公开(公告)号：CN117434753A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311470225.9

申请日：2023-11-06

Applicant: 鹏城实验室

Inventor： 高峰 ,  聂骁敏 ,  邓舒鹏 ,  王磊 ,  贺志学

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明公开一种硅光热光相移器及制备方法，包括衬底、氧化硅绝缘层、波导层、氧化硅盖层和热电极以及金属膜层；所述氧化硅绝缘层贴设于所述衬底设置；波导层贴设于所述氧化硅绝缘层远离所述衬底的一侧；所述氧化硅盖层设于所述波导层背离所述氧化硅绝缘层的一侧，并覆盖于所述波导层周侧；所述热电极设置于所述氧化硅盖层背离所述氧化硅绝缘层的一侧，所述金属膜层贴设于所述氧化硅盖层，并位于所述热电极的周侧。本方案通过在热电极的周侧分别设置有高散热系数性能的金属膜层，增加金属膜层散热方式，加快了硅光热光相移器的散热速度，提升了硅光热光相移器的热导率，进一步加快硅光热光相移器的调节速度；与CMOS工艺兼容并可大规模生产。

公开(公告)号：CN116125687A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211720740.3

申请日：2022-12-30

Applicant: 鹏城实验室 ,  武汉光谷信息光电子创新中心有限公司

Inventor： 王乾圣 ,  胡晓 ,  肖希 ,  王磊 ,  刘阳 ,  徐路 ,  陈代高 ,  张红广

IPC: G02F1/015 ,  G02F1/025

Abstract: 本发明涉及一种微环谐振腔的硅基电光调制器，其包括：微环谐振腔以及直波导，微环谐振腔包括内环和外环，所述内环与所述外环均为封闭的圆环，且所述内环与所述外环的圆心位于同一点，所述内环与所述外环上均设有掺杂区，掺杂区包括P型掺杂区与N型掺杂区；所述直波导沿所述外环的径向设置于所述外环的一侧，且所述直波导与所述外环耦合，以在所述直波导的两端形成输入端和直通端。改变掺杂区的掺杂浓度，可以改变波导的折射率与吸收系数，从而实现微环的调谐与调制。并且在仿真及设计过程中，通过选取合适的同心圆内环与外环的参数，可以实现双环互耦合，以调节谐振腔由于工艺技术限制等原因造成的后向散射带来的谐振分裂情况。