公开(公告)号：CN119615064A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202510110028.9

申请日：2025-01-23

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张金钰 ,  王子路 ,  王亚强 ,  吴凯 ,  刘刚 ,  孙军

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C45/02 ,  C22F1/02 ,  C22F1/08 ,  C23F17/00

Abstract: 本发明公开了一种三维界面的纯金属/高熵非晶合金纳米多层薄膜及制备方法，属于金属表面改性领域，该纳米多层薄膜包括交替层叠设置的晶体层和非晶层，晶体层为单相面心立方结构，晶粒为沿沉积方向生长贯穿组元层的柱状晶，非晶层保持长程无序结构，晶体层和非晶层之间的界面为三维结构；不同于二维尖锐界面，三维界面具有一定的强度，位错在此区域的运动会受到应力的作用，继而改变了位错完成滑移即湮灭的现状。使得位错有序排列在三维界面附近，进而发生塞积，长程有序的位错排列显著增强了异质变形应力，有效提高了材料的强度。

公开(公告)号：CN118256792A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410378595.8

申请日：2024-03-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王亚强 ,  孙文君 ,  张金钰 ,  吴凯 ,  刘刚 ,  孙军

IPC: C22C30/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  G21C3/07

Abstract: 本发明公开了一种钨钽铬铝合金及其制备方法，WTaCrAl合金由以下成分组成，(WTaCr)1‑xAlx,x＝0.5,2,5,8。制备时首先对硅基体表面进行超声清洗并烘干；然后将基盘送入磁控溅射镀膜室抽真空；再采用直流电源共溅射制备WTaCrAl合金；最后对得到的硅基体进行真空冷却后，得到钨钽铬铝合金材料，解决材料中合金元素分布不均匀的出现，所得合金为体心立方结构材料，且元素分布均匀，有效改善了合金材料的综合力学性能。

公开(公告)号：CN117987778A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410130281.6

申请日：2024-01-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张金钰 ,  艾冰艳 ,  王亚强 ,  刘刚 ,  孙军

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C22C30/00 ,  C22C45/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种梯度结构Ag/FeMnCrNi层状复合材料及制备方法，属于金属表面改性领域，该层状复合材料包括交替设置的Ag层和FeMnCrNi层，一个调制周期的Ag层和FeMnCrNi层的厚度相同，各调制周期的Ag层和FeMnCrNi层的厚度梯度递增；采用Ag靶和FeMnCrNi靶进行直流磁控溅射交替沉积Ag层和FeMnCrNi层，得到梯度结构Ag/FeMnCrNi复合材料；该方法利用多尺度梯度非均匀结构的设计思想，将HEA的多主元效应结合梯度层间异质界面的约束效应，构筑软硬异质结构梯度，在塑性变形过程中由于软硬组元不同时变形产生应变梯度，激活新位错结构，影响金属层状复合材料整体的力学行为，最终实现力学性能的突破。

公开(公告)号：CN117245268A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311329950.4

申请日：2023-10-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张金钰 ,  周泳江 ,  张东东 ,  王亚强 ,  刘刚 ,  孙军

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/28 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明公开了一种低熔点高强塑性Sn‑Zn‑In‑Bi中熵合金无铅焊料及制备方法，按质量百分数计，包括78.5～87％的Sn，2～12％的In，9～9.5％的Zn，以及0～2％的Bi，利用In、Bi元素进行合金化处理，该合金经过真空电弧熔炼后即可获得较低的熔点和优异的强度‑塑性结合；本发明通过In、Bi元素合金化，使熔点大幅度降低，强度整体略有提升，延伸率变化不大，从而使得合金在具有低熔点的同时依然具有不俗的强塑性。本发明合金具有较低的熔点和高强塑性，其中Sn78.5In12Zn9.5中熵合金焊料熔点仅为171.79℃，并且具有高达26.8％的断裂延伸率，同时兼具26MPa的屈服强度和39.9MPa的抗拉强度。基于上述特性，使得本发明合金在低温无铅焊料合金中具有很大的竞争优势，并且极具工程应用前景。

