公开(公告)号：CN221832948U

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202420195712.2

申请日：2024-01-25

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 黄凯

IPC: B08B5/02 ,  B08B13/00

Abstract: 本申请提供一种自动吹扫装置，涉及自动吹扫技术领域，该自动吹扫装置中包括接近开关、第一中间继电器、第一电磁阀以及第一执行气缸；其中，接近开关用于设置在待吹扫的预设工作台面，接近开关的电连接预设电源的正电源线，接近开关的另一端通过第一中间继电器的线圈电连接预设电源的负电源线，第一中间继电器的第一触点电连接预设电源的正电源线，第一中间继电器的第二触点电连接第一电磁阀的正电源端，第一电磁阀的负电源端电连接预设电源的负电源线，第一电磁阀的第一气路接口气路连接第一执行气缸的气路接口，第一电磁阀的第二气路接口均用于连接预设气源。本申请可以实现对台面的充分吹扫，避免因为撕膜台面吹扫不干净造成的连续碎片。

公开(公告)号：CN220895512U

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202322261030.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司 ,  东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张龙 ,  孙媛 ,  刘斯扬 ,  王成森 ,  周榕榕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请实施例提供一种氮化镓功率器件，涉及半导体器件结构技术领域。本氮化镓功率器件包括逐层设置的衬底、缓冲层、势垒层。势垒层的远离衬底的一面间隔设置有P型氮化镓层和漏极金属，P型氮化镓层的远离衬底的一面设置有栅极金属；在势垒层的远离衬底的一面，且在栅极金属和漏极金属之间，设置有钝化层；在钝化层和势垒层之间的部分区域，或在钝化层的远离势垒层的一面的部分区域，设置有高K介质层。高K介质层能起到将电极边缘或场板边缘的电场峰值降低的作用，获得更为均匀的电场分布，提高器件的耐压。