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公开(公告)号：CN108509315B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810254552.3
申请日：2018-03-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种处理器性能评测比较方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待评测处理器的类型和评测核温值；根据待评测处理器的类型从预设评测模型中获取对应的评测模型，得到目标评测模型；根据评测核温值和目标评测模型，计算得到不同类型的待评测处理器对应的性能评测结果；根据性能评测结果对不同类型的待评测处理器的性能进行比较，得到比较结果并输出。通过获取待评测处理器对应的可用于表征待评测处理器的核温和评测结果的函数关系的目标评测模型计算出待评测处理器在特定核温下的性能评测结果，避免了待评测处理器的内部运行状态不一致对待评测处理器性能评测结果产生影响的误差问题，提高了性能评测和比较的准确性。
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公开(公告)号：CN109596418A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201910064731.5
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
CPC classification number: G01N3/04 , G01N3/08 , G01N2203/0017 , G01N2203/0411
Abstract: 本发明涉及一种应用于CGA抗拉强度试验的夹具及试验机，该夹具包括夹持座、第一夹爪和第二夹爪。夹持座用于固定于试验机本体上。第一夹爪的一端与夹持座连接，第一夹爪上设有第一夹持面，第一夹持面设有第一弧形凹槽和第一摩擦抵接部。第二夹爪的一端与夹持座连接，第二夹爪上设有与第一夹持面相对设置的第二夹持面，第二夹持面设有第二弧形凹槽和第二摩擦抵接部，第一弧形凹槽和第二弧形凹槽相对设置，第一摩擦抵接部和第二摩擦抵接部相对设置。该应用于CGA抗拉强度试验的夹具及试验机能在夹紧固定焊柱的同时又不损伤夹具，提高了CGA抗拉强度试验的准确率。
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公开(公告)号：CN108897524A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810549219.5
申请日：2018-05-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F7/544
CPC classification number: G06F7/544
Abstract: 本申请涉及一种除法函数处理电路、方法、芯片以及系统，该除法函数处理电路包括：第一函数电路，用于获取待处理除法函数的变量值，并运行二阶函数处理模型以得到二阶函数值；第二函数电路，用于获取待处理除法函数的变量值，并运行二阶非线性插值函数处理模型以得到二阶非线性插值函数值；第一乘法器，用于获取二阶函数值与二阶非线性插值函数值的乘积，并将乘积作为待处理除法函数的结果值输出。通过利用二阶函数处理模型与二阶非线性插值函数处理模型来对待处理除法函数进行计算，从而可以对待处理除法函数进行高精度近似计算处理，此外，通过平方运算可以减少乘法器的使用，从而减少硬件资源消耗，降低计算成本。
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公开(公告)号：CN108572312A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810326922.X
申请日：2018-04-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种SoC芯片测试方法、装置、系统和SoC芯片测试验证板。所述方法包括：获取待测SoC芯片的芯片架构类型，根据芯片架构类型、测试程序框架和芯片接口驱动函数数据库生成芯片测试程序，测试程序框架用于完成多种芯片架构类型的测试项，芯片接口驱动函数数据库包括完成各测试项的接口驱动函数，根据测试程序对待测SoC芯片进行测试。本方法能够根据待测SoC芯片的芯片架构类型、测试程序框架和芯片接口驱动函数数据库可以生成适用于该待测SoC芯片的测试程序，并对待测SoC芯片进行测试，可以通用于各种不同芯片架构类型的待测芯片的测试，避免对各种SoC芯片进行单独开发测试程序，以及减少单独开发测试程序所耗费的人力和时间，降低SoC芯片测试的成本。
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公开(公告)号：CN105444706A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610069964.0
申请日：2016-01-29
Applicant: 工业和信息化部电子第五研究所 , 广州赛宝仪器设备有限公司
IPC: G01B15/02
CPC classification number: G01B15/02
