立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN101372361B

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200810137234.5

    申请日:2008-09-28

    Abstract: 立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法,它涉及钽铌酸钾钠晶体及其制备方法。它解决了现有钽铌酸钾晶体产品容易开裂,顺电(立方)相钽铌酸钾晶体光学质量低,烧结温度高,耗时长,成品率低及成本高的问题。本发明立方相钽铌酸钾钠晶体的化学式为K1-yNayTa1-xNbxO3或M:K1-yNayTa1-xNbxO3。方法:一、称取原材料;二、制备钽铌酸钾钠多晶体;三、降温后引晶;四、采用顶端籽晶助溶剂法,即得。本发明是首次采用顶端籽晶助溶剂法实现了立方相钽铌酸钾钠晶体的制备。本发明得到的产品不开裂、无条纹长出、光学质量高且晶体的组分均匀,晶体的光学和机械性能好。本发明工艺简单,耗时短,烧结温度低且成本低廉。

    电控二次电光效应布拉格衍射分束器的制作方法及利用此分束器的分束方法

    公开(公告)号:CN101943805A

    公开(公告)日:2011-01-12

    申请号:CN201010264383.5

    申请日:2010-08-27

    Abstract: 电控二次电光效应布拉格衍射分束器的制作方法及利用此分束器的分束方法,涉及非线光学中的二次电光效应与光学分束技术领域。解决了现有的光学分束技术均不能通过改变外界条件而控制分束情况的问题。制作方法一:具体为:陆续利用具有相干性的两束光束在不同夹角时通过光折变效应在二次电光效应材料内记录体全息图,记录过程中保持一束光束方向与位置不变。另一种制作方法,具体为:m束具有相干性的光束彼此成一定夹角入射至二次电光效应材料的中心位置,利用光折变效应记录下体全息图。分束方法:在分束器的两端外加电压V,通过电压控制分束与否,使得入射光束经过分束器后可被分成多束光。本发明适用于分束情况需要改变和控制的分束领域。

    高速电控全息晶体衍射分束器及其制备方法和基于该分束器实现的分束方法

    公开(公告)号:CN101799593A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN201010154243.2

    申请日:2010-04-23

    Abstract: 高速电控全息晶体衍射分束器及其制备方法和基于该分束器实现的分束方法,涉及一种分束器及其制备方法和分束方法,解决了现有技术中存在的不能实时控制分束开关、只能将光束分为两束以及分束响应速度慢的问题。本发明的分束器由顺电相电控全息晶体构成,晶体内刻有Raman-Nath光栅。分束器的制备过程为:在晶体两端加直流电场,令两束相干光入射到该晶体内相交干涉,在晶体内形成一个稳定的Raman-Nath光栅。利用该分束器实现的分束方法,其过程如下:将分束器置于光路中,使待分束光束通过分束器,当需要分束时,在分束器两端加直流或交流电场,即可实现分束。本发明可用于光学互联、图像处理、光计算等领域中,可实现高速电控分束。

    一种正交相铁电单晶的朗道自由能参数构建方法、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118883636A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410943644.8

    申请日:2024-07-15

    Abstract: 一种正交相铁电单晶的朗道自由能参数构建方法、电子设备及存储介质,属于铁电单晶分析技术领域。为快速拟合朗道自由能参数,本发明包括测量全温域介电常数随温度的变化关系,确定材料的四方相‑立方相的相变点温度TC、正交相‑四方相的相变点温度TO‑T、三方相‑正交相的相变点温度TR‑O,在材料相变点温度下进行电滞回线测试,得到相变点下的材料的自发极化取值,在材料相变点温度下进行不同晶相下的介电常数测试,基于得到的相变点下的材料的自发极化取值、得到的相变点下的不同晶相下的介电常数,计算正交相铁电单晶的朗道自由能参数。本发明拟合速度快。

    基于宿主卫星与寄宿载荷分离、锁定的机械接口系统及方法

    公开(公告)号:CN118701315A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410820571.3

