公开(公告)号：CN1221947C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN01109991.7

申请日：2001-08-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 榊间博 ,  川分康博 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁电阻效应装置，包括：一自由层，其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转；一非磁性层；和一被钉扎层，其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转，该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上，其中该被钉扎层包括：一用于交换耦合的第一非磁性膜；和通过该第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜，该第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。

公开(公告)号：CN1353414A

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：CN01137453.5

申请日：2001-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平本雅祥 ,  松川望 ,  小田川明弘 ,  足立秀明 ,  饭岛贤二 ,  榊间博 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/52

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3916 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295

Abstract: 一种磁致电阻元件,包括磁性衬底;磁性层;和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。

公开(公告)号：CN1230744A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN99100206.7

申请日：1999-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 榊间博 ,  广田荣一 ,  川分康博 ,  里见三男 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/302 ,  H01L43/10 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜,其包括铁磁层和锁定层,所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向,该锁定层包括(AB)2Ox层,其中O代表氧原子;2.8

公开(公告)号：CN1217529A

公开(公告)日：1999-05-26

申请号：CN98122500.4

申请日：1998-11-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川分康博 ,  榊间博 ,  里见三男 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3919 ,  G11B5/3925 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括:一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层;此磁旋抑制层包括一Fe－M－O层(其中M’=Al,Ti,Co,Mn,Cr,Ni或V)。