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公开(公告)号：CN111349960A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911293312.5
申请日：2019-12-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种通过将液体从基板保持件的密封件除去，从而能够防止液体与电触点的接触的方法。在本方法中，在使基板保持件(24)的密封件(48)以及电触点(50)与基板W接触的状态下，使基板W浸渍于镀覆液，在存在镀覆液的情况下，在基板W与阳极(26)之间施加电压对基板W进行镀覆，将被镀覆的基板W从镀覆液中拉起，使密封件(48)与被镀覆的基板W分离，在被镀覆的基板W与密封件(48)之间的间隙G1形成从基板保持件(24)的内部朝向外部的气流。
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公开(公告)号：CN102699794B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210083648.0
申请日：2012-03-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B21/002 , B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/006 , B24B21/008 , B24B21/20
Abstract: 本发明提供一种研磨装置和研磨方法，研磨装置具有能够通过研磨衬底的周缘部而形成直角的截面形状的研磨单元。研磨单元包括：具有将研磨带相对于衬底(W)的周缘部从上方压靠的按压构件的研磨头；向研磨头供给研磨带，并从研磨头回收研磨带的带供给回收机构；使研磨头沿衬底(W)的半径方向移动的第1移动机构；以及使带供给回收机构沿衬底(W)的半径方向移动的第2移动机构。引导辊以研磨带与衬底(W)的切线方向平行地延伸且研磨带的研磨面与衬底(W)的表面平行的方式配置。
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公开(公告)号：CN1833314A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022684.X
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法，用于执行化学液体处理、清洗处理、干燥处理或类似处理，同时旋转基片，例如半导体晶片或液晶基片。本发明还涉及用于固定和旋转基片的基片固定装置。该基片处理装置(1)用于处理基片(W)并同时向基片(W)提供流体，包括：基片固定器(11)，用于固定和旋转基片(W)；和固定器抽吸单元(24)，用于从基片固定器(11)抽吸流体。该基片固定装置包括：多个压辊(20)，与基片(W)的边缘部分接触，从而固定和旋转基片(W)；和至少一个移动机构(303a)，用于移动压辊(20)。
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公开(公告)号：CN115003865B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202080071289.X
申请日：2020-12-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 通过简单的构造减少附着于被镀覆面的气泡的量。基板的接液方法包括：保持步骤(102)，在该步骤中，以使基板的被镀覆面与收容于镀覆槽的镀覆液的液面相向的方式通过背板保持基板的背面；供给步骤(104)，在该步骤中，通过以镀覆液向上穿过配置于镀覆槽内的阻挡体的中央部的多个贯通孔的方式对镀覆槽内供给镀覆液而使镀覆液的液面的中央部鼓起；第1下降步骤(106)，在该步骤中，使支承构件朝向镀覆液的液面下降，上述支承构件用于支承被保持构件保持的基板的被镀覆面的外缘部；以及第2下降步骤(108)，在该步骤中，在通过供给步骤(104)而使镀覆液的液面的中央部鼓起的状态下，以由通过第1下降步骤(106)而下降的支承构件与保持构件夹持基板的方式使保持构件下降。
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公开(公告)号：CN116097077A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202280006005.8
申请日：2022-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种判定镀覆液向触点部件的配置区域的泄漏的有无的技术。泄漏判定方法包括：排出步骤(120)，在该排出步骤中，在将被基板保持器保持的基板浸渍于镀覆液并进行镀覆处理之后，对基板保持器的触点部件排出清洗液；测量步骤(122)，在该测量步骤中，测量清洗触点部件之后的清洗液的导电率；以及判定步骤(128)，在该判定步骤中，基于针对成为基准的基板保持器预先测量出的清洗液的第1导电率与通过测量步骤(122)测量出的清洗液的第2导电率的比较来判定镀覆液向触点部件的配置区域的泄漏的有无。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115003865A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202080071289.X
