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公开(公告)号：CN105418131A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511023729.1
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B37/001 , C04B2237/10
Abstract: 一种氧化铝陶瓷低温钎焊连接方法，本发明涉及一种氧化铝陶瓷低温钎焊连接的方法，它为了解决现有钎焊氧化铝陶瓷的焊接温度较高，获得的接头连接强度较低的问题。钎焊连接方法：一、将Bi2O3、B2O3、ZnO和SiO2混合，得到低熔点铋酸盐玻璃粉；二、机械打磨氧化铝陶瓷，超声清洗得到预处理氧化铝陶瓷；三、制备生长有硼酸铝晶须的氧化铝陶瓷；四、将玻璃焊膏涂覆到生长有硼酸铝晶须的氧化铝陶瓷的表面；五、两块待焊氧化铝陶瓷件接触对齐；六、在480～650℃的温度下进行钎焊连接。本发明实现了在较低温度下对氧化铝陶瓷的连接，所采用玻璃钎料的热膨胀系数与氧化铝陶瓷相匹配，得到的焊接接头的剪切强度可达到60～100MPa，保证了氧化铝连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN105174720A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510727427.6
申请日：2015-10-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种轻质反射镜的制造方法。本发明属于航空航天领域中先进制导武器的光电稳瞄和自动跟踪系统领域，具体涉及一种反射镜的制造方法。本发明的目的是要解决传统反射镜制造方法中加工难度大以及重量还不够轻的问题。方法：一、碳化硅颗粒增强铝基复合材料底座的处理；二、配制玻璃钎料；三、加热润湿；四、光学加工。本发明利用玻璃钎料在高体积碳化硅增强铝基复合材料表面良好的润湿性，实现反射镜的轻量化。玻璃钎料体系众多，通过调整不同组分的配比，可以得到具有不同的热膨胀系数和玻璃软化温度的玻璃，使之在一定温度下与铝基复合材料的润湿性良好，可以在铝基复合材料表面得到均匀的玻璃层，解决了轻质反射镜制造工艺的关键技术。
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公开(公告)号：CN105139918A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510363086.9
申请日：2015-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种柔板印刷用低银高性能导电浆料及其制备方法。本发明涉及高分子复合材料领域，尤其涉及一种柔板印刷用低银高性能导电浆料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有存在的高性能导电银浆易电迁移、柔韧性差以及使用粘度大的问题。产品：由丁腈改性环氧树脂、导电金属填料、无水乙醇、纳米二氧化硅、潜伏型固化剂、偶联剂和防沉降剂制备而成。方法：一、称取原料；二、将潜伏型固化剂加入到丁腈改性环氧树脂中，得混合溶液A；三、向无水乙醇中依次加入偶联剂和防沉降剂，得混合溶液B；四、向混合溶液B中加入导电金属填料，得混合物A；五、向混合物A中加入纳米二氧化硅，得混合物B；六、将混合物B加入到混合溶液A中，得到导电浆料。
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公开(公告)号：CN105116700A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510639856.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G03G15/6591 , H05K3/106
Abstract: 采用光诱导制备多种单面多层单功能和单面、双面多层多功能的印制电子产品的方法，涉及印制电子技术领域。本发明是为了解决现有的喷墨印制电子技术的无法实现高效率、高分辨率、规模化的电子电路生产的问题。首先选择基板，并在计算机上完成电路信息或绝缘层信息的设计，通过光束控制器控制光束照射，使电路信息或绝缘层信息储存在感光材料上，形成电路或绝缘层信息的静电潜像，再在感光材料上覆盖功能性墨粉，此时电路信息或绝缘层信息转化为可视墨粉电路或绝缘层图像，再通过热压烧结或静电吸附或二者相结合的技术将功能性墨粉转印至基板上，再经过烘烤，形成电路层或绝缘层。本发明还适用于印制集成电路等。
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公开(公告)号：CN103274715B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310227145.0
申请日：2013-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 一种基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接方法，它涉及一种基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的连接方法。本发明是要解决传统陶瓷连接方法中接头残余应力大、强度低、耐热性能不足和连接温度高的问题。方法：一、表面清理；二、预置活性金属层；三、真空扩散连接；即完成基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接。本发明在活性金属Ti层厚度4μm，连接压力20MPa，连接温度1400℃，连接时间60min的工艺参数下，实现了间隙ZrC0.95陶瓷的活性扩散连接，接头剪切强度为200MPa，和传统陶瓷连接方法相比提高了近2倍。本发明可用于间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102643104B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201210149336.5
