粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用

    公开(公告)号:CN113675129B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202110840302.X

    申请日:2021-07-24

    Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用,所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层,所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合,所述衬底为可透过紫外光衬底,所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中,用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合,实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力,进而提高转移良率和效率。

    一种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)-LED的集成器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116072696A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310222313.0

    申请日:2023-03-09

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)‑LED的集成器件,其特征在于,包括第一P型氮化镓层、量子阱层、N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、源极金属接触层、绝缘层、栅极金属接触层;所述N型氮化镓层、第一P型氮化镓层、缓冲层、衬底从上至下依次设置;所述栅极金属接触层嵌设于N型氮化镓层;所述栅极金属接触层一侧设有绝缘层,另一侧设有源极金属接触层;所述绝缘层和有源极金属接触层均设于N型氮化镓层上;所述绝缘层上侧从下至上依次设有量子阱层、第二P型氮化镓层和阳极金属接触层。本发明以绝缘层作为掩膜层,采用选择性生长LED外延层(SEG),简化制备工艺,同时避免ICP干法刻蚀工艺对LED器件表面造成损伤以引起的器件光电性能下降。

    粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用

    公开(公告)号:CN113675129A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110840302.X

    申请日:2021-07-24

    Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用,所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层,所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合,所述衬底为可透过紫外光衬底,所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中,用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合,实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力,进而提高转移良率和效率。

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