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公开(公告)号:CN215183997U
公开(公告)日:2021-12-14
申请号:CN202120851963.8
申请日:2021-04-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种背结晶硅电池,其包括:P型硅片、正面钝化减反层、正面金属栅线;其中,所述正面钝化减反层形成在所述P型硅片的正面上,所述正面金属栅线为周期性的分段结构,单个周期的分段结构包括铝电极和正面银电极,其中,所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触,所述正面银电极形成于所述正面钝化减反层上并与所述铝电极搭接接触。本实用新型的背结晶硅电池无需复杂的局部重掺步骤,也无需高温的硼扩;而且银电极的遮光面积小,从而提高硅片的光吸收效率。
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公开(公告)号:CN210668389U
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201921593120.1
申请日:2019-09-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池,电池正表面的整体复合速率进一步降低,电池转换效率较高。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极,背面钝化层形成于P型硅基体层背面,背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触,N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面,N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层,氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层,P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面,正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上,正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN209592086U
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201920262664.3
申请日:2019-03-01
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池,包括n型单晶硅衬底,n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构,n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极,n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构,n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体,n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜,透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本实用新型利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率,同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点,提高器件性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN209344126U
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:CN201920262643.1
申请日:2019-03-01
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种宽光谱纳米阵列探测器,包括氧化硅衬底,氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构,ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构,ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体,氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜,位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本实用新型利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围,在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN208111466U
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201820354231.6
申请日:2018-03-15
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种石墨烯双面太阳能电池,包括n型单晶硅,所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上设置石墨烯薄膜层,在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极;所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅,所述n+型多晶硅表面设置光学减反层,所述光学减反层表面设置背栅线电极。本实用新型在单晶硅前后表面均形成内建电场进行光生载流子分离,实现双面石墨烯太阳能电池,具有结构简单,效率高的特点,适合批量生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN216671653U
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202122864173.6
申请日:2021-11-22
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H02S10/10 , H02N1/04
Abstract: 本实用新型公开了一种光伏组件及光伏系统。该光伏组件至少具有一个倾斜设置的使用状态,其包括硅基体、设于硅基体上表面上的本征非晶硅层、设于本征非晶硅层上的图形化的N型非晶硅层、设于N型非晶硅层上的第一透明导电层、设于本征非晶硅层上的图形化的P型非晶硅层及设于P型非晶硅层上的第二透明导电层,第一透明导电层包括多个沿上下方向间隔设置的第一叉指部,第二透明导电层包括多个沿上下方向间隔设置的第二叉指部,多个第一叉指部和多个第二叉指部交错设置,相邻的第一叉指部和第二叉指部之间具有间隙;一摩擦层覆于第一透明导电层和第二透明导电层上。本实用新型可利用光照及雨水发电,且能够对每个雨滴进行多次利用,提高发电效率。
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公开(公告)号:CN216389396U
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN202122439138.X
申请日:2021-10-11
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0525
Abstract: 本实用新型提供一种具有光伏发电和温差发电功能的装置,包括太阳能电池片和温差发电机构,所述太阳能电池片具有背面电极,所述温差发电机构具有热端和冷端,所述装置在工作时所述热端和所述冷端的温度不同,所述装置还包括导热连接膜,所述背面电极设于所述导热连接膜的正面,所述温差发电机构的所述热端设于所述导热连接膜的背面。该装置能够降低太阳能电池的工作温度,提高电能的输出功率。
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公开(公告)号:CN216146269U
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202122179842.6
申请日:2021-09-09
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 一种风能和太阳能混合发电面板,包括面板框、太阳能发电单元、风能发电单元,太阳能发电单元和风能发电单元上下依次叠加设置构成一体结构并置于面板框内,太阳能发电单元包括晶硅太阳电池、第一正面金属电极和背面金属电极,晶硅太阳电池的一侧面阵列有多个第一正面金属电极,晶硅太阳电池的另一侧面贴附有背面金属电极,风能发电单元包括风能发电腔、第二正面金属电极和背面金属电极,风能发电腔的两侧面分别贴附有第二正面金属电极和背面金属电极,风能发电单元和太阳能发电单元共用背面金属电极。本实用新型通过风能发电单元和太阳能发电单元共用一个金属电极将两者整合在同一发电面板上,从而将风能发电和太阳能发电两种发达技术相互补充。
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公开(公告)号:CN213424999U
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202022503623.4
申请日:2020-11-03
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能电池片及其基片结构,所述背面介质膜上开设有一组相互平行的第一槽、一组相互平行的第二槽及一组相互平行的第三槽;所述第一槽、所述第二槽及所述第三槽两两倾斜地相交,以在所述第一槽、所述第二槽和所述第三槽之间形成正三角形;所述第一槽、所述第二槽及所述第三槽自下至上贯穿所述背面介质膜,以露出所述衬底。载流子在衬底中横向传输至空槽部分的背面电极。这种结构加工方便,光电转换效率高。
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公开(公告)号:CN209344104U
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:CN201920059522.7
申请日:2019-01-15
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池,包括背电极,背电极上设置n型单晶硅,n型单晶硅的表面设置二氧化硅层,二氧化硅层是具有通孔的环状结构,二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层,石墨烯薄膜层设置前电极,n型单晶硅的表面设有若干阵列布置的非均匀盲孔,非均匀盲孔包括连续设置的第一孔段和第二孔段,第一孔段直径大于第二孔段直径。本实用新型通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节光子的吸收率,显著提高长波波长光子的利用效率进而提高光电转换效率。具有结构简单,效率高的特点,适合批量生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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