公开(公告)号：CN104538395B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201510008374.2

申请日：2015-01-08

Applicant: 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 赵建明 ,  徐开凯 ,  廖智 ,  黄平 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃 ,  陈勇 ,  夏建新

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n‑外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。

公开(公告)号：CN109166914A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810765325.7

申请日：2018-07-12

Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 黄平

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开的场阻型IGBT结构，包括一N漂移区域，该N漂移区域具有相对的正面结构和背面结构，所述正面结构中包含发射极和栅极，其特征在于，所述背面结构具有一层N型缓冲层和一层集电极层，所述集电极层覆盖在所述N型缓冲层上。本发明还公开了该穿通型IGBT结构的制作方法。本发明与现有技术相比，具有如下优点:(1)不再需要传统的高能离子注入和激光退火；(2)N型Ge和P型Ge的掺杂由材料工厂制作，不再需要掺杂工艺以及退火工艺；(3)掺杂浓度可以按照要求来调整；(4)N型Ge层和P型Ge层可以在同一台蒸发设备或者溅射设备里完成。

公开(公告)号：CN104078336B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201410312421.8

申请日：2014-07-02

Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 杨凡力

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/30

Abstract: 本发明公开的一种无衬底结构的功率器件制造工艺，由以下步骤组成：(1)制备产品晶圆和衬底晶圆；(2)在产品晶圆上形成一氢离子注入层；(3)在衬底晶圆上形成一层多孔硅氧化层；(4)将氢离子注入层表面贴在多孔硅氧化层表面上；(5)将产品晶圆的氢离子注入层以外的部分从氢离子注入层的层底处剥离掉,然后对剥离面进行抛光处理；(6)在氢离子注入层上加工出功率器件；(7)将衬底晶圆剥离下来形成无衬底结构的功率器件。本发明与现有技术相比的优点在于：(1)两次剥离保证所有的晶圆都不浪费；剥离下来的晶圆还可以重复使用。(2)制备的功率器件真正无衬底，最大限度降低功率器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN105826288A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610165481.0

申请日：2016-03-22

Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 黄平 ,  鲍利华 ,  张迪雄

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L24/26 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83

Abstract: 本发明公开的功率器件的CSP封装结构，该结构利用管芯与管芯之间的划片道和/或管芯四个角处的区域，用腐蚀或者划片的方法，将这些区域的外延层去掉，露出N+衬底，之后用溅射或蒸发的方法在芯片表面蒸镀一层金属以此将衬底的N+层引到表面，以此来实现CSP封装的要求。本发明的有益效果在于：有效地充分利用芯片的表面积，最大可能地降低功率器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN104538395A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510008374.2

申请日：2015-01-08

Applicant: 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 赵建明 ,  徐开凯 ,  廖智 ,  黄平 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃 ,  陈勇 ,  夏建新

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n-外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。

公开(公告)号：CN104505390A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201510008547.0

申请日：2015-01-08

Applicant: 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 赵建明 ,  徐开凯 ,  廖智 ,  黄平 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供了一种集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，它包括由若干个MOS单元一起构成的功率MOS结构，和由两组反向并联的二极管链构成的ESD保护结构，所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率MOS结构的栅极和源极两端；所述二极管链的开启电压大于功率MOS结构最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，且充当ESD防护的二极管单元设于n-外延上并且与MOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与MOS器件工艺相兼容。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，适用于大功率、高电压条件下对器件进行保护工作。

公开(公告)号：CN104051369A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410311847.1

申请日：2014-07-02

Applicant: 上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 杨凡力

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开的一种用于2.5D封装的中间互联层，包括基体，基体采用环氧树脂制成，在基体内设置有若干露出基体的铜柱或锡球，其制备方法包括如下步骤：(1)采用硅片或金属框架制成一衬底；(2)在衬底的指定区域内形成若干铜柱或锡球；(3)在衬底形成有铜柱或锡球这一面上采用涂覆或热压方法制备一层环氧树脂层，环氧树脂层淹没掉所述铜柱或锡球；(4)研磨环氧树脂层直至露出铜柱或锡球；(5)在环氧树脂层的研磨面上布线；(6)去掉衬底制成的中间互联层或者将需要倒装焊的管芯焊接在中间互联层的一个面上再去掉衬底。本发明与现有技术相比，采用环氧树脂等有机材料作为中间互联层，不需要TSV等复杂的工艺，加工工艺非常简单。

公开(公告)号：CN222775323U

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202421556382.1

申请日：2024-07-03

Applicant: 黄平 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

Inventor： 黄平

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供集成电路和功率器件的嵌入式封装结构，用于封装集成电路管芯和功率器件于树脂载板。集成电路管芯的压焊点在芯片的表面；功率器件的表面有压焊点，背面为其他电极。树脂载板表面有多个下沉凹槽，下沉凹槽的深度不一样以适应不同厚度的集成电路管芯和功率器件；埋入功率器件的下沉凹槽底部铺设延伸至树脂载板表面的导电层，功率器件的背面电极接触到所述导电层，通过下沉凹槽底部的导电层将背面电极引出连接到树脂载板的表面；集成电路表面各压焊点、功率器件表面电极、功率器件背面电极均在树脂载板表面，集成电路管芯与功率器件互连，且有与外部联通的导电体，树脂载板表面导电体第二导电体以外部分都由封装层包封。