申请日：2012-05-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的扩散连接方法，它涉及二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的连接方法，本发明要解决现有二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的活性钎焊接头强度低的问题。本发明通过如下步骤来实现：一、二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的预处理；二、泡沫镍中间层的预处理；三、扩散焊连接。本方法缓解了接头应力，提高了接头强度。使用本方法得到的扩散焊接头剪切强度为176.5MPa~208.1MPa，比采用钎焊法的连接接头剪切强度提高了76%~197%，本发明可用于扩散焊连接领域。
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公开(公告)号：CN102319962B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110243599.8
申请日：2011-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/28
Abstract: 一种熔点低于600℃的Sn-Zn-Ti活性钎料的制备方法，它涉及一种活性钎料的制备方法。本发明为了解决在600℃以下实现钎料对复合材料良好润湿及钎料与增强相良好连接的问题。本发明的一种熔点低于600℃的Sn-Zn-Ti钎料具体的操作步骤如下：一、制备Sn-Ti合金锭，二、成型。本发明制备的一种熔点低于600℃的Sn-Zn-Ti活性钎料熔点为400℃~500℃，润湿角为43.89°~84.16°，强度为10.56~42.68MPa。本发明主要用于制备一种熔点低于600℃的Sn-Zn-Ti活性钎料。
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公开(公告)号：CN102643104A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210149336.5
申请日：2012-05-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的扩散连接方法，它涉及二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的连接方法，本发明要解决现有二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的活性钎焊接头强度低的问题。本发明通过如下步骤来实现：一、二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的预处理；二、泡沫镍中间层的预处理；三、扩散焊连接。本方法缓解了接头应力，提高了接头强度。使用本方法得到的扩散焊接头剪切强度为176.5MPa~208.1MPa，比采用钎焊法的连接接头剪切强度提高了76%~197%，本发明可用于扩散焊连接领域。
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公开(公告)号：CN101890590B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010215156.3
申请日：2010-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/30 , B23K1/008 , B23K103/16
Abstract: 一种用于钛合金与陶瓷钎焊的复合钎料及其钎焊方法，解决采用现有钎料钎焊连接钛合金与陶瓷或陶瓷基复合材料得到的焊接接头易产生裂纹、接头强度低，以及在钎料中引入陶瓷相方法中陶瓷相的引入导致连接层对母材的润湿性降低的问题。复合钎料：由Cu、Ni及增强相组成，所述增强相为TiB2粉或者SiC粉。方法：Cu、Ni及TiB2或SiC粉末经球磨后与粘结剂混合均匀，涂覆在钛合金与陶瓷件的待焊接面上，得到待焊件，然后将其放入真空钎焊炉中，真空钎焊处理，即可。钎焊过程本发明的复合钎料对陶瓷及陶瓷材料润湿性好，得到的焊接接头无裂纹，焊接接头的抗剪强度达16～45MPa，具有很好的力学性能。
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公开(公告)号：CN102240866A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110130833.6
申请日：2011-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硼酸铝晶须增强低温无铅复合焊膏及其制备方法，它涉及一种焊膏及其制备方法。它解决了现有低温无铅钎料存在高温时效后组织和金属间化合物粗化极其严重的问题。硼酸铝晶须增强低温无铅复合焊膏由硼酸铝晶须、Sn-58Bi粉末和松香型助焊剂制成。方法：称取原料；硼酸铝晶须搅拌后过滤干燥，再与Sn-58Bi粉末、十二羟基硬脂酸和ZrO2磨球共同放入球磨罐中球磨，得到复合钎料粉末；复合钎料粉末与松香型助焊剂搅拌后即得。本发明中组织明显细化，焊膏制得的抗拉强度为59.4～62.0MPa，0.2％屈服强度为51.9～55.2MPa，延伸率为33.1％～56.5％，BGA焊点剪切强度提高了14％～29.3％。
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