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公开(公告)号：CN104980117A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510328918.3
申请日：2015-06-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及声表面波器件制造领域，具体涉及一种耐高温的柔性声表面波器件的结构及其制造方法。其结构从下至上依次为：底层保护层、柔性合金衬底、缓冲层、压电薄膜、叉指电极和顶层保护层。柔性合金衬底采用高温柔性合金带材；缓冲层和底层保护层为非晶氧化物薄膜；压电薄膜为氮化铝薄膜；叉指电极材料为金；顶层保护层为氮化铝薄膜。先将柔性合金衬底的预处理，再采用化学溶液浸渍提拉法制备非晶氧化物薄膜，然后制备压电薄膜和叉指电极，最后制备顶层保护层。本发明具有器件结构耐高温，并且拥有良好的柔性特性、质量轻、可工作于复杂的曲面环境和成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN104862659A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510263433.0
申请日：2015-05-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程：首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气，并使其中氮气的含量保持在20％～30％，待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜；然后以0.5sccm/min～4sccm/min的匀速在10～20分钟调节溅射腔体内氩气与氮气的比例，使氮气含量从先前20％～30％的含量增加到50％；最后不调整溅射功率，并在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器，结束薄膜生长。本发明可以在制备出同时满足C轴择优取向生长，表面晶粒生长正常，晶粒尺寸均匀，表面平整，适合制作声表面波器件的高质量氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN104101451A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410339943.7
申请日：2014-07-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种双敏感源的声表面波传感器，属于电子功能材料与器件技术领域。该传感器包括衬底基片，所述衬底基片为LGS衬底基片，衬底基片上设置有界面谐振器及AlN薄膜层，AlN薄膜层完全覆盖界面谐振器，AlN薄膜层上设置有表面谐振器，且表面谐振器在竖直方向的投影与界面谐振器的竖直投影重合，所述界面谐振器与表面谐振器皆为声表面波谐振器，声表面波谐振器中的金属薄膜电极的材质为耐高温金属。器件结构简单，能够同时对应力及温度进行有效监测，由于材质为LGS、AlN及耐高温金属，因而可适用于高温复杂环境，无源无线，稳定性强。本发明适用于对应力和温度同时进行监测。
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公开(公告)号：CN101599364A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910059863.5
申请日：2009-07-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及钡铁氧体薄膜，尤其是c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法。首先将硝酸铁、硝酸钡溶于水和乙二醇的混合溶剂中，得到混合溶液A；然后取一定体积L的混合溶液A，并按0.05~0.20g/ml的比例加入PVP，溶解得到溶胶B；再将步骤2溶胶B旋涂于(001)晶向的蓝宝石基片上，形成薄膜C；再薄膜C进行干燥和热处理，即得到c轴取向钡铁氧体薄膜。本发明具有工艺流程简单、成本低，对生产设备要求不高的特点；并且可实现薄膜的成分的方便调节和膜层厚度的控制。本发明所制备的c轴取向钡铁氧体薄膜具有结构和性能上的各向异性，可用于磁记录介质材料、微波铁氧体器件中。
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公开(公告)号：CN1269168C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310111073.X
申请日：2003-12-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明提供的一种微波/射频微机械开关，它包括：锚位(1)，基底(2)，第一信号线(5)，悬臂梁(6)，接触金属层(7)，第二信号线(8)，其特征是它还包括外加磁场导线(9)、磁致伸缩层(10)；在基底(2)上锚位(1)、外加磁场导线(9)以及第一信号线(5)和第二信号线(8)平行排列；悬臂梁(6)的固定端在锚位(1)上，悬空部分位于外加磁场导线(9)以及第一信号线(5)和第二信号线(8)正上方；悬臂梁(6)上为磁致伸缩层(10)；接触金属层(7)位于悬臂梁(6)悬空部分的正下方。本发明的磁致伸缩型微波/射频微机械开关具有驱动电压低、响应时间短的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1790542A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410081513.6
