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公开(公告)号：CN115148904B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210565331.4
申请日：2022-05-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种透明稳定高性能的全无机金属卤素钙钛矿光电探测器元件及其制备方法与应用。其制备过程包括以下步骤：在导电基底表面形成一层电子传输层薄膜；将添加了盐酸硫胺的无机钙钛矿材料铯铅碘溴(CsPbIxBry，x+y＝3)旋涂于电子传输层薄膜上；在上述制备的钙钛矿薄膜依次制备有机共轭聚合物材料和金属电极层。本发明制备过程简单、光谱响应范围广、透明度高，同时所制备的光电探测器具有自驱动性，便于小型化，便携化，具有巨大的潜在应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115568236B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211213040.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法，属于探测器技术领域。本发明金属卤素钙钛矿光电探测器，包括亲水性绝缘基底，以及依次设置于所述亲水性绝缘基底上的钙钛矿薄膜光敏层和对电极层；所述钙钛矿薄膜光敏层为后处理的钙钛矿薄膜光敏层；所述后处理是在钙钛矿薄膜光敏层上旋涂硫氰酸甲胺处理液。本发明所述的制备方法对原材料薄膜要求低，而经过后处理的重结晶过程之后，钙钛矿薄膜的结晶性可以得到极大提升，基于此制备的光电探测器可以在1V的低外加偏压下达到1.4A/W的光响应度。
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公开(公告)号：CN115568236A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211213040.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法，属于探测器技术领域。本发明金属卤素钙钛矿光电探测器，包括亲水性绝缘基底，以及依次设置于所述亲水性绝缘基底上的钙钛矿薄膜光敏层和对电极层；所述钙钛矿薄膜光敏层为后处理的钙钛矿薄膜光敏层；所述后处理是在钙钛矿薄膜光敏层上旋涂硫氰酸甲胺处理液。本发明所述的制备方法对原材料薄膜要求低，而经过后处理的重结晶过程之后，钙钛矿薄膜的结晶性可以得到极大提升，基于此制备的光电探测器可以在1V的低外加偏压下达到1.4A/W的光响应度。
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公开(公告)号：CN115148904A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210565331.4
申请日：2022-05-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种透明稳定高性能的全无机金属卤素钙钛矿光电探测器元件及其制备方法与应用。其制备过程包括以下步骤：在导电基底表面形成一层电子传输层薄膜；将添加了盐酸硫胺的无机钙钛矿材料铯铅碘溴(CsPbIxBry，x+y＝3)旋涂于电子传输层薄膜上；在上述制备的钙钛矿薄膜依次制备有机共轭聚合物材料和金属电极层。本发明制备过程简单、光谱响应范围广、透明度高，同时所制备的光电探测器具有自驱动性，便于小型化，便携化，具有巨大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN114163990A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111400396.5
申请日：2021-11-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高结晶质量的金属卤素钙钛矿薄膜，制备所述金属卤素钙钛矿薄膜的钙钛矿前驱体溶液中加入了乙胺碘添加剂。本发明还提供了由所述金属卤素钙钛矿薄膜制备的金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法。通过往钙钛矿前驱体中加入乙胺碘，成功的调控了钙钛矿薄膜的结晶过程，并且得到了具有高结晶取向性的优质薄膜。以此薄膜为基础，制得了具有优良光电性能得自驱动光电探测器。
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公开(公告)号：CN114163990B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111400396.5
申请日：2021-11-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高结晶质量的金属卤素钙钛矿薄膜，制备所述金属卤素钙钛矿薄膜的钙钛矿前驱体溶液中加入了乙胺碘添加剂。本发明还提供了由所述金属卤素钙钛矿薄膜制备的金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法。通过往钙钛矿前驱体中加入乙胺碘，成功的调控了钙钛矿薄膜的结晶过程，并且得到了具有高结晶取向性的优质薄膜。以此薄膜为基础，制得了具有优良光电性能得自驱动光电探测器。
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