公开(公告)号：CN113701926B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202110991414.5

申请日：2021-08-26

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 吴凯 ,  刘刚 ,  原浩植 ,  孙军 ,  张金钰 ,  王亚强

IPC: G01L1/22

Abstract: 本发明公开了一种基于褶皱与裂纹结构的柔性压力传感器及其制备方法，包括基体和附着于基体上的导电层，基体上有裂纹结构和两级褶皱结构，所述两级褶皱结构的尺度为纳米级和微米级，裂纹结构垂直于褶皱结构，基体为聚二甲基硅氧烷固化体薄片，导电层采用纯金属，导电层面对面贴合或导电层上贴合一层基体；同一传感器可以实现三种不同工作模式，使用者可以根据应用场景需求选择不同使用模式：褶皱结构主导模式，裂纹结构和褶皱结构共同主导模式，裂纹结构主导模式，可探测声波、震动等微弱信号；裂纹结构和褶皱结构共同主导模式具有适中灵敏度和压力探测范围，可实现人体全尺度生理信号的检测；裂纹结构主导模式则具有极大的压力探测范围。

公开(公告)号：CN112481589B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202011141886.3

申请日：2020-10-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张金钰 ,  赵宇芳 ,  王亚强 ,  吴凯 ,  刘刚 ,  孙军

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种具有可控相变特性的纯金属/高熵合金纳米多层薄膜及其制备方法，在去除氧化层后的硅基体表面上通过纯金属靶和高熵合金靶交替进行磁控溅射，得到纯金属/高熵合金纳米多层薄膜；纯金属靶为Cu靶，高熵合金靶为Fe50Mn30Co10Cr10靶或Fe50Mn30Co10Ni10靶；磁控溅射时，Cu靶和高熵合金靶均采用直流电源，功率均为200W，沉积气压为0.8～1.3Pa；纯金属/高熵合金纳米多层薄膜为Cu/Fe50Mn30Co10Cr10或Cu/Fe50Mn30Co10Ni10纳米多层薄膜。本发明实现了可调控相变的金属/高熵合金纳米多层薄膜的制备。

公开(公告)号：CN113151795A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110344020.0

申请日：2021-03-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨冲 ,  李彤 ,  王亚强 ,  刘刚 ,  孙军

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/16 ,  C22C30/00

Abstract: 本发明公开了一种NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜及其制备方法，Al的原子百分数为2.4‑19.4at.％，其余为等原子比的NbMoTaW。在单面抛光的单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，其中NbMoTaW合金靶采用直流电源，Al靶采用射频电源；本发明通过控制沉积功率来调整NbMoTaWAl高熵合金薄膜中Al的含量，不易造成靶材元素的团聚和反溅射现象，使微观组织均匀。沉积结束后基体在高真空镀膜室充分冷却得到NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，所得薄膜成分均匀，组织致密；Al的适当加入可以有效提高NbMoTaW高熵合金薄膜的力学性能和抗氧化性能。

公开(公告)号：CN111206213A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN202010117282.9

申请日：2020-02-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 刘刚 ,  左家栋 ,  孙军 ,  王亚强 ,  张金钰 ,  吴凯

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明提供的一种AlN非晶薄膜及其制备方法，AlN薄膜为无序非晶态，其非晶特征在300℃下能够保持，在保持其非晶特征的条件下，AlN非晶薄膜显示出随温度变化的热致变色现象，变色温度区间为70-100℃。在加热过程中，薄膜材料未出现结晶或相变，与传统热致变色材料依靠相变产生变色的机理有本质区别，该AlN非晶薄膜不依赖晶体结构以及相变的热致变色机制，AlN非晶薄膜的热致变色温度区间接近室温，加热前后颜色转变明显，变色随温度变化响应快速。