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公开(公告)号：CN114335328A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111432783.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种金属‑钛氧化物复合颗粒膜巨自旋霍尔角材料，属于自旋电子新材料技术领域。所述巨自旋霍尔角材料为生长于基片之上的金属‑钛氧化物复合薄膜；所述金属‑钛氧化物复合薄膜中，钛氧化物的摩尔百分比为1mol％～20mol％，金属的摩尔百分比为80mol％～99mol％。本发明提供的金属‑钛氧化物复合颗粒膜巨自旋霍尔角材料及制备方法和应用，方法简单易行，制备得到的金属‑钛氧化物复合薄膜相对于纯的金属薄膜，其室温下的自旋霍尔角度显著增加(铂‑氧化钛薄膜的室温自旋霍尔角度可达1.6，比纯铂的自旋霍尔角0.15提高了一个数量级)，室温自旋扩散长度减小。
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公开(公告)号：CN114275730A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111359184.7
申请日：2021-11-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种磁振子耦合共振型微纳称重器件与其制备方法，属于微纳电子功能器件技术领域，器件包括单晶衬底及位于单晶衬底上的短路共面波导和谐振器，谐振器位于短路共面波导的中心带与接地带之间；谐振器包括上层的压磁薄膜和下层的磁性薄膜，磁性薄膜的磁阻尼系数低于10‑3。优选地，磁性薄膜为钇铁石榴石薄膜，单晶衬底为[111]晶向的钆镓石榴石单晶基片。本发明基于全电磁方法精确称量质量在纳克级别的物体，相较于传统悬臂梁机械振动谐振频率测试方法，本发明对测量环境真空度要求不严格，降低成本，在微波频段具有较高测试灵敏度；采用低铁磁共振线宽的磁性薄膜使谐振器整体的吸收带宽变窄，有利于提取吸收峰信号。
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公开(公告)号：CN113203351A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110467778.3
申请日：2021-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种提高铁磁共振线宽测试精度的平面传输线结构，属于微波毫米波段磁性材料参数测试领域，包括依次串联的第一级标准特性阻抗接地共面波导、第一级非标准微带线、中间级非标准特性阻抗接地共面波导、第二级非标准微带线和第二级标准特性阻抗接地共面波导；第一、二级标准特性阻抗接地共面波导和由第一级非标准微带线、中间级非标准特性阻抗接地共面波导和第二级非标准微带线组成的传输线的特性阻抗均为50Ω；中间级非标准特性阻抗接地共面波导的信号线宽度和槽间距均为工艺极限值；第一、二级非标准微带线的长度均为四分之一中心频率波长。通过多级传输线变换，实现工艺极限值信号线宽度和槽间距的接地共面波导，提高测试精度。
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公开(公告)号：CN110373713B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910638571.0
申请日：2019-07-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种非互易自旋波波导材料及其制备方法和应用，属于新材料技术领域。所述非互易自旋波波导材料包括GGG单晶基片，以及依次形成于基片之上的钇铁石榴石单晶薄膜和稀土薄膜，其中，所述稀土薄膜为Dy、Tm、Lu、Nd等。本发明YIG/稀土异质结薄膜相对于单一YIG薄膜，其上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著变化。另一方面，本发明自旋波波导材料的厚度与单层YIG薄膜相比，并未发生明显改变，仅在YIG表面覆盖一层纳米厚度的稀土薄膜，为非互易性自旋波波导材料的研究和制备提供了一种新方案，在自旋电子学、自旋波波导、自旋波逻辑器件、量子计算等众多领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109962706B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910241222.5
申请日：2019-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于布洛赫型畴壁的自旋波逻辑器件，属于磁振子器件技术领域。该自旋波逻辑器件包括弯曲畴壁波导、激发自旋波的微带天线和接收天线；所述弯曲畴壁波导包括硬磁层和位于硬磁层之上的软磁层，所述激发自旋波的微带天线与弯曲畴壁波导的两端固定连接，所述接收天线位于弯曲畴壁波导对称轴上、且与弯曲畴壁波导的软磁层固定连接。本发明提供的一种自旋波逻辑器件，自旋波传输是基于布洛赫型畴壁波导，硬磁层通过交换耦合作用对软磁层有效场分布产生影响，使其形成纳米尺度的布洛赫型畴壁。因此，自旋波传输时无需外场能量输入，大大降低了系统的能耗，同时增强了自旋波的抗干扰性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109686798B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201811579272.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , C30B19/02
