-
公开(公告)号：CN119414103A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411550685.7
申请日：2024-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种压电陶瓷的压电系数温度特性测试系统及方法，属于压电系数测试技术领域。解决了现有技术中传统的压电陶瓷的压电系数测试系统及方法无法对高温环境下的压电陶瓷进行原位表征的问题；本发明设计了压电系数温度特性测试系统，根据获取的理想温度和温度传感器采集待测样品的实际温度，采用加热器的当前输出功率对夹具系统加热，通过控制驱动装置模块对振动台输出正弦交变驱动电压，振动台对夹具系统施加正弦交变力；将待测样品和参考样品两端的电荷转换为电压信号，计算得到对应温度下的待测样品的压电系数。本发明有效实现了对高温环境下的压电陶瓷进行原位压电系数表征，可以应用于高温测试压电陶瓷的压电系数。
-
公开(公告)号：CN111999886B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010929231.6
申请日：2020-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种反射式光学偏转器，属于光学偏转介质技术领域。本发明针对现有基于反光镜的微机电系统形成的反射型机械波束控制装置结构复杂并且成本高的问题。包括锰掺杂钽铌酸钾单晶，所述锰掺杂钽铌酸钾单晶的高度按预设斜率变化；所述锰掺杂钽铌酸钾单晶高度方向的两个侧面分别连接电极，两个电极分别连接电源的两极；所述锰掺杂钽铌酸钾单晶连接电源后，沿高度变化的方向形成变化的电场；锰掺杂钽铌酸钾单晶在变化的电场下产生不同程度的形变，在反射面呈现不同的倾角，使其产生的反射光束具有不同的偏转角度。本发明可实现具有更小尺寸的光学调制器件。
-
公开(公告)号：CN119269392A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411371324.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用，属于太赫兹电极技术领域。为解决现有太赫兹透明电极无法兼具在太赫兹波传播方向透过率高和导电性能好的问题，本发明提供了一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极，包括基底和镍碲化合物薄膜。本发明通过设置不同镍碲面积的靶材制备得到具有不同镍碲比例的镍碲化合物薄膜，实现了对太赫兹透明电极的电导率、透过率和厚度的调节，使其太赫兹波段较高的透过率和高电导率实现平衡，所得基于镍碲化合物的太赫兹透明电极在太赫兹波段透过率高于80％，电导率大于1000S/cm，满足透明导电薄膜的合格标准。本发明制备方法要求低，适用于太赫兹透明电极的实用批量化生产。
-
-
公开(公告)号：CN118883636A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410943644.8
申请日：2024-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种正交相铁电单晶的朗道自由能参数构建方法、电子设备及存储介质，属于铁电单晶分析技术领域。为快速拟合朗道自由能参数，本发明包括测量全温域介电常数随温度的变化关系，确定材料的四方相‑立方相的相变点温度TC、正交相‑四方相的相变点温度TO‑T、三方相‑正交相的相变点温度TR‑O，在材料相变点温度下进行电滞回线测试，得到相变点下的材料的自发极化取值，在材料相变点温度下进行不同晶相下的介电常数测试，基于得到的相变点下的材料的自发极化取值、得到的相变点下的不同晶相下的介电常数，计算正交相铁电单晶的朗道自由能参数。本发明拟合速度快。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117488404A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311428918.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法，属于铁电材料加工技术领域。为实现钽铌酸钾晶体稳定长时存在带电畴壁，本发明热台分别连接紫外光照系统、液氮循环系统、极化电源；热台包括台体，台体内部安装有加热盘，台体的前侧面设置有电压接口、温度测量接口，台体的后侧面设置有液氮循环接口、加热接口，台体的左侧面和右侧面设置有水循环降温管路接口；电压接口通过数据线连接探针台，探针台安装有探针，探针台通过磁吸环固定在加热盘上；温度测量接口通过温控数据线连接热电偶，热电偶的正上方位置的台体上表面设置有通光孔；液氮循环接口连接液氮循环管路；加热接口连接供电线；水循环降温管路接口连接水冷循环管路。
-
公开(公告)号：CN117468096A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311456780.6
申请日：2023-11-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B33/00
Abstract: 本发明公开了一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置，属于离子掺杂铁电晶体极化技术领域，包括激光光源、光强调节件、扩束准直器、温度控制单元以及极化电源；极化电源加载在离子掺杂铁电晶体上，离子掺杂铁电晶体设置在温度控制单元内，离子掺杂铁电晶体与扩束准直器相对设置，扩束准直器与光强调节件相对设置，光强调节件与激光光源相对设置，同时公开了基于上述装置的极化方法。采用上述结构的一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法，使得极化后的离子掺杂铁电晶体更加稳定。
-
公开(公告)号：CN113054058B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110281429.2
申请日：2021-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，本发明涉及一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法。本发明的目的是要解决现有在柔性疏水基衬底上旋涂水基溶液时，难实现良好的图案化刻蚀的问题，本发明在清洗后的基底上旋涂聚酰亚胺，固化后再旋涂光刻胶，烘干后得到光刻胶层；使用紫外光刻机曝光将光刻胶层图案化，烘干后获得带有预设图案光刻胶层的基底；在带有预设图案化光刻胶层的基底上旋涂法沉积PEDOT:PSS薄膜，浸泡在有机溶剂中，超声清洗，氮气吹干即完成。本发明应用于有机薄膜电极加工刻蚀及应用研究领域。
-
公开(公告)号：CN119041004A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411167676.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梯度压电性能单晶的制备方法，属于单晶制备技术领域。使用顶部籽晶助熔法在单晶生长炉中生长KTN基单晶，熔融体沿籽晶方向生长的KTN基单晶，KTN基单晶生长界面处温度的不均匀分布诱导产生内应力，内应力诱导产生应变以及挠曲电场；室温下对KTN基单晶沿单一晶相方向施加交流电场，晶体内部不同位置处的挠曲电场在施加交流电场的晶相方向上大小梯度变化，与外部交流电场的共同作用下诱导KTN基单晶对应方向的畴结构宏观取向梯度变化，表现出大小梯度变化且具有相反符号的压电系数d33。本发明通过上述方法制备出了具有梯度压电性能单晶，有助于拓展功能梯度材料的应用场景以及基于铁电单晶的新型功能梯度器件的设计思路。
-
公开(公告)号：CN117347729B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311291490.0
申请日：2023-10-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 一种电介质陶瓷多通道介电常数测试系统及工作方法，它属于介电常数测试技术领域。为了建立测试效率更高的介电温谱测试系统，本发明高低温箱的炉门外表面设置有连接多通道夹具的电极接头，高低温箱的炉门侧面设置有连接多通道夹具的测试导线，高低温箱的炉门内测安装多通道夹具；上位机分别连接温度控制装置、多通道信号切换装置、自动平衡电桥；温度控制装置连接高低温箱的加热装置、温度传感器；多通道信号切换装置分别连接自动平衡电桥、多通道夹具；多通道夹具通过支撑杆固定连接石英片第一底座、石英片第二底座，石英片第一底座通过伸缩机构连接探针，石英片第二底座下表面安装有铂金丝，探针和铂金丝间夹持有样品。本发明实现多个样品测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.02 seconds)
