公开(公告)号：CN100423203C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN02824391.9

申请日：2002-12-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  樱井邦彦 ,  吉田博 ,  市村照彦

IPC: H01L21/304

Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206)，在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209)，相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b)；和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c)，连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

公开(公告)号：CN100415447C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN03800759.2

申请日：2003-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  福岛诚 ,  樱井邦彦 ,  吉田博 ,  锅谷治 ,  市村照彦

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  H01L21/30625 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明的抛光方法，用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W)，把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法，其特征在于：把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上，在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70)，把加压流体供给到上述压力室(70)内，利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨，从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体，这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。

公开(公告)号：CN101241843A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810081220.6

申请日：2004-02-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  锅谷治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B55/00 ,  B24B49/16 ,  B24B37/04 ,  B24B29/00

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B24B37/30 ,  B24B49/16 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明提供一种衬底抛光方法，包括：经由多个流体通道将流体提供给多个压力室；将多个传感器分别设置在所述多个流体通道中，用于检测流过所述多个流体通道的所述流体的流动状态；当在所述多个流体通道的两个相邻流体通道中的二个所述传感器检测到所述流体的固定流动方向时，则判断为发生流体泄露并停止抛光所述衬底。

公开(公告)号：CN1698185A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN02824391.9

申请日：2002-12-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  樱井邦彦 ,  吉田博 ,  市村照彦

IPC: H01L21/304

Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(topring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206)，在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209)，相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b)：和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c)，连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

公开(公告)号：CN1565049A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN03801220.0

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 若林聪 ,  户川哲二 ,  小菅隆一 ,  阿藤浩司 ,  外崎宏

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/345 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明的抛光装置，配备多个研磨单元(30A～30D)，该研磨单元设置使该研磨单元的顶环(301A～301D)在研磨面上的研磨位置与研磨对象物的交接位置之间移动的移动机构，并设置在包含前述研磨对象物的交接位置在内的多个搬运位置(TP1～TP7)之间将研磨对象物搬运的直动式搬运机构(5，6)，在作为前述研磨对象物的交接位置的前述直动式搬运机构的搬运位置(TP2，TP3，TP6，TP7)上，设置在该直动式搬运机构(5，6)和顶环(301A～301D)之间交接研磨对象物的交接机(33，34，37，38)。

公开(公告)号：CN1473357A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN01804554.5

申请日：2001-12-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 近藤文雄 ,  三岛浩二 ,  田中亮 ,  铃木庸子 ,  户川哲二 ,  井上裕章

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/245 ,  B24B37/345 ,  B24B41/061 ,  B24B49/16 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/67396 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种基片加工方法，包括在一个基片的表面上形成铜膜的步骤。这些步骤包括：通过电镀将第一金属填充到沟道中以便在基片的整个表面上形成一个第一金属的镀膜的步骤，其中通过虚阳极调节电磁场，以便基片的中心部分和周边部分之间的镀膜厚度的差被最小化，并且通过将基片压在抛光表面上抛光并去除镀膜，其中，在中心部分和周边部分处将基片压在抛光表面上的压力被调节。

公开(公告)号：CN110391171B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910298873.8

申请日：2019-04-15

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林贤一 ,  户川哲二

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种即使在晶片等基板的整个上表面附着有异物的情况下也能够将该异物除去的基板处理装置。基板处理装置具备基板保持装置(1)和擦洗基板(W)的上表面(US)的处理头(50)。基板保持装置(1)具备：保持基板(W)的基板保持架(5)和使保持于基板保持架(5)的基板(W)旋转的基板旋转机构(10)。基板保持架(5)以在基板(W)保持于基板保持架(5)的状态下不突出到比基板(W)的上表面(US)靠上方的位置的方式配置于比基板(W)的上表面(US)靠下方的位置。

公开(公告)号：CN110000689B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201910007722.2

申请日：2019-01-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林贤一 ,  户川哲二

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供了用于面朝上式的研磨装置的研磨头、具备该研磨头的研磨装置及使用了该研磨装置的研磨方法。在面朝上式的研磨装置中，不经由旋转接头就供给研磨液。作为一实施方式，本申请公开了一种研磨头，该研磨头在下表面安装研磨垫来使用，该研磨头用于面朝上式的研磨装置，该研磨头具备：液体贮存部，该液体贮存部设于研磨头的旋转轴的周围，且用于接收液体；及液体排出口，该液体排出口设于研磨头的下表面，且用于排出由液体贮存部接收到的液体，在研磨头的上部形成有以研磨头的旋转轴为中心的环状的开口，液体贮存部经由开口而研磨头的外部的空间连通。

公开(公告)号：CN112706002A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011147586.6

申请日：2020-10-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 石井遊 ,  户川哲二 ,  吉田笃史

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供能够正确确定基板的研磨终点的研磨方法及研磨装置。本方法为，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，由研磨头(10)将基板(W)向研磨垫(2)的研磨面(2a)按压而对基板(W)进行研磨，对基板(W)进行研磨的工序包括一面使研磨头(10)沿着研磨面(2a)摆动一面对基板(W)进行研磨的摆动研磨工序，和在使研磨头(10)的摆动停止的状态下对基板(W)进行研磨的静止研磨工序，静止研磨工序在摆动研磨工序后进行，静止研磨工序包括确定静止研磨终点的工序，该静止研磨终点是用来使研磨台(3)旋转的转矩的变化的比例达到变化比例阈值的时间点。

公开(公告)号：CN106944402A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710011014.7

申请日：2017-01-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小泽卓 ,  横山俊夫 ,  户川哲二

IPC: B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B13/00 ,  B08B1/02 ,  B08B11/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/024 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/0071 ,  B08B2230/01 ,  G03F7/422 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  B08B1/02 ,  B08B11/00 ,  B08B13/00 ,  H01L21/67023

Abstract: 清洗装置(1)具有：加热单元(5)，其对基板(W)的清洗面进行加热；清洗单元(6)，其向基板(W)的清洗面供给臭氧水而对清洗面进行清洗；以及控制单元(7)，其对清洗面的加热和清洗液的供给进行控制，以使得在对基板(W)的清洗面进行了加热之后对清洗面进行清洗。