-
公开(公告)号:CN113800902B
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202111098753.7
申请日:2021-09-18
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/634 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法,BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成,所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极,介质层包括以下重量份的原料:100份的BZCT主基体、8‑12份的改性PVB、0.8‑2.7份的正硅酸乙酯,改性PVB为掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、Y、Yb、Dy、Ho、Er中的一种或多种元素的PVB,以BZCT材料为主基体,通过合成掺杂改性PVB,在PVB中掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、稀土等元素,并添加适量的正硅酸乙酯,来获得良好的综合性能。
-
公开(公告)号:CN114758893A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210480061.7
申请日:2022-05-05
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明一种板式阵列电容滤波器及其生产方法,包括焊接框架、多个陶瓷电容芯片、引出端、多根接线杆和塑封外壳,焊接框架包括多组焊盘组,焊盘组包括第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘,各焊盘组的第二焊盘分别与多个陶瓷电容芯片的一导电端焊接、第三焊盘分别与这些陶瓷电容芯片的另一导电端焊接,塑封外壳根据焊接陶瓷电容芯片后的焊接框架模压形成,引出端设置在焊接框架上且伸出塑封外壳,各接线杆分别穿过各焊盘组的第一、第二和第三焊盘,并与第一焊盘焊接。本发明可靠性高,适配性强,能够适用于多种环境,可根据实际使用情况改变电容量,生产简单。
-
公开(公告)号:CN113800902A
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202111098753.7
申请日:2021-09-18
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/634 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法,BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成,所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极,介质层包括以下重量份的原料:100份的BZCT主基体、8‑12份的改性PVB、0.8‑2.7份的正硅酸乙酯,改性PVB为掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、Y、Yb、Dy、Ho、Er中的一种或多种元素的PVB,以BZCT材料为主基体,通过合成掺杂改性PVB,在PVB中掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、稀土等元素,并添加适量的正硅酸乙酯,来获得良好的综合性能。
-
公开(公告)号:CN108218424B
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN201810022216.6
申请日:2018-01-10
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , H01G4/12
Abstract: 一种高频微波陶瓷电容器介质材料及其制备方法,一种高频微波陶瓷电容器介质材料,按重量份包括以下原料:BaO‑Re2O3‑TiO2复合材料80.5‑95份、A和B的氧化物的复合材料5‑19.5份,其中,元素Re为稀土元素La、Pr、Nd、Sm、Eu中的一种或几种,元素A为Zn、Ni中的一种或两种,元素B为元素V、Nb、Ta、W中的一种或几种,本发明的陶瓷电容器介质材料采用传统固相法工艺即可制备,生产工艺简单,由其制备的电容器具有中高介电常数、超低介质损耗、超高耐压强度、超高绝缘电阻、高温高频稳定且可调,可适用于高频方面的应用。
-
公开(公告)号:CN108218424A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810022216.6
申请日:2018-01-10
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/62675 , C04B35/638 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/5427 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , H01G4/1218
Abstract: 一种高频微波陶瓷电容器介质材料及其制备方法,一种高频微波陶瓷电容器介质材料,按重量份包括以下原料:BaO‑Re2O3‑TiO2复合材料80.5‑95份、A和B的氧化物的复合材料5‑19.5份,其中,元素Re为稀土元素La、Pr、Nd、Sm、Eu中的一种或几种,元素A为Zn、Ni中的一种或两种,元素B为元素V、Nb、Ta、W中的一种或几种,本发明的陶瓷电容器介质材料采用传统固相法工艺即可制备,生产工艺简单,由其制备的电容器具有中高介电常数、超低介质损耗、超高耐压强度、超高绝缘电阻、高温高频稳定且可调,可适用于高频方面的应用。
-