Abstract: 一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述复合薄膜包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。本发明提供的复合薄膜中，Bi半金属薄膜厚度的改变会导致复合薄膜红外光反射强度在中远红外波段呈现规律性变化，即Bi半金属薄膜厚度增加，复合薄膜的红外光反射强度减弱，光学吸收增强，光电效应增加，使得其在中远红外光电探测、光信息存储等多学科领域具有广泛的应用前景；同时，该复合薄膜在室温下就能实现对中远红外的光电探测，可广泛应用于红外光的探测、校对和识别。
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公开(公告)号：CN111292950A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911388135.9
申请日：2019-12-30
Applicant: 电子科技大学 , 厦门云天半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式磁心微型化三维电感的制作方法和电感，包括：精密磁心的制作工艺；三维互联通道刻蚀及填充；双面互联结构的制作工艺等。本发明采用微电子的工艺实现了带磁心的三维电感器件，实现小型化电感器件的同时，保留了较高的电感量，解决了小型化电感感值无法做大的矛盾；同时还提出了一种新的工艺解决方法，解决了高深宽比微槽、微孔结构的金属填充难题。
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公开(公告)号：CN110504354A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910638661.X
申请日：2019-07-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于反铁磁性材料的纳米太赫兹波振荡器阵列及制备方法，属于微波电子设备技术领域。所述纳米太赫兹波振荡器阵列为多个单元器件组成的阵列结构，所述单元器件包括非磁性重金属薄膜层和位于非磁性重金属薄膜层之上的反铁磁薄膜层，多个单元器件通过位于非磁性重金属薄膜层下表面的电极串联。本发明基于反铁磁性材料的纳米太赫兹波振荡器阵列，通过调节导电电极流过的电流强度可实现不同功率的高频太赫兹波输出，输出太赫兹波信号性能良好，并且结构简单，功耗低，易与CMOS集成。
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公开(公告)号：CN107025971B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710329753.0
申请日：2017-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01F1/40 , H01L29/167 , H01L21/02
Abstract: 具有室温铁磁性的稀磁半导体材料，包括一锗基片，一锗缓冲层，所述锗缓冲层生长于所述锗基片的表面，以及一锗铁薄膜，所述锗铁薄膜生长于所述锗缓冲层的表面，所述锗铁薄膜的组分为Ge1‑xFex，且x＝0.02‑0.05。本发明同时提供了该材料的制备方法。本发明得到的锗铁薄膜在室温(20℃)时具有铁磁性，饱和磁化强度4πMs在320‑450Gs范围，且导电性能强，电阻率在10‑3Ω·cm量级，由于其具有半导体和磁性材料的性质，即可以同时调控电子的电荷和自旋两种自由度，并且在室温下就具有铁磁性，在存储、通讯、计算等诸多领域将有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN105506554B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201511005884.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/24 , H01L31/0216
Abstract: 一种可见光/红外波段纳米光学吸收涂层及其制备方法，属于材料技术领域。包括金属基板及生长于金属基板上的具有光电响应特性的半导体光学涂层薄膜，所述金属基板为可见光/红外高反射率金属基板，所述半导体光学涂层薄膜的厚度为10nm～180nm，采用磁控溅射法、热蒸发法或分子束外延法等真空物理气相沉积方式生长。本发明得到的半导体光学涂层薄膜厚度为10～180nm时截止波长即可覆盖400nm～1800nm的范围，其厚度远小于光学吸收波长的1/4；且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点，在光学镜片涂层、超薄光电探测器以及太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。
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