公开(公告)号：CN111613721A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010103970.X

申请日：2020-02-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芦田拓也 ,  佐佐木智生 ,  柴田龙雄

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。

公开(公告)号：CN111512312A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880084232.6

申请日：2018-12-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田龙雄

IPC: G06G7/60 ,  G06N3/063 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明提供在应用于神经网络的情况下，能够抑制偏置项用元件的故障时的神经网络的性能降低的积和运算器。积和运算器(1)具备积运算部(10)、和运算部(11)，积运算部(10)具备多个可变输入用积运算元件(10A1A)、(10A1B)；多个固定输入用积运算元件(10A2A)、(10A2B)。多个可变输入用积运算元件(10A1A)、(10A1B)及多个固定输入用积运算元件(10A2A)、(10A2B)各自为电阻变化元件。积和运算器(1)具备：相对于多个可变输入用积运算元件输入可变信号的可变输入部(121A)、(121B)；相对于多个固定输入用积运算元件(10A2A)、(10A2B)与上述可变信号同步地输入给定的信号的固定输入部(122A)、(122B)。和运算部(11)具备检测来自多个可变输入用积运算元件(10A1A)、(10A1B)的输出及来自多个固定输入用积运算元件(10A2A)、(10A2B)的输出的合计值的输出检测器(11A)。

公开(公告)号：CN111512311A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880082896.9

申请日：2018-12-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田龙雄

IPC: G06G7/60 ,  G06N3/063 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明提供在应用于神经网络的情况下，能够正确地检测可能大幅损坏神经网络的性能的故障的积和运算器。积和运算器(1)具备积运算部(10)、和运算部(11)、故障判断部(12)，积运算部(10)具备多个积运算元件(10AA～10AC)，多个积运算元件(10AA)～(10AC)各自为电阻变化元件。和运算部(11)具备检测来自多个积运算元件(10AA)～(10AC)的输出的合计值的输出检测器(11A)。故障判断部(12)在输出检测器(11)检测的上述合计值超过规定值的情况下，判断为故障产生。上述规定值是在多个积运算元件(10AA～10AC)全部正常动作的情况下，输出检测器(11)能够检测的上述合计值的最大值以上的值。

公开(公告)号：CN109643690A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052563.7

申请日：2017-12-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  柴田龙雄

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的一个实施方式的磁壁利用型模拟存储元件具备磁化沿第一方向取向的磁化固定层(1)、设置于磁化固定层(1)的一面的非磁性层(2)、相对于磁化固定层(1)夹着非磁性层(2)设置的磁壁驱动层(3)、向磁壁驱动层(3)供给沿第一方向取向的磁化的第一磁化供给单元(4)及供给沿与第一方向相反的第二方向取向的磁化的第二磁化供给单元(5)，第一磁化供给单元(4)及第二磁化供给单元(5)中至少一方是与磁壁驱动层(3)相接且沿相对于磁壁驱动层(3)交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。

公开(公告)号：CN108780779A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780016326.5

申请日：2017-06-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田龙雄 ,  佐佐木智生

IPC: H01L21/8239 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供一种交换偏置利用型磁化反转元件。在该交换偏置利用型磁化反转元件中，具备：反铁磁性驱动层(1)，其由第一区域(1a)和第二区域(1b)及位于这些区域之间的第三区域(1c)构成；磁耦合层(2)，其在第三区域(1c)中与反铁磁性驱动层(1)磁耦合；第一电极层(5)，其与第一区域(1a)接合；以及第二电极层(6)，其与第二区域(1b)接合。

公开(公告)号：CN108738371A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201880000876.2

申请日：2018-02-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 及川亨 ,  佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  柴田龙雄

IPC: H01L29/82 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 该磁化反转元件具有：铁磁性金属层；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，上述铁磁性金属层位于上述自旋轨道转矩配线的一个面上，从上述自旋轨道转矩配线注入上述铁磁性金属层的自旋的方向相对于上述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，上述铁磁性金属层的阻尼常数大于0.01。