公开(公告)号:CN105254294B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201510621100.0
申请日:2015-09-25
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种正线性容温变化率介质材料及其制备方法,该介质材料以[(1‑x)BaTiO3‑xBiyNazTiO3]为基材,添加Nb2O5、RE2O3、MnCO3、BiBO3;其中:x=0.05‑0.15,y=0.4‑0.6,z=0.4‑0.6,在[(1‑x)BaTiO3‑xBiyNazTiO3]中BaTiO3和BiyNazTiO3的摩尔比为(1‑x):x;RE为Sm,Er或者Ce的一种或多种;本发明提供的适用于正线性容温变化率多层陶瓷电容器介质材料,具有介电损耗低,工作温度区间(‑55℃‑150℃),良好的温度稳定性(‑15%≤ΔC/C≤15%),工作温度范围内容温变化为正线性变化等特点。利用本发明可设计(‑55℃‑150℃)温度范围内的容温补偿电容器,补偿由于功能电路中电容器温升产生的负作用,平衡全温度段的电荷容量,从而提高电路稳定性、可靠性。有极高的产业化前景及工业应用价值。
-
公开(公告)号:CN106098398B
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201610378153.9
申请日:2016-05-31
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种超级电容器多层极片,包括集流体、导电层、活性物质层及增塑层。制备方法依次包括:制备导电层、活性物质层及增塑层浆料或糊状料;在集流体表面涂覆导电层浆料,经干燥、辊压形成导电层;在导电层表面涂覆活性物质层浆料,经干燥、辊压形成活性物质层;在活性物质层表面通过喷涂或凹版印刷覆设一层增塑层糊状料,经辊压形成增塑层。本发明通过在集流体与活性物质层之间设置粘性导电层,既可以提高活性物质层的黏合度,又可以保证高导电性,且在活性物质层上压覆增塑层,可进一步提高极片的柔韧性,防止活性物质层在从集流体上脱落,提高超级电容器在高温负荷情况下的使用寿命,可获得更高比能量、比功率、高导电率的电极片。
-
公开(公告)号:CN105060877B
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201510568485.9
申请日:2015-09-09
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/46 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供一种高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法。该种高介电常数AG特性介电陶瓷材料,其原料组分为:wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3化合物、Li1/2Re1/2O3、BaB2O4、ZnO;其制作方法为以wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3为主基料,Li1/2Re1/2O3、ZnO、BaB2O4为添加料,通过水为分散介质,球磨、烘干、粉碎并造粒、并将造粒后的粉料压制成圆片生坯,然后在空气气氛中升温至1100~1200℃,保温烧结2‑4h,即制得高介电常数AG特性介电陶瓷材料。上述所制得的介电陶瓷材料不含Pb等有害金属,介电常数高达90以上,具有AG特性(90±20ppm/K),超低介电损耗,高温度稳定性,可用于制造高频、热稳定性优良的独石电容器。
-
公开(公告)号:CN106348748A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610738044.3
申请日:2016-08-26
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , H01G4/1218
Abstract: 本发明属于多层陶瓷电容器材料技术领域,特别涉及高温X8R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法。该种高温X8R型陶瓷电容器介质材料,以钛酸钡和钛酸铋钠钡的共融物为主基料,添加铌锰和A的氧化物的共融物、硅锂共融物、硼钡共融物、Re2O3,其中,元素A为钴、镍、锌、铋等的一种或几种,元素Re为稀土元素镨、钐、钆、钕、镝等的一种或几种。使用本发明高温X8R型陶瓷电容器介质材料制得的电容器具有高介电常数、高耐压强度、高温度稳定性,并且能够在制备多层瓷介固定电容器时与中低温烧结的30Pd-70Ag内电极相匹配而实现中温烧结,并实现在高温环境的应用,具有较高的产业化前景和工业应用价值。
-
公开(公告)号:CN105869919A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610377351.3
申请日:2016-05-31
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: H01G11/84
Abstract: 一种超级电容器电芯生产工艺,依次包括电芯卷绕、电芯集流体端面倒角、电芯集流体端面旋压及电芯与集流块焊接四个工艺步骤,电芯集流体端面倒角是通过倒角模具对卷绕后的电芯集流体端面进行倒角;电芯集流体端面旋压是对电芯两端集流体端面进行一定角度的旋转挤压,使集流体端面与集流块焊接处呈现顺时针或逆时针旋转的平面结构;电芯与集流块焊接是将经旋压后的电芯集流体端面分别与相对应的正、负极集流块焊接。本发明的电芯生产工艺可获得低阻抗、低损耗、高一致性、高安全性的超级电容器,摆脱了现有超级电容器电芯集流体与集流块接触面积少,空穴多的问题,使产品性能得到优化,更好的适应高性能、低损耗、安全、一致性完好等市场需求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-