电路基板和显示装置
    53.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101647121A

    公开(公告)日:2010-02-10

    申请号:CN200880010292.X

    申请日:2008-04-25

    Inventor: 森胁弘幸

    CPC classification number: H01L29/42384 H01L27/124 H01L29/66545

    Abstract: 本发明提供一种电路基板和具备该电路基板的显示装置,所述电路基板在单片电路中具有抑制特性偏差的高性能薄膜晶体管。本发明的电路基板是在基板上具备单片电路的电路基板,其中所述单片电路具有薄膜晶体管,在上述薄膜晶体管中,半导体层、栅极绝缘膜以及栅极电极按该顺序层叠,上述栅极电极与半导体层重叠的面积为40μm 2 以下,膜厚为300nm以下。

    液晶显示装置
    54.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1311503A

    公开(公告)日:2001-09-05

    申请号:CN01111244.1

    申请日:2001-02-28

    Inventor: 森胁弘幸

    CPC classification number: G09G3/3622 G09G2310/06 G09G2330/021

    Abstract: 本发明揭示一种液晶显示装置,它在全画面显示时与部分画面显示时使液晶层所加的断开电压有效值与导通电压有效值设定成基本上一致。具体来说,是将部分画面显示时的偏置比设定在最佳偏置值以下,并且对于施加电压波形的最大电压峰值(驱动电压),设定成部分画面显示时(驱动电压=a’V0’)比全画面显示时(驱动电压=aV0)还小。因此,能在部分画面显示的导通时减轻施加在液晶分子上的脉冲电压负载,改善通电产生的显示不均匀情况。

    摄像面板
    55.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110323233B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN201910239502.2

    申请日:2019-03-27

    Inventor: 森胁弘幸

    Abstract: 不使闪烁光的检测精度下降地抑制水分向摄像面板的侵入。摄像面板(1)具备:有源矩阵基板(1a),其在多个像素的每一个像素中具备光电转换元件;闪烁器(1b),其设置于有源矩阵基板(1a)的表面;防湿材料(212),其覆盖有源矩阵基板(1a)和闪烁器(1b);以及粘接层(211),其将防湿材料(212)与闪烁器(1b)及有源矩阵基板(1a)之间粘接。有源矩阵基板(1a)具备俯视时与闪烁器(1b)重叠并包括感光性树脂膜的第1平坦化膜(108)。第1平坦化膜(108)的整体在俯视时配置于设置有粘接层(211)的粘接层区域的内侧。

    有源矩阵基板及X射线摄像面板

    公开(公告)号:CN110854143A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201910742131.X

    申请日:2019-08-13

    Abstract: 有源矩阵基板在由栅极线和数据线限定的像素(P)中具有光电转换元件(42)。光电转换元件(42)与偏置布线连接,偏置布线与向偏置布线供给偏置电压的偏置端子(11)连接。偏置端子(11)与由非线性元件构成的第一保护电路(21)连接。第一保护电路(21)以反向偏置状态在供给高于偏置电压的规定电压的第一布线(31)与偏置端子(11)之间被连接。

    摄像装置和X射线摄像装置
    57.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110392927A

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201880016980.0

    申请日:2018-03-15

    Abstract: 本发明的一个方面的摄像装置具备:光电转换部,其将入射的光转换为电荷;以及检测部,其检测由光电转换部产生的电荷,光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管,检测部具备与多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个TFT,光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极,在半导体层的周缘部,在下部电极的厚度方向的至少一部分与半导体层之间设置有绝缘层,绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。

    半导体装置
    59.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102804388B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201080027155.4

    申请日:2010-06-09

    Inventor: 森胁弘幸

    Abstract: 一种半导体装置,其具备包含多个薄膜晶体管和至少一个二极管(D2a)的电路,多个薄膜晶体管具有相同的导电型,当多个薄膜晶体管的导电型是N型时,二极管(D2a)的阴极侧的电极连接到与多个薄膜晶体管中任一个薄膜晶体管的栅极连接的配线(550),当多个薄膜晶体管的导电型是P型时,二极管的阳极侧的电极连接到与多个薄膜晶体管中任一个薄膜晶体管的栅极连接的配线(550),在配线(550)上未形成以与二极管(D2a)电流的流动方向相反的方式配置的其它二极管。由此,能比以往更能抑制电路规模的增大,并且能抑制起因于ESD的薄膜晶体管的损伤。

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