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公开(公告)号：CN119968099A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510128873.9
申请日：2021-05-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的磁畴壁移动元件及磁存储阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件从靠近基板的一侧起依次层叠有第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层，从层叠方向俯视，在沿着与所述第一铁磁性层延伸的第一方向正交的第二方向切断的切断面上，所述第一铁磁性层的所述第二方向的最短宽度比所述非磁性层的所述第二方向的宽度短。
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公开(公告)号：CN112654996B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201880097097.9
申请日：2018-09-27
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 柴田龙雄
IPC: G06G7/60
Abstract: 本发明提供一种积和运算器，其具有：多个第一积运算元件，其对与输入值对应的第一输入信号乘以权重来生成第一输出信号，并输出所述第一输出信号；以及和运算部，其在从由于所述第一输入信号的输入而产生的多个所述第一积运算元件各自的向寄生电容的充电所引起的过渡响应之后成为稳定状态的时刻，到由于所述第一输入信号的输入而产生的多个所述第一积运算元件各自的从所述寄生电容的放电所引起的过渡响应开始产生之后的时刻的运算期间，运算多个所述第一积运算元件各自输出的所述第一输出信号的总和。
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公开(公告)号：CN117813607A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202180100896.9
申请日：2021-06-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种驱动电路，其具备：负载电阻；可变电阻元件，其至少具有第一端子和第二端子，能够使电阻值变化；以及恒流源，其基于输入电压和所述可变电阻元件的电阻值，决定流过所述负载电阻的电流的大小，其中，将所述负载电阻的两端电压作为输出电压输出。
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公开(公告)号：CN110268515B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880002746.2
申请日：2018-01-12
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 柴田龙雄
IPC: H10B99/00 , H10N50/10 , H01L27/105
Abstract: 一种磁壁移动型磁记录元件，其中，具备：第一铁磁性层，其包含铁磁性体；磁记录层，其沿与所述第一铁磁性层的层叠方向交叉的第一方向延伸，并且包含磁壁；非磁性层，其夹持于所述第一铁磁性层和所述磁记录层之间，所述第一铁磁性层在所述第一方向的至少第一端部具有磁通供给区域。
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公开(公告)号：CN116602074A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180084198.4
申请日：2021-01-12
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 该磁阵列具有多个磁阻效应元件和对所述多个磁阻效应元件分别施加脉冲的脉冲施加装置，所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层和夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层，所述脉冲施加装置构成为能够对所述多个磁阻效应元件分别施加初始化脉冲和动作脉冲，所述初始化脉冲具有通过多次施加而使所述多个磁阻效应元件的电阻值的分布从初始分布扩展的第1脉冲，所述第1脉冲各自的电压比所述动作脉冲的电压小，或者所述第1脉冲各自的脉冲长度比所述动作脉冲的脉冲长度短。
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公开(公告)号：CN114497115A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111240536.7
申请日：2021-10-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 该神经形态器件具备第一元件组和第二元件组，所述第一元件组和所述第二元件组分别包含多个磁畴壁移动元件，所述多个磁畴壁移动元件分别具备磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹持于所述磁畴壁移动层和所述铁磁性层之间的非磁性层，属于所述第一元件组的各个所述磁畴壁移动元件的所述磁畴壁移动层的长边方向上的长度比属于所述第二元件组的各个所述磁畴壁移动元件的所述磁畴壁移动层的长边方向上的长度短，就输入了规定的脉冲时的电阻变化率而言，属于所述第一元件组的各个所述磁畴壁移动元件一方比属于所述第二元件组的各个所述磁畴壁移动元件大。
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公开(公告)号：CN112639797A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201880097093.0
申请日：2018-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: G06G7/60
Abstract: 本发明提供一种积和运算器，其具有：多个积运算部，其对与输入值对应的具有上升部、信号部和下降部的输入信号乘以权重来生成输出信号，并输出所述输出信号；和运算部，其运算多个所述积运算部各自输出的所述输出信号的总和；以及校正部，其执行基于包含第一值和第二值中的至少一者的校正值来校正所述输出信号的总和的校正处理，其中，所述第一值是通过由所述输入信号的所述上升部引起的流入多个所述积运算部的可变电阻中的电流而被并入于所述总和的值，所述第二值是通过由所述输入信号的所述下降部引起的流入多个所述积运算部的可变电阻中的电流而被并入于所述总和的值。
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公开(公告)号：CN112599660A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011039475.3
申请日：2020-09-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供能够使磁畴壁的动作稳定的磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件具备：配线层，其包括铁磁性体；非磁性层，其位于所述配线层的第一面上；第一导电层，其连接于所述配线层的所述第一面，并且包括铁磁性体；及第二导电层，其与所述第一导电层分隔，并且连接于所述配线层，所述第一导电层的连接面的第一部分与所述配线层直接连接，所述连接面的除了所述第一部分之外的第二部分经由所述非磁性层连接于所述配线层。
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公开(公告)号：CN118786532A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202280093097.8
申请日：2022-03-04
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 该神经形态器件具有多个成对元件、和控制多个成对元件的每一个的控制装置。多个成对元件分别具备第一磁阻效应元件、第二磁阻效应元件、和由第一磁阻效应元件与第二磁阻效应元件共用的读出电极。第一磁阻效应元件与第二磁阻效应元件分别具有参照层、磁记录层、非磁性层、和两个电极。读出电极遍及第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件的参照层而与其连接。在读出信号的特定的成对元件中，控制装置在第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件中使读出电流的流动方向相反，即，使读出电流从参照层朝向磁记录层流动，还是从磁记录层朝向参照层流动。
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