公开(公告)号：CN108781064A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780017368.0

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  吉野隆史 ,  后藤万佐司 ,  滑川政彦

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H01L41/39 ,  H03H9/25

Abstract: 在压电性材料基板1上形成接合层3，接合层3包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面4和支撑基板的表面照射中性束A，将接合层的表面和支撑基板的表面活化。将接合层的表面5与支撑基板的表面直接键合。

公开(公告)号：CN108291329A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068330.1

申请日：2016-08-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 结晶基板1包括：由13族元素氮化物结晶形成、具有第一主面2a和第二主面2b的基底层2、以及、设置在基底层的第一主面上的由13族元素氮化物形成的厚膜3。基底层2包含：在第一主面2a与第二主面2b之间贯穿的低载流子浓度区域5和高载流子浓度区域4，低载流子浓度区域5的载流子浓度为1017/cm3以下，低载流子浓度区域5的缺陷密度为107/cm2以下，高载流子浓度区域4的载流子浓度为1019/cm3以上，高载流子浓度区域4的缺陷密度为108/cm2以上。厚膜3的载流子浓度为1018/cm3～1019/cm3，厚膜3的缺陷密度为107/cm2以下。

公开(公告)号：CN105393336B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201480034478.4

申请日：2014-07-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈義孝 ,  岩崎康范 ,  吉野隆史

IPC: H01L21/208 ,  C30B9/12 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B9/12 ,  C30B19/12 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/38 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  H01L33/007

Abstract: 一种复合基板，具备：多晶陶瓷基板，直接接合于多晶陶瓷基板的硅基板，通过气相法设置在硅基板上的包含13族元素氮化物的晶种膜，以及通过助熔剂法在该晶种膜上结晶生长而成的氮化镓结晶层。

公开(公告)号：CN107208312A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680004629.0

申请日：2016-01-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 吉野隆史 ,  今井克宏 ,  坂井正宏

IPC: C30B29/38

Abstract: 自立基板包括第一氮化物层和第二氮化物层，该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，该第二氮化物层通过钠助熔剂法在第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物。第一氮化物层中，排列有多个在第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第二氮化物层中，排列有多个在第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第一氮化物层的厚度大于第二氮化物层的厚度。

公开(公告)号：CN107002286A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580065227.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B19/10 ,  C30B25/16

CPC classification number: C30B29/406 ,  C23C16/34 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

Abstract: 在结晶层3的与主面3a、3b垂直的截面处，存在载流子浓度为1×1018/cm3以上的高载流子浓度区域9和载流子浓度为9×1017/cm3以下的低载流子浓度区域10，低载流子浓度区域9为细长的形状，低载流子浓度区域9具有缔合部11，低载流子浓度区域9在一对主面3a、3b之间连续。

公开(公告)号：CN107002285A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580065216.9

申请日：2015-10-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 吉野隆史 ,  今井克宏 ,  下平孝直 ,  和田敬

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/12

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B9/12 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 结晶培养装置包括：耐压容器、设置于耐压容器的内侧的多个支撑台、分别载置于各支撑台上的内侧容器、分别收纳在各内侧容器中的培养容器、对培养容器进行加热的加热设备、以及连接于多个支撑台的中央旋转轴。中央旋转轴和各反应容器的各中心轴相分离。在培养容器中收纳晶种、13族元素原料及助熔剂，在对培养容器进行加热而生成熔液、同时将含氮气体供给到熔液而使13族元素氮化物结晶生长时，使中央旋转轴进行旋转。

公开(公告)号：CN105765802A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480063207.1

申请日：2014-11-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 近藤顺悟 ,  山口省一郎 ,  吉野隆史 ,  武内幸久

IPC: H01S5/14

Abstract: 不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模，提高波长稳定性，抑制光强度变动。外部谐振器型发光装置具备单独使半导体激光振荡的光源、以及与该光源构成外部谐振器的进行单模振荡的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备：光波导，其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面；布拉格光栅，其形成在光波导内；以及传播部，其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)～式(5)的关系。

公开(公告)号：CN105658849A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201580001462.8

申请日：2015-06-25

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润 ,  七泷努 ,  今井克宏 ,  杉山智彦 ,  吉野隆史 ,  武内幸久 ,  佐藤圭

IPC: C30B29/38 ,  H01L33/02

CPC classification number: C30B29/38 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。

公开(公告)号：CN103732809A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280038697.0

申请日：2012-07-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  平尾崇行 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B33/08 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403 ,  C30B33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10T156/11

Abstract: 在晶种基板11的培养面上，通过助熔剂法，从含有助熔剂以及13族元素的熔液，在含氮气氛下设置13族元素氮化物膜3。在13族元素氮化物膜3的自晶种基板11侧的界面11a起50μm以下的区域，设置有分布了来自熔液成分的夹杂物的夹杂物分布层3a，在夹杂物分布层3a上，设置有夹杂物很少的夹杂物缺乏层3b。从晶种基板11的背面1b侧照射激光A，通过激光剥离法，将13族元素氮化物单晶3从晶种基板11剥离。

公开(公告)号：CN101026365B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200710078708.9

申请日：2007-02-25

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK光陶瓷株式会社

Inventor： 吉野隆史 ,  山口省一郎 ,  岩田雄一 ,  浜岛章 ,  铃木健吾

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/15

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02023 ,  H03H9/02031 ,  H03H9/02039 ,  H03H9/02055 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/173 ,  H03H9/564 ,  H03H9/568 ,  H03H2003/021 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49005

Abstract: 本发明的压电薄膜器件可提高构成压电薄膜的压电材料或压电体薄膜中结晶方位的选择自由度。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，通过对压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但由去除加工得到的压电体薄膜(111)不能单独承受自重，所以在去除加工前预先将包含压电体基板的所定部件粘接在用作支撑体的底座基板(13)上。