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公开(公告)号：CN112626464A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011419636.1
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所述制备仓的外侧壁上设置有保温结构。本发明通过设置有空腔、外壳、连接杆、螺母、通孔和保温岩棉，在使用时，利用螺母和通孔将外壳固定在制备仓的外部，此时制备仓和外壳之间形成一个空腔，然后在空腔内部填充上保温岩棉，利用保温岩棉的隔热性能，这样可以避免制备仓内部热量流失较快，从而可以使制备仓内部温度保持稳定，提高氮化镓薄膜制备的质量。
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公开(公告)号：CN119758004A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411800816.2
申请日：2024-12-09
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，包括温度传感器：安装于芯片表面，用于实时监测芯片温度；控制器：接收温度传感器的信号，进行数据处理和算法运算，输出控制指令；电源管理模块：根据控制器的指令，调节芯片的电源电压和频率；反馈回路：形成闭环控制，确保温控精度和响应速度；热稳态测试方法如下：设定目标温度范围及允许的温度波动阈值；温度传感器持续监测芯片温度，并将数据发送至控制器；本发明的有益效果是：通过实时监测与动态调节，实现了芯片温度的精确控制，有效提升了芯片的稳态寿命和可靠性，为高性能芯片的热管理提供了一种创新且高效的解决方案，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119574698A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411776456.7
申请日：2024-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种集成电路板振动频率自动测试装置，包括检测座和放置板，检测座的顶部开设有矩形槽，放置板滑动安装在矩形槽的内部，检测座顶部的一侧呈对称固定安装有两个支撑滑杆；振动头不断地上下移动，对集成电路板进行不断的敲击，从而使集成电路板产生振动，并且观察外界检测设备判断集成电路板是否损坏，能够实现对集成电路板进行全面而精确的振动检测，这种检测方法具有高度的灵活性，可以针对不同厚度、不同规格以及不同材质的集成电路板进行有效的检测，极大地提升了对集成电路板在振动环境下的性能评估与故障排查的检测效果，为确保集成电路板的可靠性和稳定性提供了有力的技术支撑。
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公开(公告)号：CN119535171A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411738786.7
申请日：2024-11-29
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及集成电路测试技术领域，具体地涉及一种具有循环导向功能的集成电路测试装置，包括主检测主体、轨道支撑薄板、支撑固定架、固定支撑托架、第一限位调节主体、限位放置卡座、第一电动机、电动推杆和滑动支撑卡座，支撑固定架固定连接在轨道支撑薄板的两侧，固定支撑托架固定连接在支撑固定架的外侧端，滑动支撑卡座滑动卡接在轨道支撑薄板上，电动推杆固定安装在滑动支撑卡座的上端中部，第一电动机固定连接在电动推杆的上端。本发明使用的过程中可以在各种模拟的环境中精准循环方便的检测，可以对集成电路板在不同环境下充分的完成检测。
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公开(公告)号：CN117250463A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311235900.X
申请日：2023-09-25
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种半导体高低温耐受性测试方法，涉及半导体技术领域，为了解决半导体耐受性检测不便捷以及检测数据不准确的问题。本发明将高温检测数据记录和低温检测数据记录进行聚类处理，可以有效的将高温和低温检测时的不同性能的数据进行分类，并将分类完成的数据的长度进行确认，有效的保证了不同数据对应的不同的数据容量，提高了数据传输时的准确性，根据温度特征相关参数获取温度参数的相关性指数，并确定温度参数相关性指数的时序变化情况，提高了在检测过程中不同时间下的检测数据，并且根据时序变化情况判断温度参数相关信号值的稳定性，提高了检测数据在与产品性能的相关参数进行参数对比时的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117148087A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311132589.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件失效分析用测试装置及其测试方法，属于氮化镓器件测试技术领域。本发明的一种氮化镓器件失效分析用测试装置，包括测试台，所述测试台的内部设置有控制盒，所述测试台的上端设置有显示面板，且显示面板与控制盒电性连接，所述显示面板的一侧设置有移动槽。本发明解决了现有测试设备通过手动推动器件与触头接触从而测试，效率低下，且这样会导致氮化镓器件直接碰撞触头影响测试效果的问题，通过设置器件移动机构，实现了对氮化镓器件的自动输送，且输送过程稳定，同时还能微调氮化镓器件与测试触头的间距，避免直接撞上测试触头，提高了测试效果，且同时可对多个氮化镓器件进行测试，更利于失效分析。
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公开(公告)号：CN116984249A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311015415.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: B07B13/04 , B07B13/16 , B65G47/244
Abstract: 本申请提供了一种用于氮化镓半导体器件筛选装置及其使用方法，属于氮化镓半导体器件技术领域，包括支撑座，述支撑座的上方固定设置有外壳，所述外壳上等距开设有移动槽，所述外壳上各处移动槽由左至右宽度递增，所述移动槽的内部放置有轨道板，所述轨道板的上方安装有第一导向板，所述第一导向板的前端设置有第二导向板，所述外壳上固定设置有连接台，所述连接台的上方相对设置有第一连接板和第二连接板，所述第一连接板和第二连接板之间固定连接有储存盒，所述储存盒的内部固定安装有电动推杆。本申请能够在对反面朝上的半导体器件进行翻面时防止半导体器件脱落，能够在翻面后自动调节输送的位置。
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公开(公告)号：CN115864305A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211557667.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H02H3/24
Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路结构。所提供的高精度欠压保护电路，本发明的针对上电复位过程欠压保护输出状态进行了保护，采用上电复位电路控制整体欠压保护电路的状态；另外欠压保护输出电压采用专用电源VDD2，与欠压保护电路的电源VDD1隔离开，避免数字电路噪声对欠压保护电路的干扰；提高了欠压保护电路的可靠性和精度，可以广泛应用于各类高压集成电路及应用系统。
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公开(公告)号：CN115857600A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211557095.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种带自启动功能的带隙基准电压产生电路结构。所提供的带自启动功能的带隙基准电压产生电路，一方面采用二极管代替传统的三极管，减小了芯片版图面积；另外一方面采用了高可靠低延时启动电路，不使用电阻和电容等无源器件，进一步减小芯片面积，提高了带隙基准电压产生电路的可靠性。本发明所提供的技术方案，具有低成本和小面积优势，可以广泛应用于各类高精度模拟和数模混合集成电路系统。
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公开(公告)号：CN114927453A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210233471.1
申请日：2022-03-10
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院 , 无锡麟力科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/687 , H01L21/66 , H01L21/67 , B08B5/04
Abstract: 本发明提供低功耗的屏蔽栅半导体功率器件测试装置，包括测试台，支撑柱，底板，第一支撑板，斜T型滑槽，控制箱，可滑动插接防护座结构，可复位检测移动座结构，可转动除尘降温罩结构，倒L型遮挡板，检测模块，吸尘器，连接管，可支撑防晃定位架结构，滑槽，滑孔和固定座所述的测试台的下端四角位置分别螺栓连接有支撑柱；所述的支撑柱之间的下部螺栓连接有底板。本发明吸尘器，第一固定管，第二固定管，金属软管和吸尘罩的设置，有利于在使用的过程中通过吸尘器工作时产生的动力，使吸尘罩进行吸尘工作，通过吸尘罩设置在插接座的上方，方便在检测的过程中提高降温效率。
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