有源矩阵发射装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1140886C

    公开(公告)日:2004-03-03

    申请号:CN99800716.1

    申请日:1999-02-19

    Inventor: 汤田坂一夫

    CPC classification number: H01L27/3246 H05B33/12

    Abstract: 一种有源矩阵发光装置,它在象素间部分的边界区(71)中象素电极(41)和发光层(43)的层间部分中具有阶梯形切割的绝缘薄膜(80),每一个阶梯形切割的绝缘薄膜(80)的上部以突出部分(8 1)的形式突出。因此,在每一个象素(7)中,甚至以覆盖多个象素的方式形成的发光层(43)也由于在突出部分(81)处产生阶梯形切口而被绝缘。因此,避免了这些象素间部分中的串扰,从而改善了显示质量。

    薄膜晶体管的制造方法、电光学装置和电子仪器

    公开(公告)号:CN100440437C

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200510076107.5

    申请日:2005-06-08

    Abstract: 本发明的目的是提供一种通过简易且廉价的工序以亚微数量级的精度形成薄膜晶体管用的栅电极和半导体膜的技术。本发明提供的薄膜晶体管的制造方法,包括半导体膜薄膜的形成方法和/或栅电极的形成方法,其中半导体膜薄膜的形成方法包括:在基板上配置包含半导体材料的液滴(14)的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出半导体材料来形成半导体膜(16)的工序,而栅电极的形成方法包括:配置含导电性材料的液滴的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出导电性材料来形成栅电极的工序。

    显示装置
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101068025A

    公开(公告)日:2007-11-07

    申请号:CN200610093443.5

    申请日:1998-08-20

    Inventor: 汤田坂一夫

    Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的,显示装置包括:一个对置电极;以及多个象素,多个象素中各象素包括:象素电极;以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜,其中,除了在形成端子的区域外,所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。

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