公开(公告)号：CN1083597C

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN97110841.2

申请日：1997-04-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上口裕三 ,  齐藤明子 ,  齐藤和浩 ,  福泽英明 ,  岩崎仁志 ,  佐桥政司

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁致电阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的自旋阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。或者第1磁性层改为由磁性基底层和铁磁性体层的叠层膜构成，在上述磁性基底层和铁磁性体层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。