Abstract: 本发明一种具有复合金属镀层的电子元件中各镀层厚度的测量方法，包括如下步骤：(1)制备培养基片；(2)确定材质为M的金属镀层的影响因子Δ；(3)测量。本发明的方法可以实现对电子元件中复合金属镀层厚度的准确测量，特别是当电子元件的复合金属镀层中包含2个材质相同的金属镀层的情况，测量方法简便、成本低，结果重现性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118444340B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410853645.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01S19/23
Abstract: 本申请涉及一种接收机性能评估方法、装置、计算机设备、介质和产品，涉及卫星导航信号处理技术领域。所述方法包括：通过多用户导航卫星信号模拟器，向目标卫星接收机发送目标畸变信号；获取所述目标卫星接收机反馈的对所述目标畸变信号的畸变识别结果和畸变处理结果；根据所述畸变识别结果和所述畸变处理结果，对所述目标卫星接收机的性能进行评估。采用本方法能够精准评估接收机识别和处理畸变信号。
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公开(公告)号：CN113740707B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110959849.1
申请日：2021-08-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供了一种芯片接口模块的环回测试电路，采用体积较小的磁珠单元与外部测试仪器相连，其数量的增加不会使得测试板的体积过于庞大，因而，其在高速多接口的芯片测试中应用时，不会出现因明显增加测试的传输距离而带来的抖动和电学间断问题，可适应于高速多接口的芯片测试。此外，由于磁珠单元其在被测信号的频率范围内处于高阻性区，因而在环回测试过程中，不仅可以有效过滤高频信号，还可以消耗高频信号感应耦合的能量，可确保被测信号的完整性，测试结果可靠不失真。
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公开(公告)号：CN114255904B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111425588.1
申请日：2021-11-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及电子元器件技术领域，特别涉及镍电极浆料、电阻器和电阻器的制备方法。所述镍电极浆料组分包括：混合型镍粉25份‑60份；包覆型镍粉30份‑50份；无机粉体5份‑15份；有机载体1份‑5份；添加剂3份‑15份；所述混合型镍粉包括第一镍粉、第二镍粉和第三镍粉；所述第一镍粉的粒径为0.1μm～1μm；所述第二镍粉的粒径为1μm～3μm；所述第三镍粉的粒径为3μm～10μm；所述包覆型镍粉为被有机物包覆的镍粉。本发明的镍电极浆料，可以在空气气氛中烧结，具有较好的导电性，适用于现有的电阻器的工艺生产线，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN110515822B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910818726.9
申请日：2019-08-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种中断响应时间测试方法、装置、设备和存储介质。其中，中断响应时间测试方法包括向待测处理器和陪测器件同时输出中断激励信号；接收待测处理器反馈的本地时间，以及陪测器件反馈的当前时刻，并获取待测处理器读取本地时间的读操作时长；处理当前时刻、读操作时长和本地时间，得到待测处理器本次测试的中断响应时间。通过同时向待测处理器和陪测器件输出中断激励信号，使得待测处理器执行的中断动作和陪测器件清零或锁存当前时刻的动作可以进行，从而避免了动作不一致带来的误差，使得中断响应时间的测试更加准确。获取到待测处理器读取本地时间的读操作时长，从而得到待测处理器的中断响应时间更加精确。
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公开(公告)号：CN115774055A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202310094552.2
申请日：2023-02-10
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种集成电路内部缺陷检测方法、装置与系统，通过获取集成电路样品的声扫样品图像，对声扫样品图像进行分层处理，并从各层声扫样品图像中选定目标声扫样品图像，得到适用于后续预设缺陷识别模型进行缺陷检测的声扫样品图像，进而通过基于YOLOX模型构建得到预设缺陷识别模型，对分层处理后的目标声扫样品图像进行缺陷检测，获得缺陷检测结果，得到集成电路样品的缺陷信息，实现了集成电路样品内部缺陷的自动检测识别，相较于人工检验的方式，检测精准度大幅度提升。
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