申请日：2004-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种菱形的磁性随机存储器存储单元，它包括：自由层(4)、绝缘层(5)、钉扎层(6)；其特征是所述的磁性随机存储器存储单元的俯视图形状是菱形，所述菱形的长轴a与短轴b之比(以下简称长宽比)大于等于2，即a/b＞＝2。由本发明提供的菱形的磁性随机存储器存储单元构成的磁性随机存储器具有信息记录准确、读写过程稳定及信息记录密度高等特点。
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公开(公告)号：CN118007065A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410208568.6
申请日：2024-02-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/54 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y15/00 , C23C14/02 , G01B7/16
Abstract: 一种PtW/Pt复合材料应变薄膜及其制备方法，属于薄膜传感器设计与生产技术领域。所述应变薄膜包括PtW层和Pt层；其中，PtW层的厚度为30～100nm，Pt层的厚度为300nm～2000nm，PtW层和Pt层的厚度比为1：(10～20)；PtW层中，W的质量百分含量为6～8％。本发明采用PtW和Pt双层薄膜结构，PtW层可以增强Pt在氧化物绝缘层上的附着力，抑制Pt的高温团聚，维持Pt薄膜的完整性和均匀性，保持Pt薄膜具有应变灵敏系数和高温稳定性，实现1000℃下应变的准确测量；同时严格控制PtW层和Pt层的厚度比，以及PtW层中W的含量，优化薄膜高温性能，保证薄膜在高温下对应变的准确测量。
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公开(公告)号：CN116494697A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310676778.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: B60F5/02 , B60F5/00 , B64U10/14 , B64U30/293 , B64U20/70 , B64U50/30 , B64U50/19 , B63H21/17 , B64U20/80 , B63G8/39 , B63G8/38
Abstract: 本发明公开了一种大载重多旋翼水空双动力跨介质无人机，包括无人机机架，所述无人机机架上按照“X”构型设定各成90°对称安装的机臂，所述机臂末端共轴安装水空动力系统，其中空中动力系统安装在机臂上表面，水下动力系统则与空中动力保持在同一轴线上，安装在机臂的下表面，在机架上方中心位置，安装全封闭式防水仓；在全封闭式防水仓外下方一侧安装用于测量深度的水深传感器与测距声呐，在防水仓外下方另一侧安装外置气压计，机架正下方安装全封闭的载荷仓。本发明在携带不少于10kg载荷的前提下，无人机通过外置的气压计协助无人机完成空中定高运动；通过水空共轴分布水空动力系统与可折叠机臂，实现无人机空中自由航行、水空跨介质运动、水下自由航行以及水下定点作业。
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公开(公告)号：CN116399398A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310366441.2
申请日：2023-04-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01D21/02 , C23C28/00 , C23C14/16 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C14/06 , C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/02 , C23C26/00
Abstract: 本发明属于薄膜传感器技术领域，尤其是对工作在高温、高压、高应力的航空发动机热端部件，具体提供一种应变温度双参量高温薄膜传感器及其制备方法。本发明采用新型复合绝缘层结构，自下而上依次叠层的微晶AlN层、非晶Al‑O‑N层和Al2O3绝缘层形成渐变过渡结构，各层结构化学键类型相似且热膨胀系数相近，有效地提高各层之间的附着性能；其中，微晶AlN层有效地促进了衬底向敏感薄膜的热量传递，提高了薄膜热电偶测温精度，并为薄膜应变计提供精确的温度补偿。同时，敏感功能层采用薄膜应变计和薄膜热电偶的不对称双结构设计，有效降低PtRh薄膜对应变测试产生的影响，提高高温应变测试的准确性，实现部件表面应变温度双参量的同位同时监测。
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公开(公告)号：CN114674875B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210244668.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于材料测试技术领域，具体涉及了一种压电薄膜纵向有效压电系数的测量方法。本发明基于不同电压激励下光纤激光干涉式PFM测量所得压电响应，用简谐振动模型描述探针‑样品振动行为，以减小热噪声的干扰和频率依赖性，利用简谐振动模型对压电响应多次拟合，提取出被测薄膜在不同激励下有效压电形变，结合不同激励下有效压电形变计算得到薄膜纵向有效压电系数，消除了PFM的压电响应信号频率依赖性和本底噪声的干扰，提高了信噪比。相比于传统压电系数测量方法本发明能实现精确的局部测量并绘制压电系数图谱，结果稳定且无频率依赖性。
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