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公开(公告)号:CN113615319B
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN201980094717.8
申请日:2019-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H10K59/12 , H10K59/131 , H10K59/121 , G09F9/30 , H05B33/06 , H05B33/02 , H05B33/12
Abstract: 设于树脂基板层(15)上的TFT层(17)具有第一无机绝缘膜(24)、设于第一无机绝缘膜上的第二无机绝缘膜(36)以及设于第二无机绝缘膜上的引出布线(7),在边框区域(F)的折弯部(B)中,设于TFT层中的狭缝(81)由形成于第一无机绝缘膜第一狭缝(83)和第二狭缝(85)构成,在第二狭缝的内侧沿第一狭缝的宽度方向的两侧设置的段部(91)设有岛状的凸部(93),引出布线覆盖凸部的周端面,并且具有使凸部的上表面露出的开口(97)。
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公开(公告)号:CN115836588A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202080102992.2
申请日:2020-07-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/22
Abstract: 一种显示装置(50a),其在显示区域的内部,非显示区域(N)呈岛状设置,在非显示区域(N)形成有在基底基板(10)的厚度方向上贯通的贯通孔(H),在非显示区域(N)以包围贯通孔(H)的方式设置有分离壁(Ea),分离壁(Ea)具备:壁基部(19da),其与平坦化膜(19a)由同一材料设置在同一层,并呈框状设置;以及壁上部(20ba),其以从显示区域侧向贯通孔(H)侧突出的方式呈檐状设置在壁基部(19da)上,并与无机绝缘膜(20a)由同一材料形成在同一层。
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公开(公告)号:CN112449711A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN201880095755.0
申请日:2018-07-20
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在显示区域以及弯折部(B)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸设置的多个第一上层布线(14d),经由形成在第二树脂层(8)以及无机绝缘膜(11、13)上的多个第一接触孔(Ha),分别与在树脂基板(10a)的第一树脂层(6)以及第二树脂层(8)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸且以横穿狭缝(S)的方式设置的多个下层布线(7b)电连接。
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公开(公告)号:CN111819614A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201880091027.2
申请日:2018-03-09
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置到从狭缝(S)露出的树脂基板的上表面,第一平坦化膜(8)在狭缝的内部,以在第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置的部分之间使树脂基板的上表面露出的方式设置,第一配线(18h)和第二配线(18i)经由设置在第一平坦化膜(8)的端面和树脂基板的上表面之间的第三配线(18j)电连接。
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公开(公告)号:CN111149146A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201780095251.4
申请日:2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在边框区域(F)的弯折部(B)处,在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜中形成贯穿该无机绝缘膜而使树脂基板(10)的上表面露出的开口部(A),边框配线(12ea)设置在从开口部(A)露出的树脂基板(10)上,构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜中的与树脂基板(10)的上表面接触的无机绝缘膜由氮氧化硅膜形成。
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公开(公告)号:CN110832626A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201780092572.9
申请日:2017-06-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 柔性有机EL显示装置包括藉由电子背散射衍射法的硅的结晶方位对齐于001面的程度为3以上的多晶硅层(15)。
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公开(公告)号:CN110313057A
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201780086931.X
申请日:2017-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 在栅极电极形成工序中,在覆盖岛状的半导体层(16)的栅极绝缘膜(17)上形成成为TFT(7)的栅极电极(18)的金属膜,通过对该金属膜进行干式蚀刻而形成栅极电极(18),并对露出的栅极电极(18)实施使用氧或氮的等离子体处理。从而,能够在抑制生产效率下降的同时,防止形成针状结晶或粒状结晶。
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公开(公告)号:CN111133566B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN201780095340.9
申请日:2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 源极电极(76)覆盖形成于无机绝缘膜(73)及无机绝缘膜(75)的一个接触孔(81),且分别电连接于在接触孔(81)内露出的栅极电极(72)及电容电极(74)。
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公开(公告)号:CN113287368B
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN201980088682.7
申请日:2019-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00
Abstract: 包括;第一树脂层(8),在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜(17)中,以将沿着弯曲部(B)的延伸方向形成的狭缝(S)填埋的方式设置;以及多个第一引绕配线(18h),设置在第一树脂层平行地延伸,在第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)之间,与第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)接触,并且以与各第一引绕配线(18h)的至少一部分重叠的方式设置有第一保护层(7a)。(8)上,与弯曲部(B)的延伸方向正交的方向互相
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