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公开(公告)号：CN102484113A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037465.4
申请日：2010-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L27/101 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种不受基底的影响而稳定进行电阻变化、适合于大容量化的电阻变化型的半导体存储装置及其制造方法。本发明的半导体存储装置具备：在贯通第一层间绝缘层(102)而形成的第一接触孔(103)的内部形成的第一接触插塞(104)；与第一层间绝缘层(102)上的膜厚相比第一接触插塞(104)上的膜厚更厚且上表面平坦的下部电极(105)；电阻变化层(106)；以及上部电极(107)。下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成电阻变化元件。
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公开(公告)号：CN101506980B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200780030511.6
申请日：2007-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明的非易失性半导体存储装置(10)备有基板(11)、形成在基板(11)上的下层电极布线(15)、配置在包含下层电极布线(15)的基板(11)上并在与下层电极布线(15)相对的位置上形成接触孔的层间绝缘层(16)、与下层电极布线(15)连接的电阻变化层(18)、和与电阻变化层(18)连接并形成在电阻变化层(18)上的非欧姆性元件(20)，非欧姆性元件(20)由多个半导体层的层叠结构，金属电极体层和绝缘层的层叠结构或金属电极体层和半导体层的层叠结构形成，在接触孔中埋入形成上述层叠结构中的某一层，并且，层叠结构的其它层内的半导体层或绝缘体层具有比接触孔的开口大的面积，由在层间绝缘层(16)上形成的构成形成。
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公开(公告)号：CN101842897B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200880114293.9
申请日：2008-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L49/02
CPC classification number: H01L27/24 , H01L27/1021
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置和其制造方法。本发明的非易失性半导体存储装置的特征在于，包括：基板(1)；第一配线(2)；由电阻变化元件(5)和二极管元件(6)的一部分构成的存储器单元；与第一配线(2)正交并且含有二极管元件(6)的剩余部分的第二配线(11)；和隔着层间绝缘层(12)形成的上层配线(13)，其中，第一配线(2)通过第一接触部(14)与上层配线(13)连接，第二配线(11)通过第二接触部(15)与上层配线(13)连接。
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公开(公告)号：CN101395716B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200780007376.3
申请日：2007-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其包括：下部电极层(2)；在下部电极层(2)的上方形成的上部电极层(4)；和在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间形成的金属氧化物薄膜层(3)，金属氧化物薄膜层(3)包括：通过在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间施加的电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域(3a)；和配置在第一区域(3a)的周围且氧含有量比第一区域(3a)多的第二区域(3b)，下部电极层(2)和上部电极层(4)与第一区域(3a)的至少一部分以从第一区域(3a)的厚度方向看重叠的方式配置。
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公开(公告)号：CN101952954A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105943.8
申请日：2009-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , H01L27/24
Abstract: 本发明的半导体装置(100)在最上层布线(114)上，形成层间绝缘膜(115)，贯通该层间绝缘膜(115)，形成接点(116，117)，电阻变化元件的下部电极(118a)覆盖接点(116)，形成在层间绝缘膜(115)上，电阻变化层(119)覆盖下部电极(118a)以及接点(117)，形成在层间绝缘膜(115)上，这里，接点(116)以及下部电极(118a)具有第1端子的功能，接点(117)具有第2端子的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101878530A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200980101132.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。
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公开(公告)号：CN101861649A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116054.7
申请日：2008-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：形成于第一配线(11)与第二配线(14)的交叉部的导通孔(12)、和电流控制层(13b)被第一电极层(13a)和第二电极层(13c)夹着的电流控制元件(13)，在导通孔(12)内形成有电阻变化元件(15)，第一电极层(13a)以覆盖导通孔(12)的方式配置，电流控制层(13b)以覆盖第一电极层(13a)的方式配置，第二电极层(13c)配置于电流控制层(13b)之上，第二配线的配线层(14a)配置于第二电极层(13c)之上，第二配线(14)具有由电流控制层(13b)、第二电极层(13c)和第二配线的配线层(14a)构成的结构。
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公开(公告)号：CN101842897A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880114293.9
申请日：2008-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L49/02
CPC classification number: H01L27/24 , H01L27/1021
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置和其制造方法。本发明的非易失性半导体存储装置的特征在于，包括：基板(1)；第一配线(2)；由电阻变化元件(5)和二极管元件(6)的一部分构成的存储器单元；与第一配线(2)正交并且含有二极管元件(6)的剩余部分的第二配线(11)；和隔着层间绝缘层(12)形成的上层配线(13)，其中，第一配线(2)通过第一接触部(14)与上层配线(13)连接，第二配线(11)通过第二接触部(15)与上层配线(13)连接。
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公开(公告)号：CN100563008C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200510070086.6
申请日：2005-05-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8242 , G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：相互留着间隔形成在半导体衬底上的第一杂质扩散层和第二杂质扩散层、第一层间绝缘膜、第一接触插塞、第二层间绝缘膜、第一开口部以及由形成在第一开口部的壁部、底部与第一接触插塞的上端电连接的第一金属膜(下电极)、铁电体膜(电容绝缘膜)及第二金属膜(上电极)构成的电容元件。第二杂质扩散层和上电极，通过第二接触插塞和形成在第二开口部的壁部、底部的第二金属膜电连接。因此，在具有立体层叠型结构的介电存储元件中，能实现把上电极的电位引出到扩散层的结构。
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公开(公告)号：CN101395716A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007376.3
申请日：2007-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其包括：下部电极层(2)；在下部电极层(2)的上方形成的上部电极层(4)；和在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间形成的金属氧化物薄膜层(3)，金属氧化物薄膜层(3)包括：通过在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间施加的电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域(3a)；和配置在第一区域(3a)的周围且氧含有量比第一区域(3a)多的第二区域(3b)，下部电极层(2)和上部电极层(4)与第一区域(3a)的至少一部分以从第一区域(3a)的厚度方向看重叠的方式配置。
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