显示装置
    52.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102138119B

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN200980134642.8

    申请日:2009-06-02

    CPC classification number: G06F3/042 G06F3/0412 H01L27/14643

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示装置。有源矩阵基板的像素区域的光传感器将从提供复位信号RS起到提供读出信号RW为止的期间设为检测期间,将根据在检测期间中由光检测元件接收到的光通量而变化的累积节点的电位作为传感器电路输出向输出布线读出。在不需要传感器电路输出的不需要传感器数据的期间之后、且在需要所述传感器电路输出的传感器数据有效期间之前,具有所述检测期间的长度以上的传感器上升期间,在所述传感器数据有效期间中读出在所述传感器上升期间中、来自施加了所述复位信号的光传感器的传感器电路输出。

    显示装置
    54.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102047308B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN200980119352.6

    申请日:2009-04-28

    CPC classification number: G06F3/0412 G06F3/042

    Abstract: 本发明提供一种显示装置,其在有源矩阵基板(100)的像素区域(1)设置有光传感器,该光传感器包括:光检测元件(D1),其接收入射光;电容(C2),其一个电极与光检测元件(D1)连接,并存储来自光检测元件(D1)的输出电流;复位信号配线(RST),其向该光传感器供给复位信号;读出信号配线(RWS),其向该光传感器供给读出信号;传感器开关元件(M2),其根据上述读出信号,读出在从供给上述复位信号起至供给上述读出信号为止的期间存储在上述电容(C2)的输出电流;和导电性配线(ML),其沿着用于读出上述输出电流的读出配线(SLr)设置,并且在上述像素区域内与上述光检测元件(D1)和上述像素区域的像素开关元件(M1)均不连接。

    显示装置及其制造方法
    57.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101595514B

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN200880003585.5

    申请日:2008-04-17

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制光电二极管的输出特性的偏差的显示装置及其制造方法。制造包括有源矩阵基板(2)和光电二极管(6)的显示装置。首先,在玻璃(12)基板上,依次形成硅膜(8)和覆盖硅膜(8)的层间绝缘膜(15)。接着,形成金属膜,对其进行蚀刻,形成横贯硅膜(8)的金属配线(10、11)。然后,使用具有使与p层(9a)的预定形成区域重合的部分露出的开口部(24a),并且开口部(24a)的一部分由金属配线(10)形成的掩模,进行p型杂质的离子注入。而且,使用具有使与n层(9c)的预定形成区域重合的部分露出的开口部(25b),并且开口部(25a)的一部分由金属配线(11)形成的掩模,进行n型杂质的离子注入。

    显示装置及其制造方法
    58.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101681955B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200880020103.7

    申请日:2008-07-11

    Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供能够抑制光电二极管的输出特性的偏差的有源矩阵基板和使用这种有源矩阵基板的显示装置。使用具备n-TFT(20)和p-TFT(30)和光电二极管(10)的有源矩阵基板(1)。光电二极管(10)具备p层(7)、i层(8)、n层(9)。i层(8)在与p层(7)相邻的位置,具备p型杂质的扩散浓度以与n-TFT(20)的沟道区域(23)的p型杂质的扩散浓度相等的方式设定的p型半导体区域(8a),在与n层(9)相邻的位置,具备n型杂质的扩散浓度以与p-TFT(30)的沟道区域(33)的n型杂质的扩散浓度相等的方式设定的n型半导体区域(8b)。

Patent Agency Ranking