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公开(公告)号：CN104362419B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410710470.7
申请日：2014-11-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P3/123
Abstract: 本发明公开一种超宽带人工表面等离子激元弯曲波导，主要由介质基板层和金属箔层构成。介质基板层和金属箔层均为直角弯板，金属箔层印制于介质基板的其中一侧表面上。金属箔层的表面蚀刻有波导结构，且波导结构的走向与金属箔层的中心线相一致。波导结构包括有表面等离子激元弯曲波导部分、2个转换部分和2个共面波导部分组成。第一共面波导部分经第一转换部分与表面等离子激元弯曲波导部分的一端相连，表面等离子激元弯曲波导部分的另一端经第二转换部分与第二共面波导部分相连。本发明不仅能够实现人工表面等离子激元的弯曲传输，而且能够有效降低介质损耗。
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公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206864579U
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201720768551.1
申请日：2017-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/17
Abstract: 本实用新型公开了一种基于黑磷的超宽带极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成，所述的单元结构包括依次堆叠的保护层、黑磷层、中间介质层、全反射面层；所述的黑磷层由n层黑磷片层组成，黑磷片层与片层之间由隔离介质层隔开，所述的保护层用于防止黑磷与空气或水接触，起到保护作用。该极化器开启了基于黑磷的圆极化器的设计，黑磷超材料的各向异性，使得线-圆极化转换成为可能；而黑磷的面内各向异性也可能对线-圆极化转换产生影响；同时，黑磷的单层原子的厚度有利于实现圆极化器的小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206422052U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720132443.5
申请日：2017-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/268 , H01L21/324
Abstract: 本实用新型公开一种红外探测器薄膜激光退火系统，包括激光器、扩束准直镜、光阑、高反镜、整形镜、平凸柱面镜、载物台和位移平台；红外探测器放置在载物台的表面，载物台安装在位移平台上；激光器、扩束准直镜和光阑位于同一直线上，整形镜、平凸柱面镜和载物台位于同一直线上；激光器产生的激光光束依次经过扩束准直镜和光阑后入射到高反镜，激光光束经高反镜的反射后改变方向，并依次经过整形镜和平凸柱面镜后入射到载物台上的红外探测器的薄膜表面。本实用新型具有加工时间短、效率高、工艺成本低、且不会影响芯片性能的特点。
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公开(公告)号：CN205194854U
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201521032768.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型公开一种超宽带电磁超表面圆极化器，由介质基板、印制在介质基板顶面的金属谐振阵列和印制在介质基板背面的金属接地板组成。金属谐振阵列由多个呈周期性矩阵排列的微缝耶路撒冷十字单元组成；每个微缝耶路撒冷十字单元的结构参数相同，并由2个正交的I形金属臂构成，即介质表面水平方向即X轴延伸的水平I形金属臂和介质表面垂直方向即Y轴延伸的垂直I形金属臂；水平I形金属臂的中部水平金属线的中心和垂直平I形金属臂的中部垂直金属线的中心相交；水平I形金属臂的中部水平金属线上刻蚀有2条贯穿该中部水平金属线的微型缝隙；这2条微型缝隙对称位于垂直I形金属臂的中部垂直金属线的左右两侧。本实用新型具有工作频率宽的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204577600U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201520311230.X
申请日：2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型为一种紧凑型圆极化微带天线及其天线阵，圆极化微带天线上下层介质板和基板为相同的正方形，正方形辐射贴片贴附于上层介质板上表面，基板贴附于下层介质板上表面，微带馈线贴附于下层介质板的下表面。基板与上层介质板间为空气层。基板的中心有纵横槽相互垂直平分的十字槽，顶层的辐射贴片四边上每边有3～7个凹槽，处于中心线上的凹槽最深，两侧凹槽深度逐渐减小，四边上的凹槽以辐射贴片中心为对称。本紧凑型圆极化微带天线为阵元构成天线阵。各功分器与各阵元馈线连接，多个阵元在同一平面上成一直线排列，或在同一平面上排列为正方形阵列。本新型圆极化特性更好，缩减天线尺寸，缩减天线阵阵元间距为0.6λ，天线阵结构紧凑。
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公开(公告)号：CN202487774U
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201220020052.1
申请日：2012-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种超宽带小型化分形天线，主要由接地板、双鞭天线和阻抗变换传输线构成；其中双鞭天线包括直立设置在接地板上的2根金属柱；阻抗变换传输线水平设置在接地板的上表面、且嵌在构成双鞭天线的2条金属柱之间；上述阻抗变换传输线包括2个或2个以上、并具有不同宽度的金属条，这些金属条随其自身宽度自小而大排列、并在金属条的长度方向上进行迭代连接，其中宽度最小的金属条与双鞭天线的1根金属柱连接、宽度最大的金属条与双鞭天线的另1根金属柱连接。本实用新型能够在有效降低天线尺寸的同时，保持较宽的频带、较高的辐射效率、较好的方向图特性。
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公开(公告)号：CN207441658U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721409390.3
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本实用新型公开了一种键合晶圆的结构，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构为包括第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆位于第一晶圆的上方，所述第一晶圆与第二晶圆之间设置有中间层，所述中间层包括气体通道和三氧化二铝层，所述气体通道设置在三氧化二铝层内，且气体通道横向贯穿三氧化二铝层的技术方案，该键合晶圆的结构，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207426168U
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201721572855.7
申请日：2017-11-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型公开一种基于石墨烯‑金属混合超表面的多功能THz极化转换器。自上而下由石墨烯‑金属混合超表面层、二氧化硅衬底层、硅介质基底层和金属地板层组成。石墨烯‑金属混合超表面层由多个石墨烯和金属超表面单元组成，这些石墨烯和金属超表面单元在二氧化硅衬底层的表面呈周期性排列。每个石墨烯和金属超表面单元由金属片和石墨烯片组成。金属片为蝶形，且金属片同时关于表面横向x轴对称和表面纵向y轴对称。本实用新型能够通过改变加载在石墨烯‑金属混合超表面层和硅介质基底层之间的偏置电压来达到调节石墨烯的费米能级的目的，从而实现本多功能极化转换器本体的线极化偏转和圆极化转换功能的切换。
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公开(公告)号：CN206574856U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720284292.5
申请日：2017-03-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型公开了一种反射型超宽带太赫兹极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成；所述的单元结构包括依次堆放的金属地板层、中间介质层和双开口谐振方环结构层；所述的金属双开口谐振方环结构层是由两个成中心对称的L形金属条组成各向异性的双开口方环结构。该极化器具有很强的实用性，能在太赫兹波段超宽带范围内高效地将线极化波转换为圆极化波，而且结构简单，易于加工、在宽入射角范围内仍具有良好的线-圆极化转换性能、具有极化可重构的特点。此外，通过调整结构参数，该极化器还能用于其它频段，在天线设计、隐身技术等方面具有广阔的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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