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公开(公告)号：CN117902894A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410066023.6
申请日：2024-01-17
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 一种高介电常数高可靠瓷介电容器及其基于粒径组合型基体制备的陶瓷材料、制备方法，陶瓷材料由粒径组合型钛酸钡基体、改性掺杂剂混合制成；改性掺杂剂由氧化镁、四氧化三锰、五氧化二钒、稀土氧化物A、稀土氧化物B、CZ材料、BLBS材料组成；通过本发明限定的陶瓷材料制备的瓷介电容器，具有高介电常数(≥3500)，平稳的介温特性曲线(符合X7R要求)，较低的损耗(≤3.5％)，高绝缘电阻(RC@25℃≥3000MΩ·μF)，以及高可靠性(MTTF@75V 125℃≥350h)等优异性能。
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公开(公告)号：CN113800902B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111098753.7
申请日：2021-09-18
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/634 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法，BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，介质层包括以下重量份的原料：100份的BZCT主基体、8‑12份的改性PVB、0.8‑2.7份的正硅酸乙酯，改性PVB为掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、Y、Yb、Dy、Ho、Er中的一种或多种元素的PVB，以BZCT材料为主基体，通过合成掺杂改性PVB，在PVB中掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、稀土等元素，并添加适量的正硅酸乙酯，来获得良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN113800902A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111098753.7
申请日：2021-09-18
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/634 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法，BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，介质层包括以下重量份的原料：100份的BZCT主基体、8‑12份的改性PVB、0.8‑2.7份的正硅酸乙酯，改性PVB为掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、Y、Yb、Dy、Ho、Er中的一种或多种元素的PVB，以BZCT材料为主基体，通过合成掺杂改性PVB，在PVB中掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、稀土等元素，并添加适量的正硅酸乙酯，来获得良好的综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118824737A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411203890.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
Abstract: 一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺，多层瓷介电容器由多个组合介电层相互叠加烧制而成，组合介电层内部按介电层B、介质层A、介电层B的顺序叠加形成BAB结构，介电层B包括介质层B和印刷在介质层B上的电极；介质层A包括以下原料：钛酸钡基体A和液态改性掺杂剂A；液态改性掺杂剂A包括以下原料：氧化镁、四氧化三锰、稀土氧化物a、稀土氧化物b、碳酸钡、二氧化锆、SLV材料；通过本发明限定的陶瓷材料制备的瓷介电容器，具有高介电常数(≥4500)，平稳的介温特性曲线(符合X7R要求)，较低的损耗(≤3.0％)，高绝缘电阻(RC@25℃≥5000MΩ·μF)，高耐电压(＞150V/μm)等优异性能。
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公开(公告)号：CN116947483B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202310929619.X
申请日：2023-07-27
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/64 , C04B41/88 , H01G4/30
Abstract: 一种基于前驱体预烧法制备的高容多层BME瓷介电容器及制作方法，高容多层BME瓷介电容器，由介电层相互叠加烧制而成，介电层包括介质层和印刷在介质层上的内电极，介质层是基于100重量份的前驱体混合掺杂剂制成；掺杂剂包括以下原料；氧化镁、碳酸锰、五氧化二钒、稀土氧化、二氧化硅、硝酸钙、氧化锆；前驱体由钛酸钡混合稀土氧化物，在1000‑1200℃的温度下焙烧0.5‑3h而成；本发明采用前驱体预烧法，先把稀土氧化物和钛酸钡分散均匀后在1000‑1200℃焙烧0.5‑3h成为前驱体，以此增加钛酸钡中稀土元素的掺杂量，使制备的MLCC具有了极高的介电常数和平稳的介温特性曲线，以及低损耗、高绝缘电阻的优良综合性能、在电路中将具有更小的漏电流，更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN116779333A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310772641.8
申请日：2023-06-28
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
Abstract: 一种分步掺杂制备的超薄BME瓷介电容器及制备方法，超薄BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，所述介质层包括以下原料：包覆BSCT主基体、液态助烧剂；包覆BSCT主基体包括以下原料：BSCT材料、硝酸镁、乙酸锰、草酸氧钒、硝酸稀土盐；液态助烧剂由纳米氧化铜、正硅酸乙酯、硼酸三丁酯按比例组成，通过分步掺杂进行了有针对性的掺杂，形成了新型的三层结构，来获得良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN119080490A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411203891.0
申请日：2024-08-30
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种温度特性可控多层瓷介电容器及其制备方法，多层瓷介电容器由介电层A与介电层B相互错位叠加烧制而成，其中，介电层A由钛酸钡、氧化镁、四氧化三锰、乙酰丙酮氧钒、稀土氧化物A、稀土氧化物B、二氧化硅、碳酸钙，氧化锆组成；介电层B由钛酸钡、氧化镁、四氧化三锰、乙酰丙酮氧钒、稀土氧化物C、稀土氧化物D、二氧化硅、碳酸钙、氧化锆、氧化镍组成；本申请限定的多层瓷介电容器由由介电层A与介电层B相互错位叠加烧制而成，双介电层组合区别于传统的单一介电层，使电容器同时具备高介电常数、高温度稳定性的优点。
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公开(公告)号：CN116947483A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310929619.X
申请日：2023-07-27
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/64 , C04B41/88 , H01G4/30
Abstract: 一种基于前驱体预烧法制备的高容多层BME瓷介电容器及制作方法，高容多层BME瓷介电容器，由介电层相互叠加烧制而成，介电层包括介质层和印刷在介质层上的内电极，介质层是基于100重量份的前驱体混合掺杂剂制成；掺杂剂包括以下原料；氧化镁、碳酸锰、五氧化二钒、稀土氧化、二氧化硅、硝酸钙、氧化锆；前驱体由钛酸钡混合稀土氧化物，在1000‑1200℃的温度下焙烧0.5‑3h而成；本发明采用前驱体预烧法，先把稀土氧化物和钛酸钡分散均匀后在1000‑1200℃焙烧0.5‑3h成为前驱体，以此增加钛酸钡中稀土元素的掺杂量，使制备的MLCC具有了极高的介电常数和平稳的介温特性曲线，以及低损耗、高绝缘电阻的优良综合性能、在电路中将具有更小的漏电流，更高的可靠性。
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