-
公开(公告)号:CN109589089A
公开(公告)日:2019-04-09
申请号:CN201710931990.4
申请日:2017-09-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属医学图像处理及其应用领域,涉及基于多模态影像数据的分析方法及其用途,具体涉及基于多模态核磁共振影像的人脑结构与功能共异常区域的精确检测,以及异常区域活动干预方法,该方法包括T1结构影像,fMRI功能核磁共振影像以及DTI扩散张量影像的分析,可精确定位被试大脑功能结构以及功能均发生异常的位置并评估其异常的程度,为包含抑郁症在内的各种脑疾病病变提供医学依据,可用于利用经颅直流电刺激(transcranial direct current stimulation,tDCS)个体化精准作用于特定脑区,干预异常脑区功能,并以此为抑郁症刺激靶点与效应的精确计算提供算法依据。
-
公开(公告)号:CN108840371A
公开(公告)日:2018-11-20
申请号:CN201810696039.X
申请日:2018-06-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域,具体为一种四氧化三铁/二氧化锰复合微球的制备方法。本发明选用六水合氯化铁作为铁源,高锰酸钾作为锰源,聚乙烯吡咯烷酮作为粘结剂,去离子水作为溶剂,先后通过水热合成、球磨、喷雾干燥、热处理等工艺,成功制备得到具有多级结构的四氧化三铁/二氧化锰复合微球。该材料由于有较大的比表面积,较好的磁性增加了其磁损耗,良好的导电性增加了其介电损耗,经检测样品厚度在2.5mm时最强微波吸收可达-22dB,吸收频带为5.2 GHz。具有宽频与高强度吸收的优异性能。因此可成为微波吸收运用领域的高性能材料。除此之外,本发明具有制备工艺简单,制备周期较短等优点,非常适合于工业化大生产,具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号:CN106024562B
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201610460749.3
申请日:2016-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01J37/143
Abstract: 本发明属于透射电子显微镜技术领域,具体为一种消除透射电镜物镜残余磁场的方法。本发明采用交流退磁的方法来消除透射电镜物镜中的残余磁场。为了提供稳定强大的外加磁场,保证消磁的有效性,本发明设计了线圈消磁器,对物镜线圈进行了改造,通过控制通入电流的强度和频率,使消磁器产生磁场的方向是按一定频率(约~0.35 Hz)交替变化,且磁场强度也随磁场方向产生周期性变化,由~400 Oe逐渐减小至趋近于零,有效地消除透射电镜物镜中的残余磁场。
-
公开(公告)号:CN107576541A
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201710602961.3
申请日:2017-07-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明属于纳米功能材料技术领域,具体为一种透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法。本发明由高温导电粘结胶制备、超晶格体材料透射样品和原位电极制备三部分组成。砷化铟/锑化镓化合物超晶格半导体通过导电胶对粘、机械减薄等过程,制备出适合透射电镜表征测试的样品,之后利用绝缘漆包线使之与四电极透射电镜样品台连接,即可开展透射电镜原位加电测试。砷化铟/锑化镓超晶格半导体作为经典实用的红外光电探测器件,研究其微观结构与载流子性质之间的物理机理和加电工作状态下载流子输运机理有助于红外探测器、量子级联激光器等光电器件的设计。
-
公开(公告)号:CN106477535A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610869499.9
申请日:2016-10-02
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B19/04
CPC classification number: C01B19/007 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12
Abstract: 本发明属于纳米功能材料技术领域,具体为二硒化铁微米管和二硒化铁纳米片两种不同形貌的制备方法。本发明选用氧化硒和氯化铁作为原料,以乙二醇为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂。以初步还原的硒微米棒为模板,形成中空管状二硒化铁多级结构。而如果将还原剂调整为二甲基亚酰胺,则得到的终产物又转变为二硒化铁纳米片。本发明具制备工艺简单,制备周期较短,比较适合于工业化大生产,具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号:CN105679631A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201610061855.4
申请日:2016-01-29
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01J37/20 , G01N23/2204
Abstract: 本发明属于透射电子显微镜配件技术领域,具体为一种透射电镜原位加电极样品台。本发明样品台由金属电极、样品槽、漆包线、样品观察窗和样品压环五部分组成;样品台后端接有杜瓦罐,可以加液氮实现从100K到373K温度区间内的控温;将样品台放入洛伦兹透射电镜中,又可以实现不同温度下原位磁场耦合的观测环境,拓展洛伦兹成像模式的观察范围。本发明能够在原子尺度的分辨率下观察样品并进行不同温度下电学和磁学的实时观测,原位揭示待测单元的电学磁学性能和纳米微观结构之间的关系和变化规律。
-
公开(公告)号:CN104787733A
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201510163848.0
申请日:2015-04-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米功能材料领域,具体为一种二碲化锰纳米颗粒及其制备方法。本发明首次成功制备出二碲化锰纳米颗粒,通过在碲前驱体中引入强还原剂三乙基硼氢化锂,在油胺和油酸不同表面活性剂作用下,分别得到无晶面缺陷和有晶面缺陷的MnTe2纳米颗粒。锰的碲化物因其特殊的电子结构而具有非常重要的电子、光学和运输性质,它的电子行为在半导体和金属之间变化,也是一类重要的反铁磁性半导体,研究它们的合成可以有助于各种稀磁半导体和磁自旋器件的设计。
-
公开(公告)号:CN109270100B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN201811448655.X
申请日:2018-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明属于电子显微镜测试技术领域,具体为一种用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片。本发明的电镜原位电学测试芯片,包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路;金属电路用于对样品施加或测量各种电信号;芯片外形为直径2.5–3.0 mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形,使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内;芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口。本发明的原位测试芯片能够用于传统的3mm直径样品孔,可用于多种条件下的原位透射电镜观测;同时放置样品的位置在芯片边缘,便于使用聚焦离子束工艺制备样品。
-
公开(公告)号:CN114378297B
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202111617500.6
申请日:2021-12-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸磁各向异性修饰的Fe@SiO2@Fe多支结构吸波材料及其制备和应用,其采用立方体的氧化铁为模板,二氧化硅通过表面曲率控制包覆成多支状结构,随后以水热方法在其表面通过配位键和的方式包覆各向异性的四氧化三铁颗粒,最后高温氢氩气环境下还原制得大尺寸的铁颗粒修饰的多支蛋黄‑壳结构。本发明中的Fe@SiO2@Fe材料表现出优异的微波吸收性能,在5mm厚度下能使微波有效吸收带宽(反射损耗值小于‑10dB)在2‑18GHz范围内覆盖15.32GHz,在厚度为3.02mm时最强反射损耗值可达到‑44.1dB,有效吸收带宽达到13GHz,远超同类型吸波材料,在微波吸收领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号:CN111392771B
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202010246113.5
申请日:2020-03-31
Applicant: 复旦大学
IPC: C01G23/053 , C01B32/05 , B01J13/02 , C09K3/00
Abstract: 本发明涉及壳层形貌可控的核壳结构氮掺杂碳包覆二氧化钛微球复合材料及其制备和应用,选用无定型二氧化钛微球作为核心材料,经过聚乙烯吡咯烷酮包覆后将钴和锌离子螯合吸附在核心材料表面,随后加入2‑甲基咪唑得到前驱体双金属沸石咪唑酯包覆无定型二氧化钛微球复合材料,接着通过改变有机配体或煅烧温度,制得碳壳形貌可控的氮掺杂碳包覆金红石相二氧化钛微球复合材料。与现有技术相比,本发明的核壳结构复合材料在2.0‑18.0GHz频率范围内展现出优异的电磁波损耗能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-