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公开(公告)号：CN101285178B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810086915.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统，其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器，包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间，在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。
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公开(公告)号：CN101144181A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710139047.6
申请日：2007-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境。设定上述第一环境，使上述卤素酸性气体的平均分子量为20～23。该使用方法从上述气体供给源，通过已形成上述第一环境的上述上游气体流路和上述流量控制器，供给上述卤素酸性气体，并将含有上述卤素酸性气体的清洁气体供给至上述成膜装置的反应室内。利用这样供给的上述清洁气体蚀刻并除去附着在上述反应室内面的副生成物膜。
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公开(公告)号：CN1754983A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510107962.8
申请日：2005-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4486 , H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器，具备：容器，规定上述气化器的处理空间；供给头，具有向上述容器内喷出上述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。
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公开(公告)号：CN1586001A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN03800067.9
申请日：2003-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , G05D7/06 , F16K27/00 , F17D1/02 , B01J4/00 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45557 , F17D1/04
Abstract: 在一个气体管路(13)上设置流体控制器(13g)，而且在气体管路(13)的流量控制器(13g)的上游设置压力控制系统区域(14)。设置有从气体管路(13)的上游沿着与气体管路(13)垂直的方向延伸的延长部(15)，使不同种类的处理气体(A)、(B)、(C)的供给源与延长部(15)连接。
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公开(公告)号：CN1496582A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN02805763.5
申请日：2002-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈部庸之
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/455 , F27D7/06 , F27D19/00
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45561 , C23C16/45568 , F27B17/0025 , F27D7/06 , F27D19/00 , F27D21/00 , H01L21/3185
Abstract: 本发明的热处理装置包括：将被处理体被运入和运出的反应容器；用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部；与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部；以及用于排出所述反应容器内的气体的排气部。控制部连接到所述处理气体导入部、所述置换气体导入部和所述排气部。控制部控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低，接着控制所述处理气体导入部和所述置换气体导入部，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述反应容器内，同时控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时高，接着控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114599442B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202080074647.2
申请日：2020-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01D53/04 , B01J20/26 , B01J20/34 , C07C63/28 , C07C63/307 , C07C63/42 , C07F1/08 , C07F5/00 , C07F11/00 , C07F15/02 , C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/285
Abstract: 在供给对用于制造半导体装置的基板进行处理的处理气体时，具有收纳有多孔质部件的浓缩罐和构成为使吸附于多孔质部件的处理气体脱附的脱附机构。多孔质部件包含构成为优先吸附与载气混合的处理气体的金属有机结构体。处理气体被吸附、储存在浓缩罐的多孔质部件中，在使用时被脱附机构脱附。
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公开(公告)号：CN114402092A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064398.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/02
Abstract: 本发明的一种方式的原料供给装置具有：贮存使第一固体原料溶解于溶剂而成的溶液或使第一固体原料分散于分散介质而成的分散体系的容器；通过从贮存在上述容器内的上述溶液或上述分散体系中除去上述溶剂或上述分散介质而形成第二固体原料的除去部；检测上述溶剂或上述分散介质从上述溶液或上述分散体系的除去已完成的检测部；和对上述第二固体原料进行加热的加热部。
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公开(公告)号：CN107202665B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710162117.3
申请日：2017-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种压力测定装置、排气系统以及基板处理装置。压力测定装置具有：第一压力计，其与能够对处理对象进行处理的处理室连接并能够测定正在对所述处理对象进行处理时的所述处理室内的压力；第二压力计，其与所述处理室连接；以及切换阀，在所述处理室内正在对所述处理对象进行处理时，所述切换阀能够将所述第二压力计与所述处理室之间的连接断开。
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公开(公告)号：CN107850245A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680029266.6
申请日：2016-03-25
Applicant: 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社
Abstract: 垫圈(4)具有进行第1面密封的厚壁部(21)和进行第2面密封的薄壁部(22)。液力联轴器(1)的环状的垫圈收纳用凹部(7)具有：宽幅部(23)，其用于收纳垫圈(4)的厚壁部(21)；以及窄幅部(24)，其用于收纳垫圈(4)的薄壁部(22)。
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公开(公告)号：CN107236937A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710191098.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、气体供给方法、基板处理方法和成膜方法。该基板处理装置具有：处理容器，其能够收纳基板；压力检测单元，其测定该处理容器内的压力；排气侧阀，其设置于将该处理容器内进行排气的排气管；气体贮存罐，其经由气体供给管而与所述处理容器连接；气体量测定单元，其测定该气体贮存罐中贮存的气体量；以及控制阀，其设置于所述第一气体供给管，基于由所述压力检测单元检测出的所述处理容器内的压力改变阀开度，来控制从所述气体贮存罐向所述处理容器供给的气体的流路面积，由此能够控制所述处理容器内的压力。
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