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公开(公告)号：CN104979098A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510424304.5
申请日：2015-07-20
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的对电极及其制备方法和应用，所述染料敏化太阳能电池的对电极为在掺杂氟的SnO2透明FTO导电玻璃上直接合成出三元过渡金属硫化物CuCo2S4，采用普通水热法和微波水热离子置换反应制备，与二元过渡金属硫化物相比，三元过渡金属硫化物制备方法更加简单，制备手段更加多元化，在染料敏化太阳能电池中有很大的潜在应用价值，与传统的对电极材料贵金属Pt相比，生产成本大幅降低，利于进一步的工业化应用。
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公开(公告)号：CN118434008A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410524003.9
申请日：2024-04-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种印刷电路板的层压体及其制备方法。本发明通过简单方法制备了前驱体溶液，所述前驱体溶液在加热时会形成多孔粘结层，多孔结构会增强树脂层和载体箔之间的结合强度；优选载体箔为超光滑载体箔，超光滑载体箔可以实现电路板信号的高频高速的传输。
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公开(公告)号：CN117845265A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410003288.1
申请日：2024-01-02
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B11/067 , C25B11/087 , C03C17/34
Abstract: 本发明属于光电极器件领域，具体涉及一种光电极器件中缺陷的调控及其转换方法。本发明涉及使用一种简单的合成手段获得较好的载流子转移能力材料，并且对改性后的光阳极进行缺陷调控从而降低不利缺陷对器件的影响，提升表面OER性能。本发明选用锌铟硫(命名为ZIS)作为光阳极，使用简单的低温水浴手段，通过对ZIS进行Mg掺杂处理，得到了Mg掺杂的ZIS光阳极器件(命名为ZIS:Mg)，之后通过简单的氮气退火方式使得Mg掺杂导致的O缺陷转变为Mg‑O键，得到了ZIS:MA光阳极器件。
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公开(公告)号：CN116695163A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310508634.7
申请日：2023-05-08
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/091 , H01B13/00 , H01B5/14 , C25B11/052 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明涉及一种表面重构的金属硫化物光阳极及其制备方法，属于光电化学技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤，S1：在导电基底上制备金属硫化物纳米薄膜，得到负载金属硫化物的导电基底；金属硫化物选自CdIn2S4和/或CdS；S2：将负载金属硫化物的导电基底放入金属修饰液中进行超声处理，得到表面重构的金属硫化物光阳极；金属修饰液是由修饰金属源、铟源和硫源溶于溶剂得到。本发明的表面重构的金属硫化物光阳极在1.23VRHE下的光电流密度提升至5.30mAcm‑2，是纯样CIS光阳极的3.2倍，且起始电压负移230mV。这种制备方法为精准调控金属缺陷提供了可能，同时制备过程简便且安全，具备规模化应用价值。
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公开(公告)号：CN115172592B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210609939.2
申请日：2022-05-31
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种自驱动双功能光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。本发明所述的自驱动双功能光电探测器，包括依次设置的导电基底、空穴传输层、掺杂聚合物的钙钛矿薄膜、电子传输层和电极层；所述掺杂聚合物的钙钛矿薄膜为双功能钙钛矿薄膜，所述双功能钙钛矿薄膜包括多孔膜和致密膜；所述聚合物的重均分子量不低于500000。本发明所述的自驱动双功能光电探测器通过引入高分量的聚合物制备多孔钙钛矿薄膜，达到制造缺陷和增加厚度的作用，从而实现窄带响应，然后通过局部液化重结晶处理实现了器件的多孔膜与致密膜共存，从而实现器件的窄带宽带双功能响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115568236A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211213040.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法，属于探测器技术领域。本发明金属卤素钙钛矿光电探测器，包括亲水性绝缘基底，以及依次设置于所述亲水性绝缘基底上的钙钛矿薄膜光敏层和对电极层；所述钙钛矿薄膜光敏层为后处理的钙钛矿薄膜光敏层；所述后处理是在钙钛矿薄膜光敏层上旋涂硫氰酸甲胺处理液。本发明所述的制备方法对原材料薄膜要求低，而经过后处理的重结晶过程之后，钙钛矿薄膜的结晶性可以得到极大提升，基于此制备的光电探测器可以在1V的低外加偏压下达到1.4A/W的光响应度。
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公开(公告)号：CN115148904A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210565331.4
申请日：2022-05-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种透明稳定高性能的全无机金属卤素钙钛矿光电探测器元件及其制备方法与应用。其制备过程包括以下步骤：在导电基底表面形成一层电子传输层薄膜；将添加了盐酸硫胺的无机钙钛矿材料铯铅碘溴(CsPbIxBry，x+y＝3)旋涂于电子传输层薄膜上；在上述制备的钙钛矿薄膜依次制备有机共轭聚合物材料和金属电极层。本发明制备过程简单、光谱响应范围广、透明度高，同时所制备的光电探测器具有自驱动性，便于小型化，便携化，具有巨大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN114163990A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111400396.5
申请日：2021-11-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高结晶质量的金属卤素钙钛矿薄膜，制备所述金属卤素钙钛矿薄膜的钙钛矿前驱体溶液中加入了乙胺碘添加剂。本发明还提供了由所述金属卤素钙钛矿薄膜制备的金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法。通过往钙钛矿前驱体中加入乙胺碘，成功的调控了钙钛矿薄膜的结晶过程，并且得到了具有高结晶取向性的优质薄膜。以此薄膜为基础，制得了具有优良光电性能得自驱动光电探测器。
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公开(公告)号：CN111276672A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010093550.8
申请日：2020-02-14
Applicant: 苏州大学
IPC: H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M4/134 , H01M10/054 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种用于钠离子电池的高性能含锡阵列结构的电极的制备方法，包括以下步骤：以清洗干净的铜基底为工作电极，以含有锡离子和模板剂的溶液为电解液，采用三电极体系进行恒流电沉积，以在铜基底表面形成锡阵列结构；将经以上处理后的基底在真空或非氧化气体中于80～230℃下进行退火处理，得到含锡阵列结构的电极。该制备方法工艺简单，操作方便，所制备的电极可以直接用于钠离子电池的负极，并且表现出较高的比容量、良好的循环稳定性和优良的倍率充放电特性。
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公开(公告)号：CN108389727B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201810220254.2
申请日：2018-03-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体复合异质结光电极的制备方法：在负载钒酸铋纳米薄膜的导电基底上沉积厚度为10‑60nm的氧化锌薄膜，其中，氧化锌薄膜由锌源和氧源在150℃‑200℃下反应得来；将处理后的导电基底放入铜盐水溶液中，在60℃‑100℃下发生置换反应，使氧化锌转变成氧化铜，然后在350℃‑550℃下退火，形成负载有钒酸铋和氧化铜异质结的导电基底；然后在负载有钒酸铋和氧化铜异质结的导电基底的表面沉积二氧化钛薄膜，其中，二氧化钛薄膜由钛源和氧源在80℃‑150℃下反应得来。本发明的异质结具有花瓣状形貌，增大了电极的比表面积，负载的TiO2作为助催化剂，促进了空穴与电解液发生反应，有效的提高了光解水效率。
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