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公开(公告)号：CN117845265A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410003288.1
申请日：2024-01-02
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B11/067 , C25B11/087 , C03C17/34
Abstract: 本发明属于光电极器件领域，具体涉及一种光电极器件中缺陷的调控及其转换方法。本发明涉及使用一种简单的合成手段获得较好的载流子转移能力材料，并且对改性后的光阳极进行缺陷调控从而降低不利缺陷对器件的影响，提升表面OER性能。本发明选用锌铟硫(命名为ZIS)作为光阳极，使用简单的低温水浴手段，通过对ZIS进行Mg掺杂处理，得到了Mg掺杂的ZIS光阳极器件(命名为ZIS:Mg)，之后通过简单的氮气退火方式使得Mg掺杂导致的O缺陷转变为Mg‑O键，得到了ZIS:MA光阳极器件。
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