷基、具有5至20个碳原子的环烷基和具有5至20个碳原子的杂烷基组成的组，p是1至12的整数；R2基团，由作为式2的(Rc)q表示，其中，Rc是具有3至20个碳原子的环烷基，q是1至3的整数。

公开(公告)号：CN1467729B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN03140958.X

申请日：2003-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安龙津 ,  朴仁植 ,  李坰根 ,  尹斗燮 ,  黄仁吾 ,  高祯完 ,  金成洙 ,  杨苍镇 ,  大塚达宏

IPC: G11B20/10 ,  G11B7/00

CPC classification number: G11B20/1426 ,  G11B7/0062 ,  G11B20/10009

Abstract: 提供一种用于在光学记录介质上记录数据的方法和设备。在该方法中，使用记录波形形成一个标记或一个空间，该记录波形包括DC记录模式，以及其中含有多脉冲的擦除模式。根据该方法，能够防止标记的失真和改善标记的形状，籍此增强记录/再现特性。

公开(公告)号：CN101300628A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680040836.8

申请日：2006-12-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  TDK株式会社

Inventor： 裴在喆 ,  金朱镐 ,  黄仁吾 ,  朴贤洙 ,  福泽成敏 ,  菊川隆 ,  小林龙弘

IPC: G11B7/125

CPC classification number: G11B7/005 ,  G11B7/1267

Abstract: 一种确定记录在光学记录介质上的标记的最佳再现条件的方法，其中，至少一个所述标记的长度小于拾取器的分辨率。所述方法包括：获得具有接近于拾取器的分辨率的长度的标记的最佳再现条件；和使用获得的最佳再现条件确定标记的最佳再现条件。

公开(公告)号：CN1993750A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026119.5

申请日：2005-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴在喆 ,  金朱镐 ,  黄仁吾

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2432

Abstract: 本发明公开了一种超分辨率信息存储介质、向该介质记录数据的方法和装置和/或从该介质再现数据的方法和装置，该超分辨率信息存储介质被设计为能够再现小于入射束的分辨率极限的信息记录标记，并包括：基底；记录层，形成在基底上，并具有由于入射束聚焦的部分的热分解而形成的记录标记；超分辨率层，利用熔点低于记录层的热分解温度的材料形成在记录层上。该超分辨率信息存储介质具有由熔点低于记录层的热分解温度的材料制成的超分辨率层，使得记录层不因采用读出束的重复的照射而受到不利的影响，从而提供了改进的读出性能。

公开(公告)号：CN1846261A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480025221.9

申请日：2004-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹斗燮 ,  金朱镐 ,  朴仁植 ,  黄仁吾 ,  金铉基

IPC: G11B7/26

Abstract: 本发明提供了一种用来制造信息存储介质的记录母盘及其制造方法。该记录母盘包括：母盘基底；吸热层，涂覆在母盘基底上并在被光束照射的部分处吸收热量；分离层，涂覆在吸热层上，其中，根据被光束照射的部分的温度分布，吸热层和分离层中的至少一层发生体积变化。由于这种结构，模子可容易地与转换层分离，可提供表面粗糙度低的记录母盘，并可制造高密度的信息存储介质。

公开(公告)号：CN1771545A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200580000264.6

申请日：2005-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉基 ,  黄仁吾 ,  金朱镐 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/252 ,  B82Y10/00 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/24 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/2534 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

Abstract: 本发明提供了一种超解析信息存储介质和使再现信号稳定的方法以及用于将数据记录在超解析信息存储介质上和/或从超解析信息存储介质再现数据的设备。在该信息存储介质上信息被记录为小于入射光束的分辨率的标记，该信息存储介质包括：基底；超解析层，形成在基底上并在入射光束聚焦的部分上产生热反应；相变层，形成在超解析层的上方或下方，并在再现记录标记前结晶。

公开(公告)号：CN1771540A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200580000173.2

申请日：2005-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金朱镐 ,  黄仁吾 ,  金铉基 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/005

CPC classification number: G11B7/1267

Abstract: 本发明提供了一种用于通过积极地检测根据超分辨率信息存储介质(SRISM)的反射率而变化的阈域，使用实际上适于再现的适当实际再现功率来再现记录在SRISM中的信息的方法和设备。从SRISM再现信息的方法包括：将光束发射到SRISM上，同时改变激光光束的再现功率，接收被SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号电平的变化；基于再现信号电平的变化，计算再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率；和基于参考再现功率设置实际再现功率。用于从SRISM再现信息的设备包括光学拾取单元和信号处理单元。该光学拾取单元包括光源和光电检测器，其中光源将具有一定范围的功率的光束发射到SRISM上，光电检测器接收从SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号；该信号处理单元根据被光源发射到SRISM上的光束的再现功率的变化来检测再现信号电平的变化，并基于再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率设置从光源发射的光束的实际再现功率。

公开(公告)号：CN1248763A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN99105101.7

申请日：1999-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哲雨 ,  赵虔皓 ,  申东镐 ,  徐仲彦 ,  郑承台 ,  相昞皓 ,  黄仁吾 ,  卢明道 ,  金伦基

IPC: G11B7/00

CPC classification number: G11B7/252 ,  B82Y10/00 ,  G11B7/122 ,  G11B7/1387 ,  G11B7/24 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/254 ,  G11B7/2542 ,  G11B2007/13725 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25716

Abstract: 一种利用光学拾取器对光学存储介质写或读信息的光学数据存储系统,该光学拾取器包括产生近场效应的固态浸没光学系统或透镜。光学存储介质的记录层设置在面向固态浸没光学系统或透镜的透光层表面的相对面上。透光层厚度大于一个所用光波长。在固态浸没光学系统或透镜和透光层的表面之间的间隙小于一个所用光波长。因此,空气间隙内和它与记录层之间的存储介质内反射的光束不会对记录层反射的光束起噪声作用。