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公开(公告)号：CN102285793A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110162423.X
申请日：2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了B位复合Ba(Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3–xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y-u)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3-v(Li1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN102249659A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110162432.9
申请日：2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高居里温度铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法，它的组成通式为：（1-x-y）(BizM1-z)t(FeuM′1-u)O3–xBaTiO3–yBiMnO3，式中M为大离子半径的三价金属元素，M′为小离子半径的三价金属元素，x、y、u、t、z表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0≤x≤1.0，0≤y≤0.1，0
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公开(公告)号：CN101402521B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810073870.6
申请日：2008-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/457
Abstract: 本发明公开了一种NTC热敏导电陶瓷材料及其制备方法，它是以BaCO3、SrCO3、SnO2和Fe2O3为主要原料，混合球磨，烘干，得到Ba1-ySryFexSn1-xO3坯料，不掺杂或单独掺杂或复合掺杂后二次球磨Ba1-ySryFexSn1-xO3坯料；采用普通陶瓷制备工艺制备。本发明制备的NTC热敏导电陶瓷B值可以达到5100K，室温电阻率可降至2800Ω·m。本发明制备工艺简单，成本低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。
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公开(公告)号：CN101402523A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810073872.5
申请日：2008-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种复相NTC热敏陶瓷材料及其制备方法，它以BaCO3、SnO2和Bi2O3为主要原料，预先固相合成BaSnO3及BaBiO3坯料，二次混合球磨BaSnO3和BaBiO3坯料或在此混合坯料中掺杂微量Sb2O3和稀土元素氧化物后二次球磨，采用普通陶瓷制备工艺，在1100～1300℃下烧结成型。性能测试表明，本发明的复相NTC热敏陶瓷B值可以达到5000K以上，室温电阻率可降至200Ω·m。本发明制备工艺简单，物料损耗小，成本较低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。
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公开(公告)号：CN101402522A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810073871.0
申请日：2008-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种新型锡酸钡基导电陶瓷材料及其制备方法，它是在易于半导体化的BaSnO3中添加锑的氧化物，实现施主掺杂，采用传统陶瓷制备工艺，形成导电陶瓷，其成分可以用通式BaSbxSn1－xO3来表示，其中0＜x≤0.2。这种陶瓷材料成本低、导电性好、化学性能稳定、电阻率稳定、耐高温。常温电阻率可达1.0Ω·cm以下。而且制备工艺简单、稳定、实用性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119118654A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411153279.7
申请日：2024-08-21
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林航天工业学院 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种双层微波介质陶瓷材料及其制备方法，本发明采用提高预烧温度、控制成分叠层压力和控制烧结过程的方式控制收缩率，制备出表面平整、内部致密的叠层结构微波介质陶瓷材料，该材料不仅保留了各单层材料的优势性能，如介电常数高、温度稳定性好等，还通过叠层结构的设计，实现了性能上的互补和增强，该材料不仅具有高介电常数、高热稳定性等优点，还具有制备工艺简单、成本低廉等特点，从而解决了现有的双层微波介质陶瓷材料制造工艺复杂且生产成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN113174098B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110437007.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C08L23/06 , C08K3/38 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01P1/20 , H01P5/12 , H01P7/10
Abstract: 本发明公开了一种防水解硼酸基微波介质聚合物陶瓷材料及其制备方法，按照质量比称量H3BO3和PE，并将得到的粗粉、镐球和无水乙醇按照预设的质量比置于行星球磨机进行湿法球磨，得浆料；将所述浆料置于预设恒温烘箱中进行烘干，并将得到的混合料通过设定规格的网筛进行分离，得到(1‑x)H3BO3‑xPE粉体；将所述粉体放置玛瑙研钵中细磨，并将研磨后的粉体置于模具中，在设定的加压环境下压制成型，随后，将得到的圆柱体胚体置于马弗炉中进行烧结，得到硼酸基微波介质聚合物陶瓷，有效的提升了纯硼酸陶瓷材料的综合性能。
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公开(公告)号：CN108675786B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810669000.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法，材料组成为：Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法，结合热处理技术，生长无铅压电微‑纳米线，长度在3‑8μm，直径为100‑500nm，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107043253B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201710331201.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷，其特征在于，组成通式：(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV，优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2，绿色环保。
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公开(公告)号：CN107032786B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201710330694.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷，其特征在于，组成通式为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0
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