申请日：2020-12-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 通过简单的构造减少附着于被镀覆面的气泡的量。基板的接液方法包括：保持步骤(102)，在该步骤中，以使基板的被镀覆面与收容于镀覆槽的镀覆液的液面相向的方式通过背板保持基板的背面；供给步骤(104)，在该步骤中，通过以镀覆液向上穿过配置于镀覆槽内的阻挡体的中央部的多个贯通孔的方式对镀覆槽内供给镀覆液而使镀覆液的液面的中央部鼓起；第1下降步骤(106)，在该步骤中，使支承构件朝向镀覆液的液面下降，上述支承构件用于支承被保持构件保持的基板的被镀覆面的外缘部；以及第2下降步骤(108)，在该步骤中，在通过供给步骤(104)而使镀覆液的液面的中央部鼓起的状态下，以由通过第1下降步骤(106)而下降的支承构件与保持构件夹持基板的方式使保持构件下降。
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公开(公告)号：CN114616360A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202180005800.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 关正也
Abstract: 提高基板的被处理面的清洗处理和脱气处理的效率。预湿模块(200)具备：工作台(220)，其构成为对使被处理面(WF‑a)向上的基板(WF)的背面进行保持；旋转机构(224)，其构成为使工作台(220)旋转；预湿室(260)，其具备具有与基板(WF)的被处理面(WF‑a)相向的相向面(262a)的盖构件(262)和安装于盖构件(262)的相向面(262a)的外缘部的筒状构件(264)；升降机构(230)，其构成为使预湿室(260)升降；脱气液供给构件(204)，其构成为对形成于预湿室(260)与基板(WF)的被处理面(WF‑a)之间的预湿空间(269)供给脱气液；喷嘴(268)，其安装于盖构件(262)的相向面(262a)；以及清洗液供给构件(202)，其构成为经由喷嘴(268)而对基板(WF)的被处理面(WF‑a)供给清洗液。
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公开(公告)号：CN114430780A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202080067282.0
申请日：2020-08-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25D17/06 , C25D17/00 , C25D7/00 , C23C18/16 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供即便在基板从支承面承受摩擦力等的情况下也能够进行基板的定位的基板支架以及基板处理装置。本发明的基板支架(200)具备：第一保持部件(300)；第二保持部件(500)，其用于与第一保持部件(300)一起夹持基板(W)；3个以上的定位部件(360)，其具有用于与基板(W)的侧端部接触的接触面(342)；第一移动部件(380)，其维持理想轴线(L)与各个定位部件(360)的接触面(376)之间的各距离相等的状态，并具有多个卡合部(384)，该多个卡合部(384)与各个定位部件(360)卡合，使定位部件(360)移动；以及第一施力部件(310)，其对第一移动部件(380)施力，第一移动部件(380)将第一施力部件(310)的作用力传递至各个定位部件(360)，通过传递的作用力以接触面(376)向理想轴线(L)接近的朝向对定位部件(360)施力。
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公开(公告)号：CN113825860A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080035595.8
申请日：2020-07-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及基板保持器及具备该基板保持器的基板镀覆装置、以及电接点。本发明提供一种用于对基板的表面进行镀覆的基板保持器，该基板具备能够容易地进行更换的电接点。基板保持器(1)的特征在于，具备：第一保持部件(2)；第二保持部件(3)，具有用于使基板(W)的表面露出的开口部(3a)，与第一保持部件(2)一起夹住并保持基板(W)；多个卡合轴部(36)，在末端部具有膨头状的头部(36b)，沿第二保持部件(2)的周向配置；以及电接点(32)，具有与基板(W)的边缘部抵接的接点部(32d)，且具有与相邻的卡合轴部(36)卡合并沿着第二保持部件(3)的开口部(3a)的周围排列的切口状的卡合承接部(32d)。
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公开(公告)号：CN110732944A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910645186.9
申请日：2019-07-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种能够在晶片等基板的边缘部形成具有直角截面的阶梯形状的凹陷的研磨装置及研磨方法。研磨装置在基板(W)的边缘部形成阶梯形状的凹陷。研磨装置具备使基板(W)以旋转轴心CL为中心旋转该基板旋转装置(3)；具有将研磨带(38)按压于基板(W)的边缘部的第一外周面(51a)的第一辊(51)；以及具有与第一外周面(51a)接触的第二外周面(54a)的第二辊(54)，第二辊(54)具有限制研磨带(38)向远离旋转轴心CL的方向的运动的带止挡面(75)，带止挡面(75)位于第一外周面(51a)的半径方向外侧。
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