    申请日:2024-06-24

    Abstract: 基于宿主卫星与寄宿载荷分离、锁定的机械接口系统及方法,属于机械结构设计领域。为了解决现有寄宿载荷分离方法存在操作复杂、响应速度慢、兼容性差及安全性不足。弹射板接口固定连接于寄宿载荷组件的底部,底座位于宿主卫星内部,弹射板接口伸入宿主卫星内部通过压缩动力弹簧装置插接于底座内部;当2个释放电机均未启动时,弹簧板将锁定钢珠挤压固定在所述通孔与弹射板接口的凹槽之间,实现寄宿载荷组件与宿主卫星的锁定;当2个释放电机均启动时,驱动弹簧板沿底座向上移动,使弹簧板内圆周上的环形凹槽与所述通孔对接,锁定钢珠由弹射板接口上的环形凹槽进入所述通孔与弹簧板上的环形凹槽之间,实现分离。用于宿主卫星与寄宿载荷分离、锁定。

    一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法

    公开(公告)号:CN117488404A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311428918.1

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法,属于铁电材料加工技术领域。为实现钽铌酸钾晶体稳定长时存在带电畴壁,本发明热台分别连接紫外光照系统、液氮循环系统、极化电源;热台包括台体,台体内部安装有加热盘,台体的前侧面设置有电压接口、温度测量接口,台体的后侧面设置有液氮循环接口、加热接口,台体的左侧面和右侧面设置有水循环降温管路接口;电压接口通过数据线连接探针台,探针台安装有探针,探针台通过磁吸环固定在加热盘上;温度测量接口通过温控数据线连接热电偶,热电偶的正上方位置的台体上表面设置有通光孔;液氮循环接口连接液氮循环管路;加热接口连接供电线;水循环降温管路接口连接水冷循环管路。

    离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法

    公开(公告)号:CN117468096A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311456780.6

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置,属于离子掺杂铁电晶体极化技术领域,包括激光光源、光强调节件、扩束准直器、温度控制单元以及极化电源;极化电源加载在离子掺杂铁电晶体上,离子掺杂铁电晶体设置在温度控制单元内,离子掺杂铁电晶体与扩束准直器相对设置,扩束准直器与光强调节件相对设置,光强调节件与激光光源相对设置,同时公开了基于上述装置的极化方法。采用上述结构的一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法,使得极化后的离子掺杂铁电晶体更加稳定。

    一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法

    公开(公告)号:CN113054058B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202110281429.2

    申请日:2021-03-16

    Abstract: 一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法,本发明涉及一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法。本发明的目的是要解决现有在柔性疏水基衬底上旋涂水基溶液时,难实现良好的图案化刻蚀的问题,本发明在清洗后的基底上旋涂聚酰亚胺,固化后再旋涂光刻胶,烘干后得到光刻胶层;使用紫外光刻机曝光将光刻胶层图案化,烘干后获得带有预设图案光刻胶层的基底;在带有预设图案化光刻胶层的基底上旋涂法沉积PEDOT:PSS薄膜,浸泡在有机溶剂中,超声清洗,氮气吹干即完成。本发明应用于有机薄膜电极加工刻蚀及应用研究领域。

    一种月壤填充式磁悬浮飞轮储能装置

    公开(公告)号:CN113890264B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202111220375.5

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 一种月壤填充式磁悬浮飞轮储能装置,它属于航天技术领域。本发明解决了现有飞轮在月球储能应用时的发射成本高、燃料消耗大的问题。本发明的飞轮箱箱体采用可折叠压缩式外壳,飞轮箱体在填充月壤后由折叠状态转变为展开状态,降低从地球运输到月球时箱体对运输飞船的空间需求,也避免了现有方法需要将飞轮运送到月球表面存在的成本过高、消耗过大的问题。本发明可以应用于月球储能领域。

    一种基于铌酸锂晶体电光效应的光强调制的方法及光开关

    公开(公告)号:CN114815328A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202110729773.3

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂晶体电光效应的光强调制的方法及光开关,属于光调制器件的设计与制备技术领域。本发明以LiNbO3晶体的电光效应为基础,以1064nm的红外激光为泵浦光,实现倍频出射532nm绿光,滤波片滤去1064nm基频光,测量倍频光和转台角度关系,固定转台在某一角度,通过外加电压可以改变产生的倍频光强度,实现了对倍频激光强度的连续非机械性调制,并获得一种电压控制的光强调制开关。本发明提供的样品制作简单,非常有利于器件设计,且调制效率较优良,为晶体器件实现光强调制提供了另一种可能。

Patent